安森美推出200V和250V肖特基器件

安森美半导体推出200V和250V肖特基整流器，应用于等离子／LCD电视、电源、消费类和汽车电子，把原有的肖特基势垒电压超越至200V以上。此外，还推出了两款新的SMC封装肖特基整流器。     

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10～40A额定电流范围的新型45V器件--V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP,     

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。     

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。     

安森美低厚度SOD-123FL封装

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W／mm^2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，     

安森英半导体推出多款新LDO线性稳压器，含超小XDFN封装器件

安森美半导体（O N Semiconductor）推出3种新系列的宽输入电压、低压降（LDO）线性稳压器．该公司NCP58x系列也增加新器件。     

双高压肖特基整流器

日前，Vishay Intertechology，Inc．(VSH)宣布推出三款新型双高压肖特基整流器，这些整流器具有最高可达200V的反向电压、20A正向额定电流，最高可在175℃的温度下工作。出色的200V正向电压肖特基整流器足采用碳化硅技术以低成本工艺制造的，这些基于硅的新型器件旨在实现输出电压高达48V的交流／直流及直流／直流转换器的次级整流，以及续流和极性保护应用。     

安森美半导体推出业内最小封装低压模拟开关

2006年1月18日-全球领先的电源管理解决方案供应商，安森美半导体针对便携和无线音频应用，推出了三种新型低电阻模拟开关。新型无铅超小6-引脚、10-引脚和16-引脚模拟开关采用1．2mm2到4．7mm2板空间，比竞争产品节约高达70％的空间。     

新微封装的晶体管和二极管

安森美半导体扩充分立器件封装系列。推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。     

NTST30100CTG/NTST20100CTG/ NTSB20U100CTG：肖特基整流器

安森美半导体推出新系列的100伏（V）沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR）,用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流,直流（DC／DC）转换器等应用。     

1A稳压器系列支持低于1V电压轨，应对器件市场缺隙

安森美半导体（ON Semiconductor）扩充产品阵容,推出5款新的互补金属氧化物半导体（CMOS）线性稳压器系列。优化的NCP69x系列用于低功耗的便携电池供电及“持续开机”（always—on）应用,如线缆调制解调器、卫星接收机、数字机顶盒及电表。     

安森美半导体QFN封装时钟管理器

美国国家半导体公司（National Semiconductor）宣布推出一款可支持多种不同格式的视频信号同步分离器LMH1981，其特点是信号抖动少，最适合高清晰度广播设备及专业级视频系统应用。LMH1981芯片可将同步信号分离，以便产生符合NTSC、PAL、SECAM、标准清晰度及高清晰度等视频信号格式（包括480i、480p、576i、576p、720p、1080i及1080p）的低抖动水平及场同步信号。     

安森美半导体推出用于电信、网络和消费应用的PureEdge（tm）高性能时钟产生器件

近日，安森美半导体推出PureEdge^TM高性能时钟产生产品NB3N3002和NB3N5573.     

安森美半导体推出业内最小封装的ESD保护二极管阵列

全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)近期宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mmx1.0mmx0.5mm,是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外,专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化,可广泛用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。     

安森美半导体推出新的晶闸管浪涌保护器件系列

电源半导体解决方案供应商安森美半导体针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件（TSPD），扩充了公司的电路保护解决方案阵容。     

2006高效节能电源技术论坛在上海成功举行

由中国电源学会主办的2006高效节能电源技术论坛，于11月1-2日在上海新国际博览中心E2-M18会议室成功举行。经过前期广泛邀请，包括中国电源学会元器件委员会主任李龙文，上海电源学会理事长、上海交通大学陆鸣教授，英飞凌科技高级技术总监Leo Lorenz先生，台达电力电子设计中心陈为教授等众多业内知名专家，以及包括安森美半导体、英飞凌科技、国际整流器公司（IR）、美国VICOR公司等在内的众多知名企业进行报告，     

ESD9L：单线ESD保护器件

安森美半导体推出新的超低电容静电放电（ESD）保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0．5pF电容和低钳位电压。采用适合ESD保护应用的小型封装，适用于手机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。     

ESD7L5．0D／NUP4212：ESD保护器件

安森美扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列，推出两款器件ESD7L5．0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10～80A,在30A下的典型正向压降为0．65V。