铜锌锡硫纳米颗粒制备的研究进展

Cu2ZnSnS4(CZTS)具有高达104 cm-1的吸收系数,其约1.45eV的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,且CZTS所含元素无毒、在地球上含量丰富、价格低廉,适用于辊对辊、丝网印刷等非真空的低成本制造方法,这使得CZTS太阳电池已成为最具产业化发展潜力的薄膜太阳电池之一,因而最近几年倍受关注。低成本的非真空制造方法大都采用CZTS纳米颗粒或其纳米墨水,因此高质量的CZTS纳米粉体的低成本、绿色制备成为CZTS太阳电池器件制造的重要部分。对CZTS纳米颗粒及其纳米墨水的制备方法进行了综述,分析和讨论各种CZTS粉体的制备方法工艺特点及其优缺点,并探讨其发展趋势。     

纳米Fe-ZnSe颗粒膜的光学特性

研究了射频溅射法制备的纳米"铁磁金属一半导体基体"Fex(ZnSe)1-x颗粒膜的光学特性.透射光谱测量结果表明,当Fe体积分数为35%时,颗粒膜样品的可见光透过率达到50%以上.研究发现,在ZnSe薄膜基体中嵌入纳米铁颗粒的Fe-ZnSe颗粒膜中,电子的带间跃迁为直接跃迁,其带隙随着Fe在颗粒膜中所占体积分数的增加而变宽.     

高致密度FeNi纳米颗粒薄膜制备与性能研究

传统磁控溅射装置制备的纳米颗粒薄膜粒径不均一并且实现粒径大小调控比较困难.本研究采用电场辅助沉积技术,在沉积平台施加5～30 kV的电场,以Si(100)为衬底制备了一系列纳米颗粒粒径均一的高致密度FeNi纳米颗粒薄膜材料.通过XRD、SEM以及VSM测量,研究了不同沉积电场下FeNi纳米颗粒薄膜的结构、形貌和磁性能....     

Maxwell-Garnett理论研究纳米铜膜的光学性质

为了寻求一种合适的研究纯金属纳米薄膜光学性质的方法,采用有效介质理论中的Maxwell-Garnett理论计算了纳米铜膜对光的反射、透射及吸收情况.结果表明,Maxwell-Garnett理论的计算结果与实验值在定性上较符合,适于对纯金属纳米薄膜的光学性质进行理论研究.     

Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜的制备和微结构

用射频磁控共溅射法制备了Au体积分数分别为6%、15%、25%、40%、50%和60%的Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜.用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱对薄膜的微结构和组分进行了测试分析,分析结果表明:制备的Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜由fcc-Au晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2陶瓷基体中构成,当Au体积百分含量由15%增至60%时,其平均晶粒尺寸由5.1nm增大到21.2 nm,晶格常数由0.399 84nm增大到0.407 43nm;随Au体积百分含量由6%增至50%,其颗粒平均粒径则由9.8nm增至21.4 nm.名义组分为vol.60%Au-MgF2样品中Au的体积百分含量约为62.6%,与设计值基本一致.     

新型硅纳米颗粒提升太阳能电池性能

科学家一直致力于寻找更好的材料和方法来制造高性能的太阳能电池。美国科学家的一项最新研究发现，在硅太阳能电池表面生成一层硅纳米颗粒薄膜能够提升它的能量转化能力，并且减少电池自身的发热量，延长使用寿命。相关论文将发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上。[第一段]     

次亚磷酸钠还原法制备纳米铜颗粒

利用液相还原两步法,油酸为萃取荆和保护剂,葡萄糖和次亚磷酸钠将五水硫酸铜分别还原为氧化亚铜和单质铜,制备得到了粒度为50～100nm左右分散均匀的球形纳米铜颗粒,并用XRD、SEM和TEM对其进行了表征.结果表明,在油酸的保护下,采用液相还原两步法可制得分散性好、具有抗氧化性能的球形纳米铜颗粒.     

利用铜基底增强化学镀法制备金纳米颗粒/石墨烯复合薄膜

采用电泳沉积技术在铜基底表面制备了石墨烯(GNS)薄膜,进而利用氯金酸水溶液与铜基底之间的电置换反应在GNS薄膜表面沉积金纳米颗粒,从而得到金纳米颗粒/石墨烯(Au/GNS)复合薄膜.通过原子力显微镜(AFM),场发射扫描电镜(FE-SEM)X射线衍射(XRD)等测试手段对样品进行厚度,微观结构和化学成分分析,研究了不同置换反应时间对所得复合薄膜形貌和结构的影响,并分析了复合薄膜的沉积机理.     

纳米颗粒薄膜的真空喷射沉积研究

利用真空喷射沉积技术制备了Ｚｎ纳米颗粒薄膜，研究了工艺参数对薄膜形貌及晶体结构伯影响规律，给出了颗粒尺度和外形随Ａｒ气流量，蒸发源温度，喷嘴尺寸形状和沉积时间的变化规律，并对其机理进行了分析。     

纳米Cu颗粒的制备及其微观结构

采用磁控溅射与液氮冷凝方法,在表面沉积有方华膜的电镜载网上制备支撑纳米Ｃｕ颗粒;对样品的微观结构进行了ＴＥＭ／ＥＤ观察。结果表明,用该方法制备的Ｃｕ颗粒呈球状,其尺寸基本服从正态分布。当Ｃｕ颗粒的直径为２ｎｍ时,其电子衍射花样为弥散环;当其直径大于８ｎｍ时,则一般表现出晶体结构。具有晶体结构的Ｃｕ颗粒晶格常数随其直径大小的不同,呈现出不同程度的收缩效应,与块状Ｃｕ材料相比,最大收缩量为５％。     

工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

用于激光直写灰度掩模的二元金属薄膜的制备及光学性质

利用磁控溅射方法制备了Zn／Al二元金属薄膜,得出了制备Zn／Al二元金属薄膜的工艺参数。论述了其在激光直写灰度掩模中的应用。     

碳化硅薄膜制备方法及光学性能的研究进展

碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。介绍了制备碳化硅薄膜的2种常用方法。即化学气相沉积和磁控溅射技术,比较了2种方法的各自优势。总结了碳化硅薄膜光学性能及短波发光特性的研究进展。     

AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展

概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展。详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。     

智能化涡流薄膜厚度测量的研究

叙述了智能化涡流薄膜厚度测量系统的组成、原理及控制关系，分析了保证测量不确定度很小的措施。指出了采用涡流测量薄膜厚度也是一种实用的测量方法。     

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V－I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。     

超窄带滤光片制作技术

详细地介绍了超窄带滤光片的制作技术.讨论了在基底材料选择、膜系设计以及膜厚监控等方面要求的特殊性,并给出了一些滤光片设计和监控的要求.它在空间遥感尤其是在闪电探测方面具有重要的作用.     

ZnO纳米晶粉末和电沉积Ni薄层透射电镜样品的制备和观察

制备了ZnO纳米晶粉末和电沉积Ni镀层的透射电子显微镜样品,并利用透射电子显微镜对其进行了观察。     

大功率脉冲激光纳米薄膜制备技术

讨论脉冲激光薄膜沉积技术的基本物理过程、独具的优点及可能的应用，并介绍了一些激光制备薄膜实验的结果。     

Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究

论述以SiH_4 Ar N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。