2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

正为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围包括:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;     

2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用;⑤宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。     

2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

正为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用;⑤宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。     

2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

<正>电力电子器件是电力电子技术的核心,其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步,人类的电力使用与电力电子器件的关系越来越密切,对它的开发与使用逐渐成为人类实现节能减排目标的重要手段之一。电力电子器件的性能优劣将直接影响到电能的利用效率。目前常用的Si基电力电子器件经过几十年的发展已经逐渐接近了材料本身的理论极限。为从根本上解决这一问题,发展有更高的功率密度输出、更高的能量转换效     

2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。欲投稿作者请于2017年5月31日前将论文发至本刊编辑部邮箱(Email:dldzjstg@163.com),并注明"宽禁带半导体电力电子器件"字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于     

2020年第10期“宽禁带电力电子器件的应用基础”专辑征文启事

正为了更好地推进"宽禁带电力电子器件、封装与应用"相关技术的研究,本刊拟将2020年第10期辟为"宽禁带电力电子器件的应用基础"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。专题征文范围包括:①碳化硅、氮化镓电力电子器件特性与建模;②碳化硅、氮化镓电力电子器件封装。上面专题是本次征稿的重点方向,但不局限于此,与宽禁带电力电子器件、封装与应用相关的研究都可以投稿,欢迎广大学者和专家踊跃投稿。     

2020第10期“宽禁带电力电子器件的应用基础”专辑征文启事

正为了更好地推进"宽禁带电力电子器件、封装与应用"相关技术的研究,本刊拟将2020年第10期辟为"宽禁带电力电子器件的应用基础"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。欲投稿的作者请于2020年7月30日前将论文发送到本刊编辑部邮箱(Email:dldzjstg@163.com),并注明"宽禁带电力电子器件的应用基础     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为"宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用"专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术与方法;④采用宽禁带半导体构成的变换器的电磁兼容问题的研究;⑤宽禁带半导体器件的可靠性问题研究等。     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为"宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用"专辑。欲投稿作者请于2017年6月30日前将论文发至本编辑部邮箱(Email:dldzjstg@163.com),并注明"宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用"字样。评审结果将于2017年7月30日前通知作者。本刊将请西安交通大学杨旭教授为该专辑的特邀主编,对该领域研究及该专辑的论文进行分析与点评。     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

正为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为"宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用"专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术与方法;④采用宽禁带半导体构成的变换器的电磁兼容问题的研究;⑤宽禁带半导体器件和电路的封装与集成技术;⑥宽禁带半导体器件     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

<正>为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术     

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

正为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术     

“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

<正>基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GAN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。近年来,国内外宽禁带功率半导体器件及其应用方面发展迅速。为了更好地推动宽禁带功率电子器件的应用,《电源学报》拟出     

“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

正专辑特邀主编:南京航空航天大学谢少军教授基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。近年来,国内外宽禁带功率半导体器件及其应用方面发展迅     

“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

<正>专辑特邀主编:南京航空航天大学谢少军教授基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。近年来,国内外宽禁带功率半导体器件及其应用方面发展迅     

“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

正专辑特邀主编:南京航空航天大学谢少军教授基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。     

“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑征文启事

<正>专辑特邀主编:南京航空航天大学谢少军教授基于宽禁带半导体材料的功率电子器件推动了高效率、高工作温度及高功率密度变换器的发展。相较于传统的硅器件,碳化硅(SiC)器件在很多方面都已体现出了优越的性能,硅基氮化镓(GaN)器件也正逐步成为低成本高性能功率技术解决方案。然而,高频宽禁带功率器件的应用也带来了可靠性及电磁干扰等方面的问题,同时,器件成本也是目前应用中需要考虑的一个问题。近年来,国内外宽禁带功率半导体器件及其应用方面发展迅速。为了更好地推动宽禁带功率电子器件的应用,《电源学报》拟出版"宽禁带功率电子器件及其应用"专辑,以集中反映这一领域近期     

2018年第8期“电力电子器件散热与封装”专辑征文启事

正本刊拟将2018年第8期辟为"电力电子器件散热与封装"专辑。专题征文范围包括:①电力电子器件封装的有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装的关键工艺;③电力电子模块的绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠性与失效研究;⑤电力电子模块的测试技术与评价方法;⑥针对宽禁带功率半导体的高压、高温、高开关速度的新型封装技术;⑦电力     

2018年第8期“电力电子器件散热与封装”专辑征文启事

<正>本刊拟将2018年第8期辟为电力电子器件散热与封装专辑。专题征文范围包括:①电力电子器件封装的有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装的关键工艺;③电力电子模块的绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠性与失效研究;⑤电力电子模块的测试技术与评价方法;⑥针对宽禁带功率半导体的高压、高温、高开关速度的新型封装技术;⑦电力