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940nm列阵窗口半导体激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续(500μs,100Hz)输出功率达到80W(室温),峰值波长为939-941nm。 相似文献
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分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(100 Hz,100 μs)输出功率达到 80W(室温),峰值波长为 978~981nm. 相似文献
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由中科院长春光机所微机械与集成光学研究室承担的“无铝量子阱大功率激光器列阵研究”项目最近通过了有关方面的鉴定。该高功率半导体激光器列阵的各项性能指标已达国际先进水平。半导体激光器的应用覆盖了整个光电子学领域,已成为当今光电子科学的核心技术。长春光机所在半导体激光器的研制工作方面积累了良好的工作基础。1998年,在吉林省科技厅的资助下,深入开展了无铝量子阱大功率激光器列阵的研制工作,先后承担了“808nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件”和“高功率半导体激光器(LD)列阵”研究课题。经过科技人员的艰… 相似文献
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259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵 总被引:1,自引:1,他引:0
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备了填充因子为50%的1cm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌. 在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生. 最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%, 此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°. 相似文献
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《红外与毫米波学报》2017,(3)
成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm~2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW. 相似文献