对角线10英寸高分辨率有源矩阵彩色LCD组件

业已研制成功高分辨率监视器用对角线10英寸640×3(H)×450(V)象素 a-Si TFT 寻址彩色 LCD。为了在大面积基板上制作精细图形,采用了步进光刻技术。TFT 制作中,使用了5μm 设计规范,因此尽管象素小至[110μm(H)×330μm(V)],仍然得到了高的开口比(53.6%)。TFT 沟道宽/长比是40μm/5μm。本组件驱动器 IC 芯片采用了高密度组装工艺。源汇线的外引出端焊盘经独特排布成为三路一列的接法。利用半柔性 PCB(印刷电路板)实现了源驱动 IC 的折弯装配。焊有驱动 IC 的 FPC(柔性印刷电路)叠成三层同 LC 板相接。该组件显示性能优良,显示图形象质好、分辨率高且在宽视角范围内具有高对比度。     

a-Si薄膜晶体管寻址的7.23英寸彩色液晶显示

引言液晶显示(LCD)的最终目标是实现信息容量与彩色CRT一样的大面积显示。近年来,发表了许多有关主动矩阵彩色LCD的研究报告。这种LCD采用了具有微彩色层的a-Si或p-Si薄膜晶体管(TFT)。与MOS FET寻址的LCD相比,TFT寻址矩阵LCD的优点是其尺寸不受限制。但是,迄今为止,已报导的TFT寻址LGD最大的只有4英寸(对角线)。为了与彩色CRT竞争,必须发展大尺寸     

彩色液晶显示与有源矩阵

彩色平板显示中领先的是液晶显示,其中有源矩阵驱动是提高液晶显示性能的重要手段。本文叙述彩色液晶显示的最新发展,并阐述有源矩阵、滤色器阵列的种类和某些制作工艺问题。     

液晶显示用 a-Si TFT 有源矩阵制作技术

本文通过对液晶显示用α-Si TFT 的工作原理、工作特性分析,讨论了α-Si TFT 有源矩阵结构设计和汇线电阻、电容对α-Si TFT-LCD 的影响。介绍了α-Si TFT 有源矩阵的制作工艺。     

矩阵型彩色液晶显示板

日本星电子有限公司研制成一种活性矩阵宾/主型彩色液晶显示板,图象显示面积为130平方毫米,比其它公司早期产品大10倍. 新显示板阵列图形采用了非晶硅薄膜晶体管(贝附图),每个象素用一个晶体管激励.图象区域由105,625个象素点组成,排列成325×325点矩阵;全     

α-Si-H TFT及有源矩阵选址平板液晶显示

本文报道了用于平板液晶显示(LCD)的氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)的研制结果,此晶体管开态电流约10~(-6)A,关态电流<10~(-11)A,开启电压～15V.用此α-Si:H TFT矩阵已封装出具有20×20个有效象素单元的液晶显示平板,并成功地实现了有源选址与动态显示功能.同时,对如何进一步提高TFT性能作了一些分析与讨论.     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

液晶显示有源矩阵的改进设计

为了缩短工艺流程,提出了一种用于液晶选址的非晶硅晶体管矩阵的新设计.现在只需两次光刻,其中包括局部的修补.本文报导了行线与列线开路及短路的检测、晶体管的特性以及板子的性能.     

9.5英寸对角线的多色非晶硅TFT-LCD板

引言最近,许多实验室已转向有源矩阵寻址液晶显示器(LCD)的研究。非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)是实现大尺寸有源矩阵LCD的最有前途的元件之一。然而,为了能与常用的CRT相竞争而得到一种高信息量的显示器,必须在象素数目及尺寸上都有所增加。作者研究了板的结构以及能适用于10英寸以上对角线的基片的生产过程,并制成了非晶硅薄膜晶体管液晶显示器,其显示面积为192mm×144mm,具有640×480个象素。     

模拟有源矩阵液晶显示的实验分析

本文描述了扭曲向列相液晶显示单元与分立的场效应晶体管，背对背二极管，电容器匹配在一起的实验和分析结果。在最佳匹配条件下，观察到在液晶矩阵显示中不出现交叉效应，闪烁现象。实验结果满足了多扫描线的实验要求。     

10万象素a-Si TFT有源矩阵的优化技术

本文研究了3英寸372×276象素a—Si TFT有源矩阵的优化设计理论,讨论了材料物理参数和器件结构参数对器件性能的影响,并对其制作工艺进行了系统研究。     

一种用于液晶显示的有源矩阵设计模型

本文提出了一种用于液晶显示的有源矩阵设计模型。文中讨论了有源矩阵设计的总体思想、有源矩阵器件的单管性能以及单元液晶电容充放电的物理过程;还考虑了影响有源矩阵性能的因素。在具体分析中,推导出设计用的计算公式。此模型是优化用于液晶显示的有源矩阵设计的一种尝试。     

用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta MIM薄膜二极管

本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管,其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明,用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管,具有良好的开关特性,较大的通断比和较好的伏安特性对称性     

应用a-Si薄膜晶体管的640×400象素有源矩阵液晶显示

由a-Si薄膜晶体管(TFT)寻址的9英寸640×400象素有源矩阵液晶显示器件(LCD)目前已研制出来,显示器具有高的对比度和宽的视角.本文对这种平板显示器的结构和性能进行了讨论.     

多晶硅TFT选址的PLZT有源矩阵平板显示器

引言近十年来,锆钛酸铅镧(PLZT)电光器件一直用来作光的快门,直到最近几年才用作显示器件.PLZT显示器具有:在宽的工作温度范围内响应速度快,适用于强光下显示,视角宽,全固体结构以及功耗极低等优点.PLZT技术的进一步发展是用于信息容量大的点阵显示,本文主要介绍这方面的工作.     

有源矩阵液晶显示系统视频接口控制器的速成样机

开发出一种用于反射型有源矩阵液晶显示器的视频接口控制器，利用现场可编程门阵列作专用集成电路，使系统设计具有灵活性，并能很快完成样机制作。该控制器可以采用不同的数据变换形式，传送顺序扫描的ＶＧＡ和隔行扫描的ＭＴＳＣ信号。视频接口控制器和硅基ＡＭＬＣＤ屏结合，可得到一个多功能的多媒体显示系统。     

用非晶硅薄膜晶体管寻址的有源矩阵液晶显示的视频特性

引言近来,平板显示有源矩阵液晶显示(LCD)得到广泛的开发。各种类型的有源矩阵液晶显示已有报导。我们已报导过可用激光再结晶的多晶硅来获得重复性和一致性好的薄膜晶体管(TFT)。然而,由于激光再结晶TFT是用某些高温过程的大规模集成工艺制作的,而且,在大规模集成工艺设备中存在某些尺寸限制,使得激光再结晶多晶硅TFT阵列不适用于大面积显示。另一方面,非晶硅TFT目前普遍用作有源矩阵LCD中的开关管。最近,我们已经制成由非晶硅TFT组成的,对角线尺寸为5英寸和10英寸的有源矩阵LCD。