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《电子设计应用》2003,(8):57-57
安森美半导体推出的自护式SmartDiscrete器件,是低边、自钳位、46V、48-185毫欧MOSFET。该新品采用HDPlus芯片工艺制造,集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电(ESD)保护等多种功能,针对高功率、短路情况的应用,该新品结合了漏极电流感应与限制,在负载短路的情况下,电流限制电路保护可阻止电流尖峰,且温度电路监测接点温度将在到达某设定点时(典型值为175℃)关断器件。此外其内部温度限制电路设计,在接点温度降低约15℃时自动接通主MOSFET,从而使得器件不断进行热循环,直到短路情况被修正,为要求苛严的汽车和工业应用… 相似文献
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安森美半导体(ONSemiconductor)扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容,推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET,用于空间受限的便携消费电子产品,如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。 相似文献
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安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用 相似文献
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