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i线光学光刻技术及其发展潜力 总被引:1,自引:0,他引:1
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):438-447
综述和分析了i线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术,可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。 相似文献
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硅集成电路光刻技术的发展与挑战 总被引:17,自引:2,他引:17
从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述. 相似文献
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从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述. 相似文献
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光学光刻中的离轴照明技术 总被引:4,自引:0,他引:4
本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术。主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较 ,并用Prolith仿真软件进行了模拟分析。研究表明 ,离轴照明是一种很有效的光刻分辨率增强技术。 相似文献
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本文对离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响进行了分析。离轴照明相对传统照明来讲可以提高光刻系统成像的分辨率,是光刻系统常用的照明模式。但是离轴照明光源相对光轴的强度和位置不对称性,会对光刻成像产生较大影响。因此,本文一种利用自建的一种光刻成像仿真模型,利用此模型分析了离轴二极照明下,照明光源强度不对称对193nm深紫外光刻机90nm线宽的成像影响。仿真结果表明,照明光源强度均匀对称时,离焦对成像的影响很小,照明强度不对称时,离焦对成像的影响非常大。因此,光刻时要确保掩膜照明强度均匀,减小离焦对成像线宽的影响。 相似文献
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离轴照明技术是光刻工艺中提高成像分辨率的关键技术之一。本文提出了一种基于傅里叶合成技术的照明系统,该系统能够实现任意照明模式,并可以提高成像数值孔径,同时具有灵活高效、能量利用率高、易于实现等优点。本课题组通过计算仿真和搭建的实验装置验证了傅里叶合成技术实现任意照明模式的可行性,掌握了傅里叶照明系统所需的数值孔径合成方法,实现照明所需的发散度。基于优化的照明程序版图在实验中实现了圆盘、二级、四极、环形等照明模式,这些照明模式光强分布较均匀且照明形状无畸变。当MEMS二维振镜的扫描角度为±1°且选用收集镜成像倍率为10时,在收集镜上可以实现最大扫描照明尺寸超过30 mm,焦点面上的4×NA值超过0.6,这一结果可以匹配当前及下一代光刻工艺及掩模检测应用的照明需求。 相似文献
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采用方形照明提高分辨率和焦深 总被引:2,自引:0,他引:2
:随着光学光刻技术向更小特征尺寸加工推进 ,必然要重视提高分辨率的方法。通过强、弱离轴方法的照明变形技术正引起极大的关注。特别是研究x、y定向的特征尺寸 ,照明分布形状可不一定是圆形的。介绍了采用直角特性的照明形状可提高成像质量。讨论了方形照明的用途 ,并确定了它与光学邻近校正 (OPC)、像差及其它成像因素的关系。 相似文献
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剡蛟明 《电子工业专用设备》1994,23(3):45-57
本文通过对国际上流行的几种光刻照明方式的分析对比,揭示每一方法实现高均匀度照明的实质与规律;提出高均匀照明系统理论光照均匀度的计算方法;并以“均匀器”为重点,论证了各种匀光措施的优越性与存在的问题以及匀光器的优化设计方案;最后为这一技术的进一步发展提出了几点设想。 相似文献
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非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划 (ITRS)的加速 ,使光学光刻肩负着IC产业的重任 ,进一步向亚波长图形领域进军。为此 ,人们开发了大量的光学光刻扩展技术。其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径 ,以及为了扩展最小间距线间图形的分辨力而提高部分相干性。通过这些途径 ,在 1 93nm曝光中实现了 >0 .80的数值孔径和0 .85的部分相干性 ,并将进一步向 1 57nm乃止 1 2 6nm过渡。此间 ,离轴照明 (OAI)、移相掩模(PSM)和光学邻近效应校正 (OPC)等K1因子将作为分辨力提高技术的核心 ,补充到光学光刻技术范畴。此外 ,光学光刻的扩展还将通过像场尺寸缩小和倍率增大的方法使步进扫描光刻机更好地支持并可望进入至少 70nm的技术节点 ,乃至 50nm的下一代光刻。 相似文献
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浸没式光刻技术的研究进展 总被引:6,自引:1,他引:5
浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。 相似文献
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基于DMD数字光刻系统,建立了一种新型的双光源DMD数字光刻系统.双光源DMD数字光刻系统由光源照明系统、DMD数字微镜、投影物镜以及CCD调焦系统等几个部分组成.实验表明,与DMD数字光刻系统相比,双光源DMD数字光刻系统具有调焦点不被曝光的优点,可用于制作光纤端面微光学器件. 相似文献