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本文研究了SiO2微粉及其与ZrSiO4、SiC微粉在350-1200℃之间的显微结构,结果表明:SiO2微粉所形成的风状锭合是它人具有高中温结合强度的原因。 相似文献
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采用自制的两种镁铝胶,对用这两种胶结合的高纯镁砖和高纯尖晶石结合镁砖进行了研究,考察了不同烧结温度和胶中不同的MgO/Al2O3比例对砖性能的影响,研究结果表明,这种胶在1550℃就能形成发育良好的尖晶石结合相并因此而制得性能良好的高纯镁砖及高纯镁尖晶石砖。 相似文献
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自分散法低温烧成莫来石制品的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对用自分散法形莫来石和用此法低温烧结制成莫来石制品进行了研究,结果表明:在1300℃的条件下,能制得性能优良的高纯莫来石制品。 相似文献
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以烧结镁砂和锆英石为原料,按烧结镁砂与锆英石的质量比分别为8812,8515,8020,7723进行配料,成型后在110 ℃下保温24 h干燥,然后分别在1550 ℃、1600 ℃、1650 ℃、1730 ℃下保温3 h烧成,采用扫描电镜和能谱分析及XRD分析方法,研究了烧成温度和锆英石加入量对镁锆制品烧结性能的影响.结果表明随着锆英石加入量的增加和烧成温度的提高,镁锆制品的理化性能也逐渐提高,当锆英石的加入量为20%(即ZrO2含量为12%),烧成温度为1650 ℃时,镁锆制品的理化性能最佳,MgO与SiO2反应形成的镁橄榄石相(M2S)最多,ZrO2则多以t-ZrO2形式存在于MgO颗粒的周围,还有一小部分与MgO形成固溶体. 相似文献
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掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3. 相似文献
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采用金属铝粉氧化大量放热的自分散法与MgO合成镁铝尖晶石和在低温下直接制成高纯镁铝尖晶石制品进行了研究。结果表明:在1400℃温度下可制成镁铝尖晶石制品。 相似文献
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采用固相反应制备了(1-x)Ba3(VO4)2-xLi2MoO4微波介质陶瓷,研究了掺入不同质量比的Li2MoO4对Ba3(VO4)2的微观结构和微波介质性能影响,X线衍射(XRD)测试结果表明,Ba3(VO4)2和Li2MoO4二者兼容性良好,无第二相产生。添加具有低熔点及相反(负)频率温度系数的Li2 MoO4能有效降低Ba3( VO4)2的烧结温度,并随着添加剂Li2 MoO4的增加,此复合陶瓷的相对体密度、介电常数εr 和品质因数Q ×f呈现出先增加随后又降低的趋势,而谐振频率里面温度系数τf逐渐降低。当烧结温度为660℃且添加量30wt%Li2 MoO4的复合微波介质陶瓷获得了最佳的微波介电性能:εr =11.99, Q ×f=39700 GHz,τf =-24 ppm/℃。 相似文献
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以铁合金厂铝钛渣为主要原料,通过固相反应烧结法制备钛酸铝材料,研究了锆英石对不同温度煅烧所得钛酸铝材料的分解率及烧结性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及相关分析软件对煅烧后试样的相组成、晶胞参数、相对结晶度及微观结构进行分析。结果表明,锆英石中Zr4+和Si4+对钛酸铝中Ti4+的置换行为加速了钛酸铝材料的固相反应,加入氧化锆有利于降低钛酸铝材料的分解率,提高钛酸铝材料的致密度。升高煅烧温度可以增强锆英石对钛酸铝材料性能的影响,抑制钛酸铝材料的分解。 相似文献
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Le Fu Huasi Zhou Lena Klintberg Håkan Engqvist Wei Xia 《International Journal of Applied Ceramic Technology》2024,21(3):1954-1964
Zircon (ZrSiO4) ceramics have been widely used in many fields due to their excellent physical and chemical properties. However, ZrSiO4 ceramics typically possess moderately low mechanical properties, which hinders their wider application. Meanwhile, elevated temperatures (∼1500°C) are required to obtain high-purity synthetic ZrSiO4 ceramics, which is time- and energy-consuming. In the present study, we prepared mechanically robust ZrSiO4 ceramics at low temperature (∼1170°C) with a low doping level of Mn dopant (<2 mol%). The ZrSiO4 ceramic processed by hot isostatic pressing with .5 mol% Mn dopant achieved the highest flexural strength (512 MPa), elastic modulus (341 GPa), and nanohardness (20.8 GPa). These values are significantly higher than conventional ZrSiO4 ceramics. The strengthening mechanisms of the prepared ZrSiO4 ceramics were attributed to the formation of homogeneously-distributed nanopores due to incomplete densification and submicron ZrSiO4 grains (∼300 nm). The nanopores avoided stress concentration and deflected microcracks during loading, and the submicron ZrSiO4 grains endowed the ZrSiO4 ceramics with grain refinement strengthening. The results reported in this study would offer guidance to fabricate mechanically robust ZrSiO4 ceramics at low temperatures with a low doping level of dopant. 相似文献