Al-Cr二元合金中的一个新正交相O-Al_(11)Cr_2

通过透射电镜原位观察,发现单斜η-Al11Cr2相在800℃保温2h后,其三个主带轴电子衍射图中的超点阵弱点逐渐减弱直至消失,且a轴和c轴所成的角度由91°变为90°,这些变化意味着单斜η-Al11Cr2相在加热后转变为一个新相,点阵参数为a=1.2428nm,b≈1.2658nm,c≈3．0456nm的体心正交相,命名为O-Al11Cr2.其[010]电子衍射图具有伪十次对称特点,因此也是一个十重对称准晶近似相.     

Al-Cr二元合金中的一个新正交相O-A11Cr2

通过透射电镜原位观察,发现单斜η-Al11Cr2相在800℃保温2 h后,其三个主带轴电子衍射图中的超点阵弱点逐渐减弱直至消失,且a轴和c轴所成的角度由91°变为90°.这些变化意味着单斜η-Al11Cr2相在加热后转变为一个新相.点阵参数为a≈1.2428 nm,b≈1.2658 nm,c≈3.0456 nm的体心正交相,命名为O-Al11Cr2.其[010]电子衍射图具有伪十次对称特点,因此也是一个十重对称准晶近似相.     

Nd:CaNb2O6晶体的生长及光谱性质

采用提拉法沿c向成功生长出质量优良的Nd:CaNb2O6新型单晶.测量了晶体的室温吸收光谱,在808 nm处吸收截面为5.04×10-20cm2,吸收带宽为8 nm.根据Judd-Ofelt理论,拟合出晶体场强度参数Ωt(t=2,4,6):Ω2=5.321×10-20cm2,Ω4=1.734×10-20cm2,Ω6=2.889×10-20cm2.荧光辐射寿命τrad为167.02μs,计算的荧光分支比β为:β1=36.03%,β2=52.29%,β3=11.15%,β4=0.533%.这些良好的光谱性质表明Nd:CaNb2O6晶体将成为固态激光器中有潜力的激光增益介质.     

Al-Cr-Ni急冷合金中准晶和复杂六方相

最近在急冷合金Al-Cr和Al-Ni中先后分别发现I相和T相,在此基础上我们又配制了Al_6Cr0.5Ni0.5合金,并进行锤淬急冷(10~5-10~6C/S),得到约为50μm的薄膜,对薄膜进行离子减薄,在电镜下进行观察。经观察在合金中分别发现了I相和T相,T相沿十次轴方向的周期为0.4nm。对试样进行大角度倾转,我们确定了与I相和T相共存的晶化相是一种复杂的六方相(a=1.235nm,c=1.407nm,c/a=1.14),呈伪立方相如图1所示。该六方相与Al_(17)Cr_9结构类似(a=1.291nm,c=1.568nm,c/a=1.21 Pesudo-cubic),但它在结构上要比Al_(17)Cr_9复杂得多。[0001]衍射在强点之间还存有弱点(图1a)。当绕其一轴转     

新型长波红外非线性晶体PbIn6Te10的生长

新型长波红外非线性晶体PbIn6Te10具有透光波段宽(1.3~31μm)、非线性系数大(d11=51 pm/V),双折射适宜(~0.05)等优点,在14~25μm乃至25μm以上波段具有较大应用潜力。文中通过相图分析结合具体实验,筛选出较合适的组分配比,并采用高温单温区法合成多晶,布里奇曼法生长出尺寸φ11 mm×55 mm的单晶棒。对生长的PbIn6Te10晶体进行X射线衍射、摇摆曲线、透过率等测试,结果表明,晶体为三方结构,晶格常格为a=b=1.496 1 nm,c=1.825 7 nm,生长出的单晶结晶性较好,半高宽(FHWM)约0.253°,2.5~25μm波段晶体的平均透过率在50%以上,对应收系数处于0.3~0.6 cm-1之间。     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

紫外双折射晶体α-BaB2O4的光学特性

偏硼酸钡晶体(BaB2O4)以高温相和低温相两种晶型结构形式存在,其晶型转变温度为925±5℃。其中低温相的β-BaB2O4(简称β-BBO)是一种优越的非线性光学材料,被广泛应用于激光领域,而作为高温相的α-BaB2O4(简称α-BBO)晶体属三方晶系,R3c,a=b=0.7235nm,c=3.9192nm,α=β=9...     

激波冲击(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13非晶合金晶化第二相的TEM研究

用激波冲击（Fe0.99Mo0.01）78Si9B13非晶软磁合金，非晶相发生相变，形成纳米尺寸的a-(Si,Mo）主晶相和第二相，电子衍射详细研究了第二相。用Fe2B等的粉末衍射数据卡数据来标定第二相的单晶电子衍射谱偏离大。通过对实验数据的大量计算；第二相被确认为Si固溶于Fe2B的(Fe,Si)B，其点阵常数与Fe2B有一定差别，为a=0.48950nm,c=0.88023nm，Si的溶质成分估计为10.7%.     

急冷Al4Cr合金的透射电镜研究

研究与准晶结构相关的晶体相将有助于对准晶的原子结构的了解。在急冷的AL_4Cr合金中,我们观察到一个与二十面体准晶有密切联系的晶体相。通过电子衍射确定该相具有底心正交点阵,x射线能谱分析表明其成分接近Al_4cr,x射线点阵参数测量的结果与S.S.Lu等报道的正交Al_7Cr的点阵参数相符(a=19.99A,b=34.51A,c=12.47A),因此,我们所观察到的正交相与S.S.Lu报道的Al_7Cr是同一个相,为区别于我们在急冷Al_2CrSi合金中发现的μ-Al_4Cr,我们称之为ε-Al_4Cr。     

液封合成与切氏法生长InP单晶

——本文介绍一种制备InP单晶的新工艺.工艺特点是实验周期短和沾污少.晶体电学参数已达到N_D-N_A=4.53×10~(15)cm~(-3)和μ_(77K)=29920cm~2/V·s.(111)In面的位错密度为10~3～10~4cm~(-2).单晶锭重约200克.在掺Sn-InP衬底上汽相外延生长的InP层用于制做体效应器件,在58.3GHz下有120mW的输出功率和2.08%的效率.     

水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究

做为衬底材料的各种掺杂和不掺杂的GaAs单晶材料中的微沉淀及微夹杂,都影响GaAs器件及集成电路的性能。我们用JEM-1000超高压电镜,采用选区电子衍射技术,研究了掺Si、掺Cr及纯度水平法生长(HB)低位错GaAs单晶中的As和C微小第二相的形态及结构。采用约化胞法、借助电子计算机计算约化胞数据表,来分析标定电子衍射花样确定结构。经电子衍射分析表明,掺Si、掺Cr及纯度水平法生(?)GaAs单晶中有二种结构类型As沉淀、一种为六方晶系As(a_0=3.76埃,c=10.55埃),另一种为正交晶系As(a_0=3.63埃,b_0=4.45埃,C_0=10.96埃),而且它们往往与α-方石英微沉淀(或微夹杂)或c微夹杂、或Cr_n As微沉淀共存(照片1)。电子衍射分析还表明,GaAs单晶中c的微夹杂是简单立方结构(a_0=5.55埃)。为了进一步验证水平法生长GaAs单晶中有c微夹杂存在,用JXA—50A扫描电子探针分析观察了,刚刚做好的电镜样品。     

高临界温度超导材料BiSrCaCu_2O_y的电子显微镜研究

新的高Tc超导材料B:SrCaCu_2O_y具有两个主要的超导相,它们的超导转变温度分别为89k(称之为A相)和110k(称之为B相)。电子衍射分析得到A相和B相的平均结构都是正交晶胞。A相的晶胞参数为a=0.541nm。b=0.543nmc=3.07nm,B相的晶胞参数为a=0.541nm,b=0.543nm,c=3.68nm。图1 a、b分别是A相沿[001]和[110]方向的高辩象,沿b方向有无公度的调制,调制周期约为2.53nm。这种超导材料具有沿c方向的层状组织,并且A相和B相存在交生(图2)。此外也观察到沿c方向周期为2.48nm的铋锶钙铜氧化物。     

Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术

Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流效应。通过传输线的方法研究了Pt,Cr,Ni/Ag与p-GaN的接触行为(在不同的合金条件),讨论了Cr和Pt作为保护材料的可行性。结果发现,N2中500℃合金后,NiAg/p-GaN的比接触电阻率(ρc)达到最低,ρc最低值为1.42×10-3Ω.cm2;同条件下,80 nm Pt/p-GaN的ρc为6.63×10-3Ω.cm2,30 nm Cr/p-GaN的ρc为2.03×10-2Ω.cm2,且其合金前的ρc为5.74×10-2Ω.cm2,比合金后的ρc更高。这说明,Cr是更为理想的Ni/Ag保护材料,若Ni/Ag合金后再蒸Cr,效果更佳。最后,通过芯片老化实验,验证了Cr是一种较为理想的、可靠的反射镜保护材料,采用其制备的薄膜型功率芯片具有很高的可靠性。     

Zr-Al-Co-Cu块状金属玻璃晶化相的TEM研究

采用非自耗电弧炉铜模吸铸方法制备成分为Zr55.8Al19.4Co17.4Cu7.4块状金属玻璃。利用DSC设备在873K时退火,制备该成分的晶化样品。XRD和TEM测试结果表明,金属玻璃过冷液体的晶化产物是一个为Al2CoZr6相(a=0.79nm,c=0.68nm),另一个为底心正交结构的未知相(a=1.32nm,b=0.81nm,c=0.69nm)的混合物。     

ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的生长

研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底,并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN．X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为（111）取向．扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h,ZnAl2O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构,相应的GaN X 射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°．结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量．     

镁铝锌钇合金微结构的电子显微研究

添加适量稀土元素钇后,镁铝合金高温力学性能会得以改善。本文利用光学显微镜(OM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM),对693 K保温24 h的Mg-9.0wt.%Al-2.2 wt.%Zn-6.1wt.%Y铸态合金样品的微结构进行了研究。实验结果表明,显微组织相组成是基体α-Mg、晶界处γ-Mg17Al12、晶胞内的Al2Y、τ-Mg32(Al,Zn)49及-Al5Mg11Zn4相。确定了-Al5Mg11Zn4相与α-Mg基体间的取向关系是(10 10)α//(106),[51053]α//[010]。     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.     

急冷Al-Fe合金中Al_(13)Fe_4相及其十次孪晶

利用philips EM-420电镜,我们研究了成分为Al—14—22at％Fe的急冷合金,发现十次准晶相、二十面体相和十次孪晶共存,其中孪晶被证实为Al_(13)Fe_4,通常也被称为是Al_3Fe或θ相。Al_(13)Fe_4结构早已由Black等人确定为单斜,空间群为C~2/m,点阵常数为a=1.5489nm,b=0.8083nm,c=1.2476nm,β=107.71°。     

Synthesis and Crystal Structure of Novel Emitting Material 9,9-Bis(buthoxycarbonylethyl) fluorene

Synthesis of 9,9-bis(buthoxycarbonylethyl)fluorine(C27H34O4, Mr=422.54) with butyl acrylate as alkylation reagent and fluorene as starting material has been performed. The crystal structure was measured by using the X-ray diffraction method.The crystal belongs to monoclinic, space group P2(1)/c with parameters as: a=1.2912(1)nm, b=1.0974(1)nm, c=1.7468(1)nm, β=90.252(2), V=2.4752(4)nm3, Z=4, Dcacl=1.134 g·cm-3, λ=0.071 073 nm, μ(MoKα)=0.075mm-1, F(000)=912, R=0.0651 and wR=0.1475. X-ray analysis reveals tha...