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研究了BaO-TiO_2系中Ba_2Ti_9O_(20)相的形成规律。结果表明:BaO-TiO_2系中,不加任何添加剂可以合成Ba_2Ti_9O_(20)相;在BaO-TiO_2系中Ba:Ti=2:9附近存在一个很窄的单相Ba_2Ti_9O_(20)区;烧结阶段Ba_2Ti_9O_(20)相的最终合成并不依赖于预烧阶段部分此相的形成;通氧烧结对Ba_2Ti_9O_(20)相的形成影响不大,但可以抑制钛的变价。实验还发现,Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷化学计量比的偏离将导致微波下介电常数的下降。 相似文献
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BaO—TiO2系中Ba2Ti9O20相形成的研究 总被引:7,自引:1,他引:7
研究了AaO-TiO2系中Ba2Ti9O20相的形成规律。结果表明:BaO-TiO2系中,不加任何添加剂可以合成Ba2Ti9O20相;在BaO-TiO2系中Ba;Ti=2:9附近存在一个很窄的单相Ba2Ti9O20区;烧结阶段Ba2Ti9O20相的最终合成并不依赖于预烧阶段部分此相的形成。 相似文献
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(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2—(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介 … 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介电性能,烧结性能和微观结构,发现复合系统由(BaPb)6-xLa8+2xTi18O4.La4Ti9O24和(Zr0.8Sn0.2)TiO43相组成,而(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2除了(BaPb)6-xLa8+2x3Ti18O54和常数,频率温度系数,Q因子主要与其中的相组 相似文献
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研究了 Bi2 O3 ·3 Ti O2 和 Pb Ti O3 的加入量对 Sr Ti O3 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是 Bi2 O3 ·3 Ti O2 为 9% , Pb Ti O3 为 18% 。在 1 250 ℃的温度下烧结获得了性能为:εr = 3 295; Eb = 10.2 k V/m m ;tgδ= 6×10- 4 ;Δ C/ C(- 25~+ 85 ℃)≤ ±12% ;绝缘电阻 R= 7.5×101 2 Ω的高压陶瓷电容器材料。 相似文献
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(Ba0.5Pb0.5)O.La2O3.4TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了(Ba0.5Pb0.5)O·La2O3·4TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统的微波介电性能、烧结性能和微观结构,发现复合系统由(BaPb)6-xLa8+2x/3Ti18O54,La4Ti9O24和(Zr0.8Sn0.2)TiO43相组成,而(Ba0.5Pb0.5)O·La2O3·4TiO2除了(BaPb)6-xLa8+2x/3Ti18O54和La4Ti9O24外还有一未知相,(Zr0.8Sn0.2)TiO4是单一晶相.复合后,系统的烧结温度比原两系统降低了.复合系统的微波介电常数、频率温度系数、Q因子主要与其中的相组成有关.结果表明未知相很可能具有高介电常数、低频率温度系数、高Q因子.对微波介电性能的测量值和由复合关系导出的计算值进行了比较. 相似文献
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Al2O3陶瓷基体中原位生成TiB2和Ti(C,N)研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用原位反应法结合热压工艺制备Al2O3-TiB2-Ti(C,N)复相陶瓷,用TiO2,B4C,BN,Al及Al2O3为原料,通过组成设计可以制备出不同相组成及碳氮比的复相陶瓷。由SEM及TEM发现在Al2O3晶粒中分布着亚微米至微米级的近圆形Ti(C,N)颗粒,而在TiB2晶粒中分布着纳米级的板状Ti(C,N)晶体,并对这种显微结构的形成机理及化学反应过程作用初步分析。 相似文献
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借助于固相合成、X射线衍射分析和交流阻抗法测定了BaO-Gd2O3-TiO2体系的相关系、相结构与电性质。发现在研究的部分体系内有两个三元化合物新相:BaGd2Ti4O12属正交晶系,其晶胞参数为:a=1.21372nm,b=2.23265nm,c=0.38195nm,V=1.034970nm^3,Z=4;Ba11Gd4Ti7O31属六方晶系,其晶胞参数为:a=0.59547nm,c=2.9719 相似文献
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Nd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构和电性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了组份为Ba1-xNdxTiO3(x=0.002-0.04)陶瓷的结构和电性能,实验结果表明:当0.002≤x≤0.004时,轻度Nd2O3掺杂的BaTiO3陶瓷呈半导体;而当0.012≤x≤0.04时呈绝缘性。BaTiO3陶瓷的室温电阻率ρv随Nd^3+含量的变化呈U型特曲线。组份为Ba0.9970Nd0.0030TiO3的材料具有最低的ρv和最佳的PTCR效应,相应于最大的平均晶粒尺寸和最 相似文献
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氧化对Al2O3—TiB2陶瓷刀具材料磨损特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Al2O3-TiB2陶瓷刀具材料的高温氧化特性以及氧化对刀具耐磨性能的影响。结果表明,随TiB2含量的增加,Al2O3-TiB2的氧化活化能降低,抗化能力下降。Al2O3-TiB2刀具材料在加工淬火钢时,因切削高温的氧化作用在刀具表面生成的TiO2既可将轻刀具的粘结磨损,又能起到固体润滑剂的作用,从而降低摩擦系数,因而提高刀具的耐磨性能。 相似文献
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自蔓延高温还原合成法制备TiB2陶瓷粉末 总被引:7,自引:0,他引:7
采用自蔓延高温合成法(SHS)以B2O3,TiO2,Mg为原料,制备TiB2陶瓷粉料。研究了B2O3-TiO2-Mg(摩尔比为1:1:5)合成系统在加热过程中的物理化学变化规律和TiB2粉末的显微结构特征。结果表明:加热过程中合成系统有预反应,它是由于少量B2O3原造成的;掺加稀释剂对合成材料的显微结构有较的影响并进而影响MgO的化学清洗,微观分析表明,与元素合成的TiB2相比,SHS还原合成的T 相似文献
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三种无铅高压陶瓷电容器瓷料的研制 总被引:12,自引:0,他引:12
通过正交实验,分析讨论了Bi2O3.3TiO2,K2CO3,MgO等四种添加物对(Sr,Ba)TiO3基电容器瓷料性能的影响,试制了三种无铅高压电容器瓷料,耐压超过8KV/mm,主要性能均已达国际GB5595-85。 相似文献
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研究了Al2O3-TiB2陶瓷刀具材料在1000℃下的氧化行为,用XRD、SEM分析了氧化后的相组成及显微结构。结果表明:Al2O3-TiB2陶瓷材料在1000℃空气中氧化增重符合抛物线规律;随TiB2含量的增加,该材料的抗氧化能力下降。 相似文献
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王新德 《陶瓷研究与职业教育》1994,(2)
在合成的(Ba0.65Pb0.35)TiO3中分别掺入了Al2O3,SiO2,La2O3,MnO2和TiO2.讨论了每种掺杂物与烧成气氛和升温制度对常温电阻率的影响,找出了PTC陶瓷的最佳组成;1mol(Ba0.65Pb0.35)TiO3,0.002molAl2O3,0.004molSiO2,0.01molTiO2,0.003molLa2O3,0.0002molMnO2.这种PTC陶瓷的表面温度为270℃,常温电阻率为5~8×103Ω·cm,时任性为240v/mm. 相似文献
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研究了Al_2O_3-TiB_2陶瓷刀具材料的高温氧化特性以及氧化对刀具耐磨性能的影响。结果表明:随TiB_2含量的增加,Al_2O_3-TiB_2的氧化活化能降低,抗氧化能力下降.Al_2O_3-TiB_2刀具材料在加工淬火钢时,因切削高温的氧化作用在刀具表面生成的TiO_2既可减轻刀具的粘结磨损,又能起到固体润滑剂的作用,从而降低摩擦系数,因而提高刀具的耐磨性能。当切削速度大于150m/min时,随TiB_2含量的增加,刀具抗磨损能力显著提高。 相似文献
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SiC晶须对Al2O3/TiB2/SiCw陶瓷刀具材料高温断裂韧性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了不同SiC晶须含量的Al2O3/TiB2/SiCw陶瓷刀具材料的断裂韧性随温度的变化规律。结果表明:Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料的K1C在1000℃内随温度的升高而增大;晶须含量越大,通过计算分析表明,随温度的升高粘裂时拔出的晶须大大增多,当晶须体积含量(下同)为20%时,Al2O3/TiB2/SiCw陶瓷在室温时只有长径比小于2.87的晶须在断裂时才有可能产生拔出,而在900℃时 相似文献
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钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究 总被引:14,自引:2,他引:12
研究了(Sr0.48Pb0.48Y0.03Ca0.01)TiO3基陶瓷的半导化行为。结果表明:PbO适当过量有利于半导化。Raman光谱,AES分析表明,随着SiO2含量的增量,氧空位浓度及Ti^3+浓度增大,XRD分析表明,随SiO2含量增大,轴比c/a增大。 相似文献