在I~2L结构中垂直NPN垂体管的墓区电阻效应

由求解垂直npn晶体管基区电阻的物理模型获得的微分方程得到横向基极电流和基—射结电压的表达式。理论和实验结果都证明一方面在收集极电流很大时单个收集极向上电流增益的减少是由于横向电压降所致,且高注入效应仅在电流增益小到无关紧要的情况下出现,另一方面电流增益相对于收集极电流的曲线表明横向电压降出现带有极值的拐点。距离注入极最近的收集极这种效应显著(甚至在几个同样的收集极情况下也是如此)。而且看出电流增益的减少和本征晶体管的电流增益几乎无关。     

能改进动圈表头对小电流测量的MOSFET

以前曾经有一个设计实例介绍了用动圈模拟表头测量小于1A电流的十分有趣和有用的方法（参考文献1）。这种设计在表头运转的灵敏度和测量范围选择方面有相当好的灵活性．并且简化了分流电阻器的选择工作。虽然该设计使用了一支双极晶体管来驱动电表，但在某些情况下，MOSFET管会是更好的选择。原始电路中用一个压控电流吸收器来测量双极晶体管的射极电流．而用晶体管的集电极电流驱动模拟表头。双极晶体管的射极和集电极电流（分别是IE和IC）并不相等．原因是射极电流中还包含有基极电流IR。     

应用叠加定理分析基本放大电路

基本放大电路是模拟电子技术中的重要内容。对基本放大电路的教学方法进行研究,提出了利用叠加定理分析基本放大电路。放大电路中晶体管工作于放大区时,在小信号条件下将晶体管线性化,放大电路近似为线性电路,运用叠加定理计算晶体管的各极电压和电流响应。这种教学方法能够使学生从总体上更好地理解和掌握基本放大电路分析。     

晶体管的串接使用

当晶体管的耐压BV_(oco)或额定功率不够大时,可以将两只或两只以上的晶体管串接使用.这里对如何选择这些串接晶体管的耐压和放大倍数β,以及如何在线路中设定其它的参数的问题作一简要的分析.(一)晶体管串接使用形式由图1可知,流过BG_1和BG_2的c极和e极的电流为I_0,流过R_1的电流为(I_0+I_(b1)),流过R_2的电流为I_0.(二)计算和分析设:AB之间最大电压为V_(AB)=200伏,BG_1和BG_2的β均为20,R_1=R_2=50千欧.     

近代广播传声器的基本原理和应用(下)

3.5 驻极体传声器极头直流极化电容传声器的晶体管放大器,可由一个低压直流电源供电。只有极头的极化,要求高的电动势(并无电流)。为了简化这种电压源,近年电容传声器常具有永久极化的驻极体薄型振膜。这种薄膜主要是聚四氟乙烯。要把它加工成驻极     

利用崩越收集极改进晶体管

研究了具有碰撞雪崩渡越时间收集极(以下简称IMPATT收集极)的晶体管式结构在工作特性上的改进。提议给这种器件命名为碰撞雪崩渡越时间晶体管(Impistor),简称崩越晶体管。在这种晶体管式结构中,对于结定的发射极条宽,崩越晶体管的工作频率可能比通常的晶体管要高5～10倍。     

1千兆赫20瓦静电感应晶体管

制作了一种在高频大功率下工作的静电感应晶体管(SIT)。对于大功率,设计能在高压和大电流下工作。对于高频工作,设计使在电极之间的电容和电阻减至最小。设计使SIT的有源区的电阻率和厚度最佳化,同时用自对准的方法制得了栅与栅之间9微米的精细图形,并用金作电极。得到了在1千兆赫下最大输出功率为24瓦、线性输出功率为20瓦、增益为4分贝、漏极效率为50％的静电感应晶体管。     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

钼的腐蚀

钼—金导体用在晶体管以及集成电路的相互布线中所用的钼-金双重导体,由于可靠性高,这一点逐渐被注意了。这种导体可通过高达10安/厘米~2的电流,并且具有把0.5微米或者在0.5微米以下的浅结,放到400℃中加热,不会有短路。而以往铝蒸发薄膜导     

硅双极型晶体管的直流电流特性

晶体管的电流放大系数h_(FE)要随集电极电流I_C发生变化。在小电流时,h_(FE)随I_c增加而增加;当I_c增加到一定数值时,h_(FE)基本保持不变。但是,当I_c超过某一临界电流数值以后,h_(FE)会快速下降,这种现象在低集电极电压时更为明显。 本文分析了决定硅双极型晶体管电流放大系数h_(FE)的各种因素,讨论了晶体管的大电流特性,并且分析了h_(FE)随I_c增加而下降的各种机理,给出了各种分析模型的数学表达式。