真空灭弧室高频特性的数学模拟和与电力系统测得的瞬态特性的比较

电流过零时真空开关的间隙工度太短了（即电流过零之前触头分开是的），这时，高频瞬态特性像已知的多次重燃或有效的电流截止一样在一定网络的条件下是可能发生变化的。为了评估这些瞬态变化概率，在测量的数据基础上研究了真空断路器的数学模型，可以模拟相或三相网络中的高频特性。为验证断路器模型的效率，使用一台真空断路器和在无负载的条件下完成了现代１１ｋＶ干式变压器的综合开断测量。在测得的数字模拟结果之间进行了比较     

真空发电机保护断路器在负荷下降时的电压上升和重燃特性

文中重点介绍了当真空断路器用做发电机保护断路器在负荷下降时产生的多次重燃和电压上升。多次重燃和电压上升的概率与燃弧时间或正比,而且较小。在分闸操作后,由于其开断高频电流的能力,在真空开断装置中可观察到多次重燃和电压上升。当真空断路器用做发电机保护断路器研究多次重燃和电压上升时,变压器侧的电容与负荷下降的幅值起着至关重要失和用,需要特别指出的情况是,当保护电容器与断路器系统侧相连时要多加注意。尽管该     

非均匀植被地表散射的Monte Carlo数值模拟与实验观测

用Monte Carlo方法数值模拟电磁波在非均匀植被地表和目标的多次散射,得到随散射计空间移动观测下进而均匀植被地表的散射模拟结果,并与X波段散射计辐射计组合系统的观测试验的测量结果作了对比。     

电子束大面积辐照硅片温度分布的计算机模拟

本文对聚焦电子束大面积辐照(包括快速多次扫描)硅片的纵向温度分布进行了计算机数值模拟。作者运用表面热导关系计算了硅片底面的传导散热。模拟中还计入了电子在硅中的能量耗散分布、硅的热导率随温度的变化以及硅片两面的辐射散热等因素。模拟结果与实验都较好地符合。本文模拟结果特别指出:辐射时间达1毫秒或更长时,如果辐照功率密废达10~3瓦/厘米~2以上,硅片纵向温度分布并不均匀,温度差远远超过10℃。这一结果尚未见国内外文献报道。作者根据模拟结果作了一些推论。     

大统计斜率随机表面光散射的Monte Carlo数值模拟

本文在Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ近似的基础上，通过Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ数值模拟，分析了大统计斜率随机表面的单次和二次散射。数值结果证明了导体和介质表面均存在起因于多次散射的后向增强散射，入射光的偏振状态对介质表面散射特征有明显的影响。数值结果与实验报导有很好吻合。     

高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＾＋或Ｎ＾＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＭＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而     

切合电容器组试验及中重燃的消除

本文叙述了电容器组在电网中运用的必要性及切合电容器组过程中发生重燃的危害性，并从制造工艺、老炼方法、参数调试三个方面探讨了消除重燃的有效方法，为实现低重燃或无重燃的真空开关提出了一些见解和实践中的经验。     

离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量     

模拟与数字混合条件下视频设备与系统的测试

本文分析了模拟分量设备与数字分量设备混合使用条件下，模数和数模转换性能对单件设备及系统的技术性能所产生的多种影响及其性能测试的意义，并讨论了压缩数字系统中多次模数和数模转换与数字压缩和解压缩对最终重建信号的不同影响，提出尽可能地采用数字信号连接，以减轻因多次模数和数模转换使重建模拟信号逐次劣化的趋势。     

烟幕消光的数值模拟

本文以高斯扩散模型为烟幕扩散模型，应用Ｍｉｅ散射理论，考虑烟幕的多次散射和前向散射，对烟幕的消光效果进行数值模拟，并编制了软件。     

烟幕消光的数值模拟

本文以高斯扩散模型为烟幕扩散模型,应用Ｍｉｅ散射理论,考虑烟幕的多次散射和前向散射,对烟幕的消光效果进行数值模拟,并编制了软件。     

对真空开关在切合电容器组时重燃问题的探讨

国产真空开关在切合电容器组的试验中，存在着较高的重燃率，由于此问题产生的原因始终不清，从而使问题长期得不到有效地解决。本文针对观察了解到的真空开关在切合电容器组出现的重燃现象，归纳了它的特点，分析了原因，并提出了自己的观点和看法。本文明确指出：真空开关的核心器件－真空开关管内存在的具有导电性的活动性“毛刺”是真空开关在切合电容器组时出现重燃的根本原因。最后提出了减少和消除重燃问题的具体措施。     

真空断路器开断小感性电流时两种电弧模型的比较

本文的目的是提供两种不同的方法模拟真空断路器（VCB）开断小感性电流所引起的电弧重燃。根据不同真空断路器的测试特性,提供两种模型,对开断模型中的空载变压器所产生的过电压进行了计算,并且统计计算了过电压的分布。     

基于AD5504的多路信号源的设计与实现

针对目前多路信号源DA通道切换及其调理电路的复杂性问题,结合测试系统对于模拟高压信号源的要求,设计了一种基于AD5504的多路模拟信号源。该板卡以FPGA作为系统控制器,PCI9054作为PCI总线协议芯片,信号源包含32路0-28V波形、幅值、占空比可调模拟电压,通过8片四通道DA转换芯片AD5504进行DA转换。经多次测试,该板卡可可靠输出所需模拟电压且达到输出电压误差小于满量程的0.2%,各通道的功率小于0.4W,稳定性高,对于高压模拟信号源的设计有一定的参考价值     

真空罐内太阳模拟灯阵的控制系统

太阳模拟灯阵采用氙灯作为太阳模拟光源,本文专门设计了氖灯光源控制系统。该控制系统由硬件和软件两部分构成,其中硬件部分由温度采集系统、氙灯触发控制系统、辐照度控制系统3个子系统组成;软件部分实现了整个系统的智能控制,并实时采集存储辐照度数据,调整氙灯电流使其输出辐照度在设定值允许的范围内,实现闭环控制。经过多次试验,均满足太阳模拟灯阵的正常使用,从而验证了控制系统设计的正确性。     

双极型集成电路瞬时辐照效应的计算机模拟

本文介绍了利用计算机模拟双极型集成电路的瞬时辐照效应。主要包括模拟原理、重要的模拟输入参数的提取、模拟过程和模拟结果和与实验结果的对比。模拟结果与实验结果能较好地吻合,这说明电子电路瞬时辐照效应的计算机模拟是可行的,且大有发展前途。     

模拟变换和数字变换的高档DMM

高档数字多用表的性能由读数位数、分辨率、灵敏度和准确度来表征,在近年来由于数字电路的进步,用高分辨率A/D转换器作模拟/数字转换的数字多用表具有非常好的特性。高分辨率以及大的动态范围和高的吞吐率,A/D转换器充分发挥数字电路的优点,与多次斜波变换法相比占有绝对优势。本文比较两种8 1/2位的数字多用表,但采用不同的变换方法,Prema 6048型是多次斜波变换,而Keithey2002型是A/D转换器。     

盆架对FEMM磁路模拟的影响

FEMM模拟磁路时一般不带盆架模拟,这样的模拟结果与实际样品会有出入.介绍了盆架如何影响磁路模拟的结果.带盆架模拟后,模拟结果将会更加准确.盆架的材料、形状、厚薄都会影响磁路模拟的结果.对于参数要求高的扬声器,磁路模拟就更要将盆架考虑在内了.希望能让扬声器设计者在设计磁路中多多注意盆架的影响,做到更精确、准确的设计.     

计算机网络模拟方法与工具

在计算机网络研究中,模拟是一种快速而经济的重要研究手段,而网络模拟的有效性和精确性取决于网络模拟软件工具的性能,本文着重探讨了研究与开发网络模拟工具的方法,并基于前面分析与研究的结果,提出了网络模拟工具的体系结构,以满足网络模拟研究的需要,同时定义了其各部分功能。本文中还简要介绍了一些现有的成功网络模拟软件工具。     

一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。