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Si基异质结构发光的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了Si 基异质结构发光研究的现状。介绍了Si 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Er- Si 的发光、Si 基量子结构( 量子阱、量子点) 的光发射,重点研究SiGe/Si 异质结构的发光性质。同时还对多孔Si 发光、Si 基发光二极管(LED) 与Si 双极晶体管(BJT) 集成、Si 基上垂直腔面发射激光器(VCSEL) 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 相似文献
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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNi1-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法(CoxNi1-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNi1-x)Si2薄膜,其电阻 相似文献
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开创了第二代硅新技术的Si/Si1—xGex异质器件 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了国内外Si/SiGe异质器件的发展状况,指出了Si/SiGe异质器件的特点和优越性,分析了该器件的结构机理和制造技术,阐述了该器件的应用前景和对微电子技术将产生的重大影响,并提出了发展我国Si/SiGe异质器件的建议。 相似文献
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Si基光电子学研究进展 总被引:6,自引:1,他引:6
作为“第二代硅”Si基异质结材料为世人所瞩目,Si基光电子器件及光电集成(OEIC)是当前世界范围的热门课题,本文综述Si基异质材料的外延生长和特性,Si基光电子器件的结构和性能及其应用,着重介绍SiGe/Si的研究进展。 相似文献
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应用计算机数值模拟方法计算p^+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p^+(μc-Si:H)/i(a-Si:H_/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异 相似文献
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激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究 总被引:11,自引:2,他引:9
报道了对NiCrSiB激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察,将共晶中的第二相标定为Ni31Si12。γ′(Ni3Si)相与γ(Ni,Cr)相共存于枝晶中,共晶包围着枝晶形成合金的基体,其上弥散分布着硬质强化相CrB,Ni3B和M23(CB)6。研究方法包括SEM(扫描电子显微镜),电子探针,XRD(X射线衍射),EDAX(能谱分析)和波谱分析等 相似文献
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我们的LEED实验结果发现:偏离(112)约4°的St(337)表面,在超高真空中经Xe离子轰击并加~800℃退火后,呈现较清晰的(1×1)结构.在同样条件下,Si(112)表面没有产生好的LEED图样,从而预料:Si(337)可能是异质外延GaAs和GaP等极性化台物半导体的好衬底. 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的3个高斯峰,峰位分别为0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高宽分别为0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰来源于Er3+发光.当硅层厚度为1.6nm时,3个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管相应3个峰的22、7.9和6.7倍. 相似文献
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在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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根据Suhir的双金属带的热应力分布理论,建立了Si/Si直接键合界面应力模型,推导出了由于高温引起的正应力、剪切应力和剥离应力的解析方程。并且应用模拟软件Matlab对热应力进行了模拟,直观地表现了键合界面应力的大小及其分布情况,对键合工艺有一定的指导意义。 相似文献
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