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集成门极换流晶闸管(IGCT)因其功率容量大、通态压降低及浪涌电流大等优势在冶金传动、船舶驱动、直流输电等领域具有巨大的应用潜力。通过优化P基区掺杂分布、使用质子辐照及配套新型门驱等关键技术增强了IGCT门极载流子抽取效率,研制出了一款直径为91 mm的5kA/4.5kV IGCT。此处研究了该器件的阻断、通态及关断特性,采用Silvaco TCAD仿真与试验测试方法分析证实了门极载流子抽出增强技术(CEET)提升了IGCT器件的安全工作区,并通过地面斩波及逆变应用验证了器件的可靠性。 相似文献
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IGCT的原理性电学模型与动态特性仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
集成门极换向晶闸管(IGCT)因具有开关速度快、损耗低、容量大、导通管压降低等优越性能而正逐渐广泛地应用于中压大功率领域,但国内外仿真软件中尚无IGCT的器件仿真模型。为此根据IGCT的结构特点、工作原理、额定参数以及外总电学特性,应用两个Hu-Ki模型并联的优化模型及ORCAD建立了IGCT的原理性电学模型,给出了模型的电路图及元件参数,并应用该模型进行了IGCT的动态特性仿真与分析,给出了开通、关断电压和电流波形,关断功率脉冲波形,门极关断电压和电流波形。仿真结果显示仿真的IGCT器件关断时间2μs,关断能量约0.1J,关断时门极反向电流峰值25A,表现出明显的反向抽取作用,与实测波形保持了很好的一致性。该模型意义明确、描述准确、结构简单、仿真速度较快,且有一定的通用性,可用于IGCT器件与简单系统的仿真研究,为IGCT的选择应用、器件匹配与保护电路的设计提供研究手段与设计参考。 相似文献
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受杂散电感影响的大容量变换器中IGCT关断特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
集成门极换流晶闸管(IGCT)是大容量变换器高效可靠运行的重要元件。电路杂散电感会严重地影响IGCT的关断特性,增大器件的电压应力和关断损耗,甚至导致器件损坏。以基于IGCT的12 50 kW/6 kV三电平变频器为例,通过理论分析、仿真和实验,深入研究杂散电感对IGCT关断特性的影响。通过引入影响因子的概念,评估不同支路杂散电感影响的严重程度,据此提出杂散电感的设计原则。结合变换器柜上的单管IGCT测试方案,使得杂散电感和IGCT关断特性的准确预估成为可能,为基于IGCT的大容量变换器的设计和优化提供了重要的指导。 相似文献
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集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有大电流导通损耗低和关断过程快速均匀可靠等特性,在固态限流器(solid state fault current limiter,SSFCL)应用中具有综合优势。为此,针对固态限流器中并联运行的大功率IGCT,通过构建器件的集总电荷仿真模型对其关断过程进行了仿真分析,并结合试验验证深入研究了RC阻容缓冲和压敏电阻保护对并联IGCT关断特性的影响。大电流关断研究结果表明:RC缓冲能进一步缓解并联IGCT关断过程中的电流拥挤现象,降低拖尾电流下降率,减轻器件动态雪崩击穿的剧烈程度;在固态限流器中回路电感和关断电流均比较大的条件下,增加RC缓冲能大幅提高并联器件的关断可靠性。该研究成果可以为并联IGCT有效保护方案的设计提供参考。 相似文献
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反并联二极管对IGCT关断过程的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件.在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响.本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证. 相似文献
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《电力电子技术》2016,(12)
随着分布式发电的容量提升,在并网设备方面需要有高压、大容量的开关器件集成门极换流晶闸管(IGCT)逐步开始代替现有的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为变流器的核心器件。以大功率三电平IGCT变流器为研究对象,针对传统IGCT变流器开关器件损耗及重触发等问题,设计了桥臂无损吸收回路应用在三电平电路上;从IGCT的结构特点出发,分析了内部重触发和外部重触发的工作原理以及应用场合,提出内部重触发阈值需合理设置,并通过实验验证了阈值是否设置合理。最后设计了3 MW的IGCT三电平变流器,针对功率组件进行了脉冲实验,针对整机进行了互馈实验,进一步验证了设计的正确性。 相似文献
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全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件。文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式。接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望。 相似文献
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ZHANG Ping-jun 《电机与控制应用》2008,35(7)
简单介绍了IGCT器件及其在国内外电机拖动中的应用情况,给出了明阳龙源公司在基于IGCT串联的高压变频调速系统方面的研制及其在工业生产中的应用情况。 相似文献
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简单介绍了IGCT器件及其在国内外电机拖动中的应用情况,给出了明阳龙源公司在基于IGCT串联的高压变频调速系统方面的研制及其在工业生产中的应用情况。 相似文献