基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展

发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望.     

平板显示技术现状

随着信息化社会进程的高速发展,对平板显示器件的需求越来越大.近年来,平板显示技术的开发,也取得了许多新成果.平板显示器件可分为自发光与激励发光两种.前者包括发光二极管(LED)、荧光显象管(FIP)、等离子显示器(PDP)、场致发光(EL)显示器;后者有液晶显示器(LCD)、电化显示器(ECD).下面着重介绍一下荧光及液晶显示器的研制状况.     

LED电子礼花树控制器设计

用LED取代小型灯泡作为电子礼花树的显示器件具有节电、工作寿命长、高亮度、多发光颜色、响应快等优点。依据LED显示器件的特点及系统的可维护性和可扩充性需求，文章给出了一种电子礼花树系统主板、LED显示驱动板的硬件原理电路及主程序的工作流程框图，同时也对LED显示驱动芯片TPIC68273进行了简要介绍.     

单片微机控制的LED汉字显示器

本文介绍了一种用8031单片机控制的LED智能化显示器。显示屏为16×128点阵,每只LED采用φ5高亮度发光二极管,它同时能显示8个16×16点阵的标准汉字、字符或图案。采用计算机控制和动态扫描方式的LED显示器,一幅显示屏可以显示不同的内容,显示方式丰富,修改方便,显示图案稳定,功耗低,在广告宣传领域已开始得到应用。一、汉字显示工作原理本LED汉字显示器,采用动态扫描方式来显示不同的内容。用动态扫描方式显示汉字的关键是解决显示亮度和显示内容的稳定性。LED显示器的控制原理如图1所示,其中发光二极管采用LED625(橙色),晶体管采用9012。在脉冲周期的τ_1期间,LED625处于发光状态,在脉冲周期的τ_2期间,LED625     

HAM操作入门系列之二 短波基地台的认知和安装

朋友们,本期我们来聊聊短波(以下简称基地台)基地台。我们首先谈谈基地台的基本分类和安装注意事项,以后我们为您陆续介绍基地台的操作和使用等技巧。我们先以ICOM IC-7600为例,来认识一下基地台。从上图我们可以看出,一般面板上的器件共有四类:第一类是显示器件,分为显示器、LED指示灯和表头。显示器多为LCD液晶面板或LED数码发光器件,或两者的组合;LED指示灯用于直观指示电台的工作状态,如接收或发射;表头用来指示接收信号的强度、发射功率、驻波比等,有机械指     

有机发光显示器件的研究及应用

有机发光显示器具有自主发光、功耗小、驱动电压低、视角宽、响应速度快等优点,已成为平板显示技术新的研究热点.在介绍有机电致发光器件结构和发光原理基础上,系统介绍了有机显示器件的三个核心部分-有机发光材料、显示面板和驱动技术的研究进展,分析了有机发光显示器的市场前景及可能的应用领域,最后指出有机发光显示器在产业化进程中所需要解决的问题.     

硅基微显示器发展现状与研究进展

硅基微显示器以单晶硅为衬底,背板中集成CMOS驱动电路,具有体积小、像素密度高、开关速度快、功耗低等特性,在近眼显示、投影、增强现实/虚拟现实（AR/VR）等领域具有广泛应用。综述数字微镜器件（DMD）、硅基液晶（LCoS）、硅基有机发光（OLED on silicon）、硅基二极管发光（硅基micro-LED）4种硅基微显示器,重点论述硅基OLED和硅基micro-LED的关键技术和研究进展。这些硅基微显示器具有主动发光、高分辨率、高刷新率、高对比度、低功耗等突出特点,在近眼显示领域拥有巨大的应用潜力。     

发光与显示

照明光学系统的基础；采用三色LED照明的CCD显微镜；步进器的照明系统；投影仪的照明系统；图像处理用照明系统；照明光学系统模拟软件；柔性液晶器件的时分全彩显示；理想的蓝色发光器件的实现；可编程衍射光栅及其在显示、光谱学和通信中的应用；具有二维共振微扫描反射镜的廉价投影装置；采用光栅电机械系统的高分辨率激光投影显示系统；无源矩阵显示器中静电驱动的光学法布里一珀罗开关；     

基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展

作为发光可覆盖整个可见光波段的发光材料,Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点自上世纪90年代以来一直是构筑白光发光二极管（LED）的关键材料之一。本文主要介绍基于缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量子点的白光LED,并比较了不同类型器件的特点。凭借发光效率等主要性能参数的优势,基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业化应用。而在高清显示技术方面,结合微接触印刷技术的三基色复合白光LED具有潜在应用价值。最后简要介绍在提高白光LED发光效率方面的进展。     

TCM-A0978液晶显示器及应用

液晶显示器作为电子设备、电子仪器、甚至到手表、玩具等产品的显示器件已经是非常普遍的了。液晶显示器件具有工作电压低、功耗微、显示信息量大、寿命长、不产生电磁辐射污染等优点，特别适合在低功耗设备中应用。由于它是被动显示器件，与其它传统的发光显示器件的原理、特点、结构不同，在应用时也有所不同。关于液晶显示器的工作原理、特点和结构在许多书籍、资料中均有介绍，在这里仅对其应用作一介绍。TCM－A0978液晶显示模块采用宽视角设计、全点阵方式，显示规格为128X64点，带有背光功能，允许显示图形，也可显示8X4个汉字；模…     

高分辨率AM Micro-LED显示器设计及其驱动实现

设计了一种基于蓝宝石衬底氮化镓基蓝色/绿色多量子阱LED外延片,利用成熟的LED芯片工艺制备了高像素Micro-LED芯片阵列;在Micro-LED芯片和CMOS驱动芯片表面设计并制备了金属凸点,采用高精度倒装焊接工艺实现LED显示芯片和CMOS驱动芯片的良好键合,成功制备了分辨率为640×360的Micro-LED显示器。同时,以FPGA为控制器,设计了Micro-LED显示器的驱动系统,该驱动系统对输入的图像数据进行缓存并将其处理为显示器所能接收的单色图像数据,最后将处理后的图像数据写入驱动芯片并实现图像显示。     

单片集成发光与探测的micro-LED阵列及显示与可见光通信应用

GaN基micro-LED阵列作为新兴的光源技术,已被证明可以在光通信及显示等领域发挥重要作用。如果阵列中的micro-LED能够探测毗邻区域像素的发光性能,将有望形成单片集成发光探测的多功能micro-LED阵列,从而推进未来物联网技术中满足小型化、低功耗需求的光子集成芯片的发展。文章通过实验验证了InGaN/GaN多量子阱结构可以在不同偏压下实现发光和探测的双重功能,从而证明了micro-LED阵列单片集成发光和实时探测的可行性,并进一步将其应用于高稳定性可见光通信以及显示阵列坏点实时检测中,拓宽了micro-LED阵列集成发光探测多功能的潜在应用领域。     

High-Efficiency InGaN Red Mini-LEDs on Sapphire Toward Full-Color Nitride Displays: Effect of Strain Modulation

InGaN red light emitting diode (LED) is one of the crucial bottlenecks that must be broken through to realize high-resolution full-color mini/micro-LED displays. The efficiency of InGaN LEDs drops rapidly as the emission spectra go from blue/green to red range due to the poor quality of high-indium-content InGaN materials. Here, high-performance InGaN red LEDs on sapphire grown by metal–organic chemical vapor deposition through strain modulation are reported. A composite buffer layer is proposed to increase the surface lattice constant of GaN and hence successfully enhances the indium incorporation efficiency of the following InGaN active layers. Consequently, a high-efficiency InGaN red mini-LED chip (mesa area: 100 × 200 µm²) with a peak wavelength of 629 nm and an external quantum efficiency of 7.4% is realized. Finally, a full-color nitride mini-LED display panel with 74.1% coverage of Rec.2020 color gamut by using the InGaN red mini-LED chips is fabricated. The study signifies the great potentials of full-nitrides high-resolution full-color mini/micro-LED displays.     

GaN基Micro-LED的外量子效率研究

基于氮化镓材料的微型发光二极管(micro-LED)已逐渐成为可见光通信和下一代显示器等许多光电器件的主要发光源。由非辐射复合和量子限制斯塔克效应(QCSE)引起的低外量子效率(EQE)是微型发光二极管应用开发过程中的主要瓶颈。文章讨论了微型发光二极管低EQE的成因,分析了其物理特性,并提出了改善其EQE的优化方法。     

基于AT89C51单片机构成的键盘显示电路

在一些智能化仪表中,人机接口通常是LED显示器和小型键盘。常见的工作方式有两种:一是直接使用系统中的CPU对显示器进行动态扫描和键盘检测;二是专用的显示、键盘芯片。但这两种方式存在着不能及时响应、价格较高等缺点。介绍了一种性价比高的显示/键盘电路的结构及工作原理。以ATMEL89C51系列单片机为核心构成的显示/键盘电路,他具有功能强、价格低廉等特点。     

基于Matlab的SPR等离子体显示器仿真的研究

研究了基于表面等离子体波共振效应的一种新型显示器——SPR显示器。表面等离子体波共振效应是指入射光的水平波矢与金属一电介质界面处表面等离子体波波矢相同时产生共振的现象，如果电介质的折射率是一个复数，改变折射率的实部会导致表面等离子体共振波长发生改变（可实现颜色的改变），共振强度不变，折射率越大，共振波长越长；改变折射率的虚部则会导致表面等离子体共振强度发生改变（可实现亮度的改变），共振波长不变，虚部越大衰减越严重。表面等离子体波显示器正是基于这一原理而实现了SPR显示。文章对此显示器的设计做了一定的构想，并采用了Matlab软件对SPR等离子体显示器的显示原理、颜色、亮度及多像素进行了仿真。     

基于单片机的LCD显示终端设计技术研究

随着我国社会经济的不断进步与发展,我国工业发展也取得了很大的进步,在工业环境中,工业生产使用传统的LCD显示技术已经过于落后,因此需要一种新型的技术即基于单片机的LCD显示终端,其硬件系统主要是微处理机、字库、临时缓冲区、通信电路、复位等组成,本文就基于单片机LCD显示终端的硬件与软件设计进行具体的分析,希望能为以后该方面的工作提供一些帮助。     

点阵式LCD在电磁阀检测仪中的应用

采用点阵式LCD作为电磁阀检测仪的显示终端,介绍了一种在C语言环境下,在液晶显示屏上实现多级嵌套菜单显示并通过键盘和单片机通信的简便方法。给出了一个结构紧凑、实用的程序模型,编写了实际中经常用到的一些程序,这些程序已在伟福E6000/L仿真器中编译通过,在实际的检测过程中能让LCD正确显示电磁阀检测仪采集的电压、电流、压降等实时数据,还能很好地嵌套显示电磁阀检测仪其他的一些相关信息,显示图像稳定、清晰。     

并五苯薄膜晶体管及其应用

有机薄膜晶体管(TFT)在数据存储、集成电路、传感器诸方面的广泛应用引起了人们极大的兴趣.在有机TFT的研究中,并五苯TFT占有很重要的地位.介绍了并五苯薄膜晶体管的结构、工作原理及其应用,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行了展望.