碳纳米管填充聚偏氟乙烯复合材料介电性能的研究

采用溶液法制备了镍包覆多壁碳纳米管(Ni-MWNTs)/聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料。对该复合材料的微观结构、结晶行为及介电性能进行了研究。结果显示,随Ni-MWNTs的加入,PVDF中的β相晶体质量分数逐渐增加。表明Ni-MWNTs作为成核点有利于PVDF中极性相的生成。介电性能测试表明,该复合材料具有较高的介电常数和介电损耗。较高的介电损耗使得这一类复合材料在作为电容器材料使用时有一定的局限,但也为吸波材料、高频热处理材料的研究提供了一些启发和思路。     

银/聚偏氟乙烯电介质复合材料性能研究

采用溶液共混法制备银(Ag)/聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料,研究了Ag粉体积分数及粒径对复合材料介电性能、击穿场强等的影响。结果表明,复合材料的介电常数随填料的体积分数的增加而增大,当Ag粉体积分数为17%时最佳,之后介电常数开始下降。在Ag粉体积含量相同条件下,添加小粒径Ag粉比大粒径Ag粉更有利于提高复合材料介电性能。X射线衍射分析结果表明,Ag在复合材料制备过程中无分解及氧化,适量填充Ag粉有助于复合材料击穿场强的提高。     

聚偏氟乙烯、水泥和导电填料复合材料的电性能

采用先干混接着双辊塑炼最后高温模压的方法，成功制备了聚偏氟乙烯(PVDF)、水泥和Ti3SiC2或石墨导电复合材料，测量了电导率，并借助扫描电镜表征了复合材料的微观结构。结果表明：聚偏氟乙烯、水泥和石墨填料复合材料比聚偏氟乙烯、水泥和Ti3SiC2填料复合材料的电导率要高，能满足其用于燃料电池双极板的要求，并具有一定的自增湿功能。     

聚偏氟乙烯/碳纳米管复合材料的制备及性能研究

通过溶剂蒸发成膜法制备了聚偏氟乙烯(PVDF)/含镍碳纳米管(Ni-MWNTs)复合材料。对该复合材料的微观结构、结晶行为及热性能进行了研究。结果显示,随MWNTs的加入,PVDF中的β相晶体含量逐渐增加,表明MWNTs作为成核点有利于PVDF中极性相的生成,为提高PVDF基复合材料的铁电性能提供了新的研究方法。     

聚偏氟乙烯/碳黑导电复合材料的电学性能

溶剂法制得的 PVDF/CB复合材料 ,表现出明显的 PTC和 NTC特性 ,被动退火和辐射交联可部分消除材料内应力和缺陷 ,使材料的电性能趋于稳定 ;充分交联可消除材料的 NTC效应     

聚吡咯/钛酸钡/聚偏氟乙烯复合材料的制备及性能

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,聚吡咯(PPy)和钛酸钡(barium titanate,BT)为填料,通过溶液共混法制备了不同PPy质量分数的PPy/BT/PVDF三相复合材料,并对复合材料的微观形貌、结构和介电性能进行表征和分析.结果表明,PPy和BT大多均匀分散在聚合物基体中,加入PPy对PVDF的结晶影响较小;...     

高介电聚偏氟乙烯/聚苯胺复合材料的制备及表征

采用溶液共混法制备了高介电聚偏氟乙烯/聚苯胺复合材料,并对复合材料的微观结构、热稳定性和介电性能进行了表征和分析。结果表明:聚苯胺(PANI)在聚偏氟乙烯(PVDF)基体中分散得比较均匀,当质量分数w(PANI)达到10%时,大部分还是独立分散于PVDF基体中,只形成了少量渗流簇;虽然在PVDF中加入PANI会使复合材料的热稳定性变差,但PANI的加入有利于提高复合材料的介电常数。当w(PANI)8%时,复合材料在103Hz时的介电常数随PANI的增加而小幅增加;当w(PANI)由8%提高到10%时,复合材料的介电常数由8%时的57.7突跃至10%时的1 140。对复合材料的介电损耗来说,当w(PANI)8%时,介电损耗较低,但当w(PANI)由8%提高到10%时,介电损耗从1.07增加至12.2。     

聚偏氟乙烯膜结构的研究

选用聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）为膜材料，聚乙二醇（ＰＥＧ）为添加剂，二甲基乙酰胺（ＤＭＡＣ）和Ｎ－甲基吡咯烷酮（ＮＭＰ）为溶剂，讨论了制膜液组成，凝胶浴及溶剂蒸发时间对膜孔道结构的影响．     

聚偏氟乙烯膜结构的研究

选用聚偏氟乙烯为膜材料，聚乙二醇为添加剂，二甲基乙酰胺和Ｎ－甲基吡咯烷酮为溶剂，讨论了制了制膜液悌主溶剂蒸发时间对膜孔道结构的影响。     

聚偏氟乙烯/聚丙烯腈共混膜的研究

ＰＶＤＦ（聚偏氟乙烯）／ＰＡＮ（聚丙烯腈）共混制膜可以有效地改善膜的透过性能,而截留基本不变．共混比的改变直接影响着铸膜液的相容性,而相容性的变化与共混膜的性能变化有一定相应关系．实验证明,这是一种改善ＰＶＤＦ膜性能简便有效的方法,具有极好的实用开发价值．文中还讨论了溶剂种类、聚合物浓度、添加剂种类及用量和凝固浴组成等工艺条件对共混膜性能的影响．     

聚偏氟乙烯膜的研究进展

聚偏氟乙烯具有优异的热稳定性、化学稳定性以及良好的韧性和成膜性,是应用最为广泛的高分子膜材料之一.针对膜改性技术应用的重要性,综述了目前聚偏氟乙烯膜的制备、改性及其应用进展.     

聚偏氟乙烯膜的研究进展

聚偏氟乙烯具有优异的热稳定性、化学稳定性以及良好的韧性和成膜性,是应用最为广泛的高分子膜材料之一。针对膜改性技术应用的重要性,综述了目前聚偏氟乙烯膜的制备、改性及其应用进展。     

聚氨酯/聚偏氟乙烯共混膜界面微孔研究

采用Loeb-Sourirajan相转化法成膜技术制备了聚氨酯/聚偏氟乙烯（PU/PVDF）共混膜,运用Scott方程对不同质量比的PU/PVDF共混物相容性进行预测,并利用膜性能测试仪、扫描电子显微镜研究了共混物组成对共混膜界面微孔形成的影响以及共混膜界面微孔水通量随工作压力的变化情况.     

聚偏氟乙烯共混膜的制备研究

以聚砜作为第二种聚合物组分,选择溶液共混法对聚偏氟乙烯超滤膜进行了亲水化改性,并对膜的纯水通量、孔隙率、截留率等进行了测试分析.     

rGO-pCi/PVDF复合材料的介电性能研究

采用化学修饰法制备对氯苯基异氰酸酯包覆还原石墨烯(rGO-pCi),研究了rGO-pCi其在聚偏氟乙烯(PVDF)基体中的分散性以及其含量对rGO-pCi/PVDF复合材料介电性能的影响。高分辨率透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(SEM)分析结果表明,修饰后的石墨烯褶皱结构消失,其在聚合物基体中均匀分散,并与聚合物具有良好的相容性。介电性能测试结果表明,当rGO-pCi体积含量为0.35%时,复合薄膜的介电常数比纯PVDF提高近一个数量级,介电损耗仍然保持在较低水平,同时rGO-pCi的添加不影响薄膜良好的柔韧性。     

CNFs/EVA复合材料的介电性能

将表面金属化的纳米碳纤维(CNFs)与乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)在平行磁场作用下进行复合,压片制得厚度为0.4 mm的薄膜样品。所得产品利用扫描电镜(SEM)进行表征,观察到薄膜的脆断面上存在大量的纳米碳纤维末端,证明CNFs在EVA中取向分布。对薄膜样品进行介电谱性能测试,结果表明,CNFs/EVA取向复合材料在高频电场环境中的介质损耗因数降低,且取向复合材料的介质损耗因数与掺杂CNFs质量分数有关,在较高掺杂量时,高频电场环境下的介质损耗因数降低。     

聚偏氟乙烯／聚丙烯腈共混膜的研究

ＰＶＤＦ（聚偏氟乙烯）／ＰＡＮ（聚丙烯腈）共混制膜可以有效地改善膜的透过性能,而截留基本不变,共混比的改变直接影响着铸膜液的相容性,而相容性的变化与共混膜的性能变化有一定相应关系,实验证明,这是一种改善ＰＶＤＦ膜性能简便有效的方法,具有极好的实用开发价值。文中还讨论了溶剂种类,聚合物浓度,添加剂种类及用量和凝固浴组成等工艺条件对共混膜性能的影响。     

聚偏氟乙烯中空纤维膜的改性研究

采用化学接枝方法对聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜进行亲水改性，采用红外光谱、X射线光电子能谱和扫描电子显微镜等对接枝层进行测试、表征，实验结果表明，PVDF中空纤维膜与2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸发生了接枝反应，接枝物可有效提高PVDF中空纤维膜的亲水性；改性后PVDF中空纤维膜含水率提高至112．3％；pH值和溶液离子浓度对改性的PVDF中空纤维膜的通量有较为明显的影响。