添加剂对(Zr,Sn)TiO4系统高频陶瓷介电性能的影响

用一般的电子陶瓷工艺在中温(1150℃)烧结条件下制备了(Zr,Sn)TiO4系统多层陶瓷电容器(MLCC)用高频陶瓷材料.通过向系统中加入CuO,ZnO,BaCO3,SrCO3和G(玻璃)等添加剂,达到了降低烧成温度并提高介电性能的效果.研究了各添加剂对系统介电性能的影响.制得的陶瓷材料具有优异的介电性能:在1MHz下,ε≈38,Q=1/tan δ≥104,ρV≥1011Ω·m,αC=(0±30)×10-6·℃-1.     

复合添加剂对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介质材料介电性能的影响

讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,用X射线衍射仪对其进行物相分析。研究结果表明,当G2玻璃的添加量等于2%时,得到了介质损耗tgδ最小、烧成温度为1320℃的材料,有望用作微波陶瓷。     

(Zr,Sn)TiO_4薄膜的制备及电性能研究进展

从对薄膜材料不断增长的性能要求出发,介绍了(Zr, Sn)TiO_4薄膜的晶体结构特征,主要阐述了其已有的制备工艺及电性能的研究进展.提出(Zr, Sn)TiO_4薄膜的制备方法将得到拓展和改进,指出了其今后的研究方向.     

添加Sb2O5,ZnO和玻璃对(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷高频介电性能的影响

用氧化物混合方法制备了主晶相为(Zr0.7Sn0.3)TiO4的高频陶瓷材料.添加Sb2O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗.添加0.5%Sb2O5(摩尔分数),1.5%ZnO(质量分数)和3.0%玻璃(质量分数)的陶瓷组成在1 150℃烧结,在测试频率l MHz下的介电性能为:介电常数ε≈38,损耗角正切tanδ＝0.6×10-4,介电常数温度系数αe＝0±30×10-6/℃,体电阻率pv≥1013Ω.cm.用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor,MLCC).     

(Zr,Sn)TiO4系微波介质陶瓷的掺杂改性研究现状

(Zr,Sn)TiO4系微波介质陶瓷因具有适中的介电常数εr,较高的品质因数Q和近零的谐振频率温度系数,r r,被广泛的用于制造谐振器、滤波器等微波元器件.本文综述了不同添加剂对(Zr,Sn)TiO4的掺杂改性机理,并指出了其研究方向.     

(Zr,Sn)TiO4系微波介质陶瓷的研究进展

本文从晶体结构、固溶体性质、组成改性、制备、性能等方面对(Zr,Sn)TiO4系微波陶瓷的发展现状进行了详细介绍,并指出了研究和应用前景。     

硼铅锌系玻璃对细晶BaTiO3基陶瓷系统介电性能影响的研究

研究了硼铅锌系玻璃对细晶BaTiO     

毫米波烧结对纯钛酸钡陶瓷介电性能的影响

利用34.5GHz回旋管毫米波烧结和常规烧结分别制备了纯钛酸钡陶瓷材料，分析和比较了2种烧结方法制备的纯钛酸钡陶瓷材料的介电性能，讨论了毫米波烧结对纯钛酸钡陶瓷材料显微组织和介电性能的影响。结果表明：与常规烧结相比，毫米波烧结过程具有更高的固态扩散速率,毫米波烧结陶瓷样品中出现晶粒异常长大的烧结温度更低；毫米波烧结能够显著降低烧结温度；960℃烧结15min的毫米波烧结样品的相对密度为96.6％，而经960℃常规烧结60min的样品的相对密度仅为54.8％。900℃毫米波烧结15min的样品与1220℃常规烧结15min样品的相对密度相近(分别为88.7％和89.6％)，而前者的介电常数(4224)远高于后者(3655)。     

CaO掺杂对BaTiO3陶瓷结构及介电性能的影响

采用新型溶胶-凝胶制粉技术和传统陶瓷工艺相结合的方法,制备了(Ba1-xCax)TiO3(x=0～0.16)陶瓷,并对陶瓷晶相特征及其介电、压电性能进行了研究。结果表明,经1250℃烧结的陶瓷由单一晶相组成,晶体具有钙钛矿结构。其介电、压电特征受CaO加入量的影响显著。当x≤0.1时,陶瓷的介电常数随CaO加入量的增加而增大,并表现出弛豫铁电体的特征,其居里点与纯BaTiO3陶瓷相差不大。当x>0.1时,陶瓷的介电常数随CaO的增加而减小,其铁电性能弱化,但介电损耗较小,介电温度稳定性较好。     

添加剂对MgTiO3系统陶瓷介电性能的影响

用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷.MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系.调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εr.研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响.硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用.     

低温烧结微波介质陶瓷（1－x）Ba3（VO4）2-xLi2 MoO4的微波性能研究

采用固相反应制备了（1－x）Ba3（VO4）2-xLi2MoO4微波介质陶瓷,研究了掺入不同质量比的Li2MoO4对Ba3（VO4）2的微观结构和微波介质性能影响,X线衍射（XRD）测试结果表明,Ba3（VO4）2和Li2MoO4二者兼容性良好,无第二相产生。添加具有低熔点及相反（负）频率温度系数的Li2 MoO4能有效降低Ba3（ VO4）2的烧结温度,并随着添加剂Li2 MoO4的增加,此复合陶瓷的相对体密度、介电常数εr 和品质因数Q ×f呈现出先增加随后又降低的趋势,而谐振频率里面温度系数τf逐渐降低。当烧结温度为660℃且添加量30wt％Li2 MoO4的复合微波介质陶瓷获得了最佳的微波介电性能：εr ＝11．99, Q ×f＝39700 GHz,τf ＝－24 ppm／℃。     

(Mg4-xLi2x)(Nb1.92V0.08)O9陶瓷微波介电性能

采用固相合成法制备了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9系列微波介质陶瓷。通过XRD、SEM以及HP网络分析仪等测试手段对其烧结特性、晶体结构和微波介电性能进行了系统研究。结果表明:x<0.3时形成了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9固溶体;x≥0.3时,除主相(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9外,还有少量第二相Li3Mg2NbO6生成。微波介电常数ε随x的增大持续升高,品质因数Q则先增大后减小。x=0.2,950℃,5h烧结样品的微波介电性能达到最佳:ε=12.7,Q.f=14078GHz(f0=8GHz)。     

(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.90Zr0.06Sn0.04)O3-Fe2O3无铅压电陶瓷的性能研究

采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15) (Ti0.90Zr0.06Sn0.04)O3-xmol％Fe2O3(简写为BCTZS-xFe)无铅压电陶瓷.研究了不同掺杂量对该陶瓷的显微结构、介电、铁电及压电性能的影响.结果表明,所有样品均具有单一的钙钛矿结构,少量掺杂能使晶粒长大,提高电性能.在x=0.025时,具有最佳的综合电性能,压电常数d33 =515 pC/N,机电耦合系数kp=48.2％,机械品质因数Qm =182,2Pr=18.2 μC/cm2,2Ec =4.3 kV/cm,介电常数εr=5175.     

掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究

研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ＜1.5×10-3.     

Microstructure Development and Dielectric Properties of Potassium Strontium Niobate Ceramics

Sintering of a KSr₂Nb₅O₁₅ powder compact at 1350°C resulted in a duplex structure. Prefiring of the compact between 1200° and 1300°C inhibited the abnormal grain growth responsible for the duplex structure. The Curie temperature and dielectric constant were dependent on the microstructure.     

制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响

BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料.在BNT中添加一定量的Bi2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-Bi2O3 -TiO2)陶瓷.该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响.结果表明:当球磨时间为10 h、烧结温度为1160 ℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm/℃.