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1-IntroductionInordert0applythehydr0genatednan0crys-tallineSifilm(nc-Si:H)t0futureelectricaldevices,itisnecessarytofurtherimproveitselectricproperties.Accordingt0aSi:Hdopingtechnique,thedepositionofnc-Si:P:Hfilmwasstudiedandprimaryresults0fconductivityarerep0rted.2.ExperimentalAfterexperiments,followingparameterswerechosent0dep0sitnc-Si:P:Hfilms.Thegaseousphosphorus-dopingc0ncentrati0n(PH3/SiH4)is10-`~1;dilutionratio0fsaline(SiH4/H2)is0.1%~1%,substratetemperatureisfrom15O"Cto250"C.Th… 相似文献
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沉淀-喷雾干燥法制备纳米晶碳化硅粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
以廉价的水玻璃和炭黑为原料, 采用沉淀-喷雾干燥法制备反应前驱体, 经碳热还原合成碳化硅. 由于原料间混合均匀, 前驱体在1500℃下加热5h后就能实现完全反应. 对产物用XRD、IR、BET及SEM等进行了表征, 并对反应过程中温度、时间的影响进行了研究. 结果表明, 前驱体在1500℃下反应5h制得的产物为平均晶粒尺寸在37nm左右的β-SiC, 比表面积为12.4m2/g. 碳热还原过程中, 适当升高温度、缩短反应时间有利于得到高质量的SiC产物. 相似文献
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NiO基氧化物热电材料的合成及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶凝胶法制备了Li掺杂的NiO基氧化物热电材料,研究了Li掺杂对其热电性能的影响,实验结果表明:在x=0.03,0.06,0.09掺杂比例范围,Li+很好地进入了NiO的晶格,没有形成新的杂相。热电性能测试结果显示,在室温至750K的范围内随着Li掺杂量的增加,电导率显著增加,而样品的Seebeck系数随着掺杂浓度增高明显降低,样品Ni0.94Li0.06O在750K的功率因子PF=1.9×10-5 W.m-1.K-2,随温度升高,PF增加趋势明显,表明在高温环境中可具有更大的PF。 相似文献
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SnSe是一种潜在的极具应用前景的热电材料。采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法制备了Ag掺杂的Sn1-xAgxSe (0.005≤x≤0.03)多晶块体热电材料, 并借助XRD、SEM、电热输运测试系统研究了其物相组成、微结构与电热输运性能。XRD分析结果表明, 少量Ag(0.005≤x≤0.01)掺杂仍然能够成功制备出单相斜方结构SnSe化合物, 但随着Ag掺杂量的增加, 基体中出现SnAgSe2第二相, 且第二相含量逐渐增加。掺杂Ag大幅度提高了载流子浓度, 从而使材料的综合电输运性能(功率因子)显著提高, 当Ag掺杂量x=0.02时, 功率因子提高至4.95×10-4 W/(m·K2), 较未掺杂SnSe样品提高了36%。尽管掺杂样品的热导率均有小幅升高, 无量纲热电优值(ZT)仍获得一定改善。当Ag掺杂量x=0.02时, Sn0.98Ag0.02Se成分样品具有较高的热电优值, 并在823 K附近达到最高值0.82。 相似文献
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