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晶体结构对化合物电学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现象,新性质和新材料,如氧化物高温超导体,稀土半导体,稀土巨磁阻材料等.这些都是电子(空穴)导电的实际应用.而由于新能源探索需适应保护环境的需要,传统的氧离子和质子导体成了人们的首选研究对象,以开发它们在燃料电池、氧分离膜,催化等方面的实际应用.由于不等价置换,价态变化及氧离子具有大的双电荷与阳离子基体的强相互作用及高迁移率,使得大多数的研究工作集中于化合物的结构畸变分析及精化,试图发现新的结构相或者新的电学材料. 相似文献
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以Cu_2S和Cu_2Se为代表的Cu基快离子导体热电化合物因性能优越、无毒环保、成本低廉等优点,在热电领域获得了极大的关注。为使Cu基快离子导体热电材料的实际应用变为可行,限制Cu离子的迁移且保持材料的良好热电性能是必不可少的。本文总结了几种有代表性的铜基快离子导体热电化合物的基本特性、结构、性能和制备方法,介绍了这些材料体系最新的研究成果和进展。同时针对Cu离子扩散问题,概述了几种能有效地提高快离子导体热电材料稳定性的方法。 相似文献
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为研究Cu掺入对SnO_2性能的影响,本文采用密度泛函理论和平面波赝势法,建立了未掺杂SnO_2和不同比例Cu掺杂的SnO_2晶胞模型,对Sn_(1-x)Cu_xO_2(x=0、0.083、0.125、0.167、0.25、0.5)超晶胞体系进行优化计算、能量计算和弹性模量计算,得到晶格常数、弹性模量、电荷分布、能带结构和态密度图.研究表明:掺杂能够使得材料的弹性模量大幅减小,对应的硬化函数值降低,易于材料加工;在电性质方面,掺杂后,材料均属于直接带隙半导体材料.当x0.25时,由于掺杂浓度过高使得晶格发生畸变,电性质与未掺杂情况类似;当x0.25时,随着掺杂浓度的降低,导带收缩加剧,局域性增强,禁带宽度变窄,使得电子从价带受激跃迁所需能量降低,故掺杂后材料表现出半金属性,导电性增强. 相似文献
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热电材料利用Seebeck与Peltier效应可以实现热能和电能的相互转化,是颇具潜力的新型功能材料.本文聚焦四元硫属化合物Cu2B^ⅡC^ⅣSe4(其中, B位为Zn, Cd, Mn, Hg, C位为Si, Ge, Sn)的热电性能.此类材料具有复杂的晶格结构,导致其具有较低的晶格热导率,是一类具有本征低热导的热电材料.本文系统地总结了各类优化四元硫属化合物电学及热学的方法.首先,非化学计量法、元素掺杂和η=1定理用于改善其电学性能.然后,纳米结构工程可用于进一步降低其热导率.最后,基于文中的论述,我们提出通过多种实验方法的结合使用,协同调控四元硫属化合物的电、热性能,以期进一步提高其热电性能. 相似文献
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以Ni作为添加元素,利用放电等离子技术制备了NixCo4-xSb12(x=0-0.35)化合物热电材料.通过先进的性能表征手段,深入探讨了NixCo4-xSb12化合物的热电性能,为n型热电材料的研究提供了有价值的参考.实验结果表明,一定量Ni的添加,能有效改善材料热电性能,提高热电优值;在Ni添加量x=0.2时,Ni0.2Co3.8Sb12化合物在温度T=773K时具有最大的热电性能优值ZTmax=0.45. 相似文献
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综述了近年来太阳能电池材料Cu-In-Se的研究现状,对CuInSe2薄膜的制备,薄膜的光学性质,电学性质及现状等几个方面作了介绍。 相似文献
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N型La0.9NixCo4-xSb12化合物的制备及热电性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了N型La0.9NixCo4-xSb12(x=0.05-1.0)化合物热电材料.借助于先进的结构和性能表征手段,系统研究了Ni含量对化合物热电性能的影响规律.实验结果表明,随着Ni含量增加,La0.9NixCo4-xSb12化合物的电阻率和Seebeck系数减小.当Ni含量x<0.6时,化合物的热导率随Ni含量增大而降低,说明加入一定量的Ni能很好地降低材料的热导率.N型La0.9Ni0.4Co3.6Sb12化合物在温度773K时具有最大的热电性能优值(ZT)0.4558. 相似文献
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为改进铜基复合材料的力学和电学性能,向铜基体分别加入0.2%、0.3%、0.4%(质量分数)的石墨烯,充分混合后,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了石墨烯/铜(G/Cu)复合材料。通过扫描电镜(SEM)、拉曼(Raman)光谱和XRD等表征了复合材料微观结构,测试了其硬度、屈服强度、抗压强度和导电率等性能,以确定石墨烯在铜基体中的合适掺杂量。结果表明:随着石墨烯含量的降低,其力电性能显著提高。当石墨烯质量分数为0.2%时,G/Cu复合材料的综合性能(力学及电学性能)达到最好匹配,实现了铜基材料的高强度、高导电性:其抗压强度和屈服强度分别为557.23 MPa和256 MPa,相对于用SPS方法制备的纯铜分别提高了59.21%和70.7%;电导率为52.3 MS/m,其IACS高达91.8%。 相似文献
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锰硅化合物的制备及塞贝克效应 总被引:1,自引:0,他引:1
过渡金属高锰硅化合物MnSi1.7作为半导体和难熔金属硅化物,具有热电应用的前景.尽管对Mn-Si1.7热电材料的研究已进行多年,但若要实现商业化应用,在制备和性能优化等方面还有很多问题需要解决.本文利用高温烧结的方法,在氮气氛保护下成功地制备出了锰硅块材化合物,研究了样品中所含的相结构及其所占比例(特别是MnSi1.7相)与烧结温度、保温时间的关系及它们对热电性能的影响.实验发现,Mn-Si1.7相所占的比例随着烧结温度的升高和保温时间的增加而增加,但材料的塞贝克系数在增大到某一饱和值后就不再增加了. 相似文献