CVD法SiC纤维的表面形貌及断口特征

使用ＳＥＭ研究了ＣＶＤ法ＳｉＣ纤维的表面形貌及纤维的断口特征。研究结果表明，高强度纤维表面光滑，晶粒大小均匀，结构致密，而低强度低表面粗糙，晶粒大小不一，结构疏松。ＳｉＣ纤维断口主要表现在表面缺处，在有杂质或内部缺陷的地方，在芯壳交界处以及钨芯内部。高强度纤维断裂经常起源于钨芯部位；而低强度纤维断裂与各种各样的纤维缺陷有关。     

高性能 CVD 法 SiC 纤维的研制

使用射频加热ＣＶＤ新工艺制备出带有碳表面涂层的高性能ＳｉＣ（Ｗ芯）纤维;同时使用电化学方法对ＳｉＣ纤维进行表面处理,制备出带有ＳｉＯ２表面涂层的高性能ＳｉＣ（Ｗ芯）纤维。其力学性能均达到国际先进水平。以上ＳｉＣ（Ｗ芯）纤维与金属基体,如铝、钛合金等,以及树脂基体界面相容性良好;ＳｉＣ（Ｗ芯）纤维／树脂基复合材料并具有明显的吸收电磁波的性能。     

SiC（CVD）／Al复合材料界面剪切强度的测试

本文利用声发射技术，成功地测出ＳｉＣ（ＣＶＤ）单纤维增强Ａｌ基复合材料在拉伸过程中纤维的平均断裂长度，并由萃取纤维的方法加以验证。再用微观力学模型，计算出纤维与基体之间的界面剪切强度。     

碳化硅纤维的生产及市场

１碳化硅连续纤维碳化硅连续纤维（ＳｉＣ）与其他陶瓷类纤维相同，具有高耐热性和优异的耐腐蚀性。碳化硅连续纤维依制备方法可分为：①以金属丝和碳纤维（ＣＦ）为芯材，在其表面蒸镀ＳｉＣ的ＣＶＤ法纤维；②高分子材料为主要原料的前体法纤维。两者最大的区别在于纤维...     

用电化学表面处理方法制备高强度SiC纤维

采用电化学方法表面处理用ＣＶＤ法制备的高强度ＳｉＯ纤维。研究了ＳｉＣ纤维的阳极极化曲线,提出了新的阳极反应机制。吸附在阳极表面的ＯＨ＾－离子通过前置反应生成中间产物Ｏ＾－,这个中间产物破坏Ｃ原子与Ｓｉ之间的化学键,形成Ｓｉ－Ｏ键后再相互连接构成表面膜。如果反应时间过长,则一些表面的Ｓｉ原子与基体上的碳原子Ｃｂ之间的化学键会被破坏,表面层会因膨胀而脱落。     

高频CVD法制备SiC纤维通过技术鉴定

高频ＣＶＤ法制备ＳｉＣ纤维通过技术鉴定一九九五年十月十八日由山西省科委主持在太原召开了由中国科学院山西煤炭化学研究所完成的“高频ＣＶＤ法制备ＳｉＣ纤维工艺”技术成果鉴定会。来自高等院校、科研单位和生产部门的专家和代表对研究单位提供的技术资料进行了认真...     

聚碳硅烷／二乙烯基苯的高温裂解

采用ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）／二乙烯基苯（ＤＶＢ）的高温裂解行为及其裂解产物的结构与性能。结果表明，ＰＣＳ／ＤＶＢ的裂解过程可分成５个阶段，其裂解产物主要由ＳｉＣ、ＳｉＯ２和Ｓｉ－Ｏ－Ｃ非晶网络及游离Ｃ组成，其中游离Ｃ的含量随ＤＶＢ的增加而增加，且对β－ＳｉＣ的结晶有一定的抑制作用，裂解产物的形貌为不发泡的致密结构。     

SiC纤维增强Ti基复合材料的组织

采用真空热压扩散结合工艺制备出ＳｉＣｆ／Ｔｉ－１５－３复合板材，研究制备工艺，ＳｉＣｆ，基体合金特性，复合材料的显微组织及界面特征，结果表明，合适条件下国产射频加热ＣＶＤ法制备的ＳｉＣｆ与Ｔｉ－１５－３基体具有较好的相容性，界面结合良好，在拉伸条件下ＳｉＣｆ有从基体拔出的倾向，纤维具有脆性解理断口特 ，Ｔｉ－１５－３基体具有塑性断口特征。     

CVD SiC纤维的制备,结构及性能

ＣＶＤＳｉＣ纤维的制备、结构及性能郑敏，张蓬洲（中科院山西煤炭化学研究所０３０００１）０前言在碳纤维或金属Ｗ丝上涂覆碳化硅而制成的碳化硅纤维是近十年来出现的一种新型材料，它一出现就引起了人们广泛的重视。涂层后ＳｉＣ纤维因其具有大于３０００ＭＰａ的抗拉...     

含硼Si—N—C纤维的高温结构组成研究

研究了含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维的组成、结构及其在高温环境下的变化。ＩＲ、ＸＰＳ、ＥＡ、ＳＲＤ、ＳＥＭ等分析结果表明，１２５０℃烧成的含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维由Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ几种元素组成，呈无定形结构；经１８００℃高温处理后纤维的主要结构变为α－ＳｉＣ。在高温环境下，Ｂ始终以Ｂ－Ｎ键形式稳定存在，与Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维比较，含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维表面光滑，晶粒尺寸小，表明硼的引入可以有效改善纤维高温下的微观     

Ti3SiC2晶粒生成模型

提出了关于Ｔｉ３ＳｉＣ２晶粒生长的模型。在Ｔｉｓ３ＳｉＣ２晶粒的生长中，Ｔｉ６Ｃ八面体可以作为一个独立的生长单元，Ｔｉ６Ｃ八面体的联接方式（如共面，共梭、共顶）将会对Ｔｉ３ＳｉＣ２的生长形貌和生长行为产生很大的影响。这个模型可以解释有关Ｔｉ３ＳｉＣ２生长形貌的许多现象，如在使用ＣＶＤ法制备Ｔｉ３ＳｉＣ２时出现的｛１１２＾－０｝织构。     

分布子电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

介绍了一种采用ＤＥＣＲ等离子体在低温下制备高质量ＳｉＯ２薄膜的ＰＥＣＶＤ工艺。讨论了ＤＥＣＲＰＥＣＶＤ工艺中气相Ｏ／Ｓｉ原子比以及沉积速率对ＳｉＯ２薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析，椭扁仪，化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀ＳｉＯ２薄膜的各种理化特性地分析和研究。     

CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构分析

在较低温度下，采用ＣＶＤ法制备出了β－ＳｉＣ薄膜，薄膜的厚度随反应时间具有线性增加的关系。通过对在不同条件下制备样品的显微结构和气孔大小分布的分析，发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量，而且可以降低大气孔的数量，从而形成密实结构。因此认为，在低温条件下，ＳｉＣ的生长机制是一处受化学反应速度控制的过程，其中包括过饱和、凝聚、融合等过程，大气孔主要是由于反应速度过慢而形成的。另外，随着反应时间的增加，ＣＶＤ过程实际上变成了一个等温的ＣＶＩ过程，ＳｉＣ颗粒的扩散填充是造成薄膜中的大气孔减少的主要原因。     

碳化硅纤维增强铝基复合材料的界面组织研究EI

本文利用透射电子显微术（ＴＥＭ）和微区能谱分析（ＥＤＸ）对化学气相沉积碳化硅纤维增强ＬＤ２铝合金的界面结构进行了研究，并对显微组织与性能的关系进行了讨论。结果发现，用热压扩散工艺生产的ＳｉＣ／Ａｌ复合材料，其基体与ＳｉＣ纤维结合良好。界面处有棒状相Ａｌ＿４Ｃ＿３生成（该相是菱形结构，对纤维强度有较大破坏作用），且存在镁元素富集。     

CF连续涂覆SiC／AlN

设计并组装了用于溶液浸渍渍烧成工艺的连续涂覆装置；用所制备聚合物先驱体溶液，以６ｍ．ｍｉｎ＾－１的运行速度在碳纤维表面实施连续涂覆ＳｉＣ／ＡｌＮ涂层；比较了涂层纤维与纤维的性能。结果表明，涂层不影响纤维的柔顺可编程性和力学强度，但使纤维的抗热氧化性及其与铝的复合丝的拉伸强度均有较大提高。     

旋转CVI制备C/SiC复合材料

旋转 ＣＶＩ是在 ＣＶＩ原理基础上发展的一种制备 Ｃ／ＳｉＣ复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转,使预制体的制备与基体的沉积同步进行,能有效消除一般ＣＶＩ工艺过程中存在的“瓶颈”效应．在自制的旋转 ＣＶＩ设备上实验,探索了旋转 ＣＶＩ工艺参数中 ＣＨ_３ＳｉＣｌ_３（ＭＴＳ）的流量与浓度、沉积温度和Ｃ布缠绕线速度对ＳｉＣ基体沉积速度,以及沉积温度对基体结构的影响．并在低压（５ｋＰａ）、高温 （１１００℃）、 ４００ ｍＬ·ｍｉｎ^－１ Ｈ_２、 ２００ ｍＬ·ｍｉｎ^－１Ａｒ、 ＭＴＳ４０℃与Ｃ布以１．１～３．５ｍｍ·ｍｉｎ^－１的线速度连续旋转的沉积条件下,实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及Ｃ布层间宏观孔隙的致密化同步完成．     

新型硅氮烷先驱体的合成和表征

采用ＭｅＳｉＨＣｌ２和ＭｅＳｉＶｉＣｌ２共氨解方法制备出了流动性好的含Ｓｉ－Ｈ和Ｓｉ－Ｖｉ的低分子硅氮烷。结果表明，Ｈ２ＨｔＣｌ６（脱水）和ＤＣＰ是合适的硅氢化交联催化剂和双键交联的引发剂，交联产物在程序控温的管式炉中裂解，得到了高的陶瓷产率。     

ECR—PECVD制备Si3N4硬质陶瓷薄膜的研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ）技术制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜。利用显微硬度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对ＳｉＮ４薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小，该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。     

国产稻壳BP－SiCw的生长机理研究

以稻壳为原料的国产ＢＰ－ＳｉＣｗ的生长机理为一维的ＶＬＳ生长。ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径变化规律遵守晶体一维ＶＬＤ生长的直径变化规律。即：炉子加热功率的波动越大，晶须表面的粗糙现象越严重。保护气的热容量越大，和炉体进行的热交换量越多，生产出的ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径也越粗。氢气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ表面光洁度优于氩气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ产品。     

含活性基团硅氮烷先驱体的裂解

用ＴＧ－ＧＣ，ＩＲ，元素分析，ＸＲＤ研究ＭｅＳｉＨＣｌ２与ＭｅＳｉＶｉ（Ｖｉ：－ＣＨ＝ＣＨ２）Ｃｌ２共氨解产物的裂解过程。