首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
氧化锌压敏材料研究与发展进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文简要回顾了ZnO压敏陶瓷的历史,阐述了ZnO压敏陶瓷的特点以及当前ZnO压敏陶瓷基础性研究的现状,最后对其进展进行了展望。  相似文献   

2.
ZnO:Zn光致发光陶瓷釉的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
张宏泉  董兵海 《陶瓷》1998,(3):27-29,46
详细研究了发绿光的ZnO:Zn光致发光陶瓷釉的制备工艺过程及其ZnO:Zn荧光粉,基础釉的制备方法,用能带理论,能级跃迁阐明了ZnO:Zn荧光粉的发光机理,并利用现代化测试了手段,研究了ZnO:Zn发光陶次釉的结构。  相似文献   

3.
ZnO晶须用作泡沫硅橡胶增强体应用研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文叙述了ZnO晶须在泡沫硅橡胶研制过程中作为增强剂,并在实验基础上研究了ZnO晶须的添加量,表面预处理和蔼对其补强效果的影响,初步搪塞了其微观补强机理。  相似文献   

4.
ZnO晶须用作泡沫硅橡胶增强体应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文叙述了ZnO晶须在泡沫硅橡胶研制过程中作为增强剂,并在实验基础上研究了ZnO晶须的添加量、表面预处理程度对其补强效果的影响,初步探讨了其微观补强机理  相似文献   

5.
共掺ZnO提高LiNbO3晶体中Ho3+分凝系数的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在Ho:LiNbO3中掺入摩尔分数为6%和ZnO,生长(Ho,ZnO):LiNbO3晶体。用电感硝等离子体发射光谱(ICP-AES)法,测定了晶体不同部位Ho^3+的浓度,并计算其分凝系数,共掺ZnO后,晶体中Ho^3+的分凝系数为0.3提高到0.6,表明Ho^3+在晶体中分布更为均匀。对双掺Ho和Zn的LiNbO3晶体组分均匀性提高的机理进行了探讨。  相似文献   

6.
以ZnSO4·7H2O和Na2CO3为原料,采用化学法合成了ZnO超微粉末。应用X射线粉末衍射法(XRD)测定了合成ZnO的几组晶面的衍射峰形,经数据处理得到ZnO超微粉末的平均晶粒度和晶格畸变率的定量分析结果。实验结果表明,化学法合成的ZnO超微粉末的晶粒度范围在20nm~35nm之间。  相似文献   

7.
张金辉  储刚 《沈阳化工》1997,(1):28-30,59
以ZnSO4·7H2O和Na2CO3为原料,采用化学法合成了ZnO超微粉末。应用X射线粉末衍射法(XRD)测定了合成ZnO的几组晶面的衍射峰形,经数据处理得到ZnO超微粉末的平均晶粒度和晶格畸变率的定量分析结果。实验结果表明,化学法合成的ZnO超微粉末的晶粒度范围在20nm ̄35nm之间。  相似文献   

8.
涂敷型铬酸盐钝化膜的结构与耐蚀性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用SRD,EDXA,GDS等方法研究了镀锌钢板表面涂敷型CrO3-H3PO4-SiO2系钝化膜的成分与结构。该钝化膜是一种由CrO3,Cr(OH)3,CrOOH,ZnCrO4,ZnSiO3,Zn3(PO4)2,CrPO4和SiO2组成的凝胶网络状结构的涂敷型复合转化膜。探讨了其耐蚀机理,中性盐雾试验表明:该钝化膜的耐蚀性大大优于CrO3-SiO2系钝化膜。  相似文献   

9.
中温烧结MgO—TiO2—ZnO系陶瓷结构和性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文在研究中温烧结MgO-TiO-ZnO系陶瓷基础上,获得了温度系数接近于零的瓷料(NPO)。XRD证明其主晶相为正钛酸镁(2MgO.TiO2)还有正钛酸锌(2ZnO.TiO2)和CaTiO3附加晶相,同时研究了各组分的不同含量对介电性能的影响。  相似文献   

10.
前景广阔的锌基高温脱硫剂   总被引:2,自引:0,他引:2  
李芳  李文怀 《煤化工》1997,(4):34-38
本文详述了以氧化锌为主的锌基高温脱硫剂(包括ZnO、ZnFe2O4、Zn2TiO4等),并介绍了各国在新型发电技术方面应用锌基脱硫剂的状况及我国在这方面的发展状况。  相似文献   

11.
阎东文 《化学世界》1998,39(10):515-517
普通型锌-锰电池中的电解液由水、氯化锌和氯化铵组成,用ZnO调节其酸度。ZnO用量一直根据经验或实际情况添加。对ZnO的用量进行了理论计算,并通过实验找到了最低限量,降低了成本,具有一定的社会效益和经济效益。  相似文献   

12.
陈建勋  赵瑞荣 《陶瓷工程》1997,31(6):34-38,41
近20年来,有关ZnO压敏陶瓷研究方面的报道很多,本文从ZnO压敏陶瓷的导电机理及掺杂氧化物的作用方面进行了综合评述。  相似文献   

13.
分析了实际生产中对ZnO压敏电阻器的漏电流爬坡产生影响的主要因素,提出了解决漏电流爬坡的措施,为ZnO压敏电阻器的生产提供了一定的理论依据。  相似文献   

14.
对ZnOB2O3SiO2三元系统进行了XRD和介电性能研究,提出系统的主晶相为方石英,另外还存在Zn2SiO4相。Zn2SiO4的ε为7.7,tgδ≤5×10-4,αC(介电常数温度变化率)为+90×10-5/℃。调整各组分,获得一系列αC>0的超低介电常数的介质陶瓷,其中介电性能为:ε≤5,Ri≥1013Ω,αC=0±30×10-5/℃的组分,其烧结温度为1140℃,可用来制造高频低介热稳定多层陶瓷电容器  相似文献   

15.
掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及电性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
探讨了多种金属氧化物对ZnO-Bi2O3-TiO2系材料的改性作用和对其显微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。  相似文献   

16.
ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
吴霞宛  尹萍 《硅酸盐学报》1996,24(5):590-593
对ZnO-B2O3-SiO2三元系统进行了XRD和介电性能研究,提出系统的主晶相为方石英,另外还存在Zn2SiO4相。Zn2SiO4的ε为7.7,tgδ≤5×10^-4,αc(介电常数温度变化率)为+90×10^-5/℃。调整各组分,获得一系列αc〉0的超低介电常数的介质陶瓷,其中介电性能为:ε≤5,Ri≥10^13Ω,αc=0±30×10^-5/℃的组分,其烧结温度为1140℃,可用来制造高频低  相似文献   

17.
李华 《塑料开发》1997,23(1):662-663
本文介绍了MgO与ZnO经复合后用作PVC的稳定剂和阻燃消烟剂的国内外研究情况,其应用体现出明显的优点。  相似文献   

18.
本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理。测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD,SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化。研究结果表明,退火过程中Ti^4+离子取代Zn^2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能。  相似文献   

19.
金鑫 《磁记录材料》1995,13(4):11-12,10
在用碱法制备α-FeOOH,进而合成γ-Fe2O3磁粉的过程中,经常加入Zn^2+离子以改善磁粉粒的针形,但因Zn^2+离子的电荷少于Fe^3+离子,因而能使α-FeOOH晶体产生缺陷,最终影响磁粉的性能,本文通过在制备α-FeOOH过程中掺入杂质Mn^2+的方法,探讨消除α-FeOOH晶体缺陷,提高其表观密度,改善磁粉性能。  相似文献   

20.
无水洗电镀锌钢板表面黑变现象探讨   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用SEM、EDX、XRD有XPS等技术研究了无水性电镀锌钢板表面黑变膜形貌、组成与结构,并对黑变的原因进行了讨论。结果表明:黑变膜厚度约为70nm,它由ZnO、Zn(OH)2、Zn5(CO3)2(OH)6或3Zn(OH)2·ZnCO3·H2O及微量Pbo组成,但膜表层的Zn是以ZnO形态存在,而膜内层则以非化学计量化合物ZnO1-x形态存在。黑变的原因主要是由于锌的阳极活性溶解作用和杂质Pb及其  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号