共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
用普通电镜在75KV下研究了工业生产IMI679合金的硅化物情况。对轧制、挤压和锻造三种热加工与不同热处理的试样进行的观察和衍射分析表明,合金中存在着一种稳定硅化物,确定为六方结构,a=7.02A,b=3.69A a/c=1.90。其形态和分布与热加工过程有密切关系。硅化物在高温下的稳定性可能是合金具有良好热稳定性和抗蠕变性的重要原因。 相似文献
7.
8.
一、概述坡莫合金不仅是三防电机定转子铁芯冲片不可少的高导磁材料,也是其它电机常用材料之一。因此。近年来对坡莫合金的表面绝缘工艺引起了人们的重视。目前冲片绝缘方法常用的是喷漆工艺,尽管此工艺成熟、绝缘电阻耐压高,但工艺复杂、效率低、成本高。本文采用了“正交设计法”安排 相似文献
9.
自本世纪初发现钠对铝硅合金的变质作用以来 ,变质剂的开发和变质机理的探讨一直是铝硅合金研究的热点课题。通过对铝硅合金变质过程的研究 ,不仅改善了铝硅合金的使用性能 ,而且推动了金属 -非金属型共晶凝固理论的发展。尽管锂元素的化学、物理性能与钠有很多相似之处 ,但是关于其变质作用的报道分歧较大。这可能是由于锂化学活性较大 ,变质过程中变质剂含量控制不准造成的。随着航天航空领域新材料的发展 ,铝锂合金的应用范围扩大。本文对铝锂变质剂的应用过程和相关机理进行了初步的探索。样品制备试验材料 :变质对象为ZL1 0 1合金。… 相似文献
10.
表面活性剂能改变溶液的表面张力,提高溶液的洗净能力。本文从表面活性剂的基本概念出发,分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力,进而由表面活性剂的基本特性出发,介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向,以及表面活性剂的分类等概念,并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素:表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力,及表面活性剂的化学结构与洗净力。根据寻找替代ODS清洗剂的原则,提出适用的表面活性剂的条件,应用cmc、HLB分析。经研究和开发,在全水基清洗、半水基清洗中,采用非离子表面活性剂较为合适,它能更好地发挥表面活性剂的作用。文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进。 相似文献
11.
氟利昂等ODS(指CFC-113,1,1,1-三氯乙烷,四氯化碳)物质正在被逐步淘汰,替代的主要有水基型、半水基型和溶剂型等三种非ODS清洗技术.由于受清洗剂的性能限制以及LCD高清洗要求,在清洗设备上,要求使用浸入式超声波来加强清洗时的物理、化学作用.对于LCD器件,为了防止超声波对LCD器件的结构产生破坏作用,应用超声波时,超声波的主要性能指标-功率和频率的选择显得非常重要.本文重点就LCD器件的非ODS液晶清洗与超声波频率的关系进行了讨论,并对清洗工艺中需要注意的其他因素进行了简单说明. 相似文献
12.
表面活性剂能改变溶液的表面张力,提高溶液的洗净能力.本文从表面活性剂的基本概念出发,分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力,进而由表面活性剂的基本特性出发,介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向,以及表面活性剂的分类等概念,并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力,及表面活性剂的化学结构与洗净力.根据寻找替代ODS清洗剂的原则,提出适用的表面活性剂的条件,应用cmc、HLB分析.经研究和开发,在全水基清洗、半水基清洗中,采用非离子表面活性剂较为合适,它能更好地发挥表面活性剂的作用.文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进. 相似文献
13.
氟利昂等ODS(指CFC-113,1,1,1,-三氯乙烷,四氯化碳)物质正在被逐步淘汰,替代的主要有水基型、半水基型和溶剂型等三种非ODS清洗技术。由于受清洗剂的性能限制以及LCD高清洗要求,在清洗设备上,要求使用浸入式超声波来加强清洗时的物理、化学作用。对于LCD器件,为了防止超声波对LCD器件的结构产生破坏作用,应用超声波时,超声波的主要性能指标—功率和频率的选择显得非常重要。本文重点就LCD器件的非ODS液晶清洗与超声波频率的关系进行了讨论,并对清洗工艺中需要注意的其他因素进行了简单说明。 相似文献
14.
表面活性剂能改变溶液的表面张力,提高溶液的洗净能力.本文从表面活性剂的基本概念出发,分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力,进而由表面活性剂的基本特性出发,介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向,以及表面活性剂的分类等概念,并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素:表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力,及表面活性剂的化学结构与洗净力.根据寻找替代ODS清洗剂的原则,提出适用的表面活性剂的条件,应用cmc、HLB分析.经研究和开发,在全水基清洗、半水基清洗中,采用非离子表面活性剂较为合适,它能更好地发挥表面活性剂的作用.文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进. 相似文献
15.
本文通过扫描电子显微镜来研究GH33A合金模锻盘件中η相析出行为。一、试验用料和试验方法试验料为电炉冶炼GH33A合金模锻盘件。采用热处理方法制备不同析出量的η相样品。η相形貌采用恒电位仪电解深浸蚀法来显示。η相析出行为用SEM—505型扫描电子显微镜,BS-613型透射电子显微镜进行观察和分析。二、试验结果和分析GH33A合金中η相形貌呈针状,萃取粉末样品呈片状。其化学分子式为(Ni.Cr)_(3.3)(Ti·Nb·Al)。 相似文献
17.
18.
19.
研究了外场驱动下非对称耦合量子点分子中激子的动力学行为.利用二能级理论分析了这个量子系统中激子的局域化现象,分析发现:激子的动力学行为主要发生在低能级子空间,它们构成了系统的两个局域态;当场强和频率是Bessel方程的根时,准能发生回避交叉,局域化现象发生,电子和空穴局域在初始状态,状态不随时间变化.数值计算也证明了这一点.同时还给出了电子和空穴的最大纠缠态随时间的演化. 相似文献
20.
综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。 相似文献