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正本刊拟将《电力电子技术》杂志2018年第8期开辟为"电力电子器件散热与封装"专辑,以集中反映这一技术领域的最新科研成果,关键技术发展和创新,新方法、新产品的设计、生产和运行经验,国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。专题的征文范围包括但不限于以下内容:①电力电子器件封装有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装关键工艺;③电力电子模块绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠 相似文献
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正本刊拟将2018年第8期辟为"电力电子器件散热与封装"专辑。专题征文范围包括:①电力电子器件封装的有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装的关键工艺;③电力电子模块的绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠性与失效研究;⑤电力电子模块的测试技术与评价方法;⑥针对宽禁带功率半导体的高压、高温、高开关速度的新型封装技术;⑦电力 相似文献
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<正>电力电子器件在工作过程中产生的损耗功率虽然与整个装置的换流功率相比非常低,但由于芯片本身的体积很小,所以会形成很高的功率密度,这对其散热与封装提出了诸多挑战。本刊拟将《电力电子技术》杂志2018年第08期开辟为"电力电子器件散热与封装"专辑,以集中反映这一技术领域的最新科研成果,关键技术发展和创新,新方法、新 相似文献
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<正>电力电子器件是电力电子技术的核心,其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步,人类的电力使用与电力电子器件的关系越来越密切,对它的开发与使用逐渐成为人类实现节能减排目标的重要手段之一。电力电子器件的性能优劣将直接影响到电能的利用效率。目前常用的Si基电力电子器件经过几十年的发展已经逐渐接近了材料本身的理论极限。为从根本上解决这一问题,发展有更高的功率密度输出、更高的能量转换效 相似文献
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<正>为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。欲投稿作者请于2017年5月31日前将论文发至本刊编辑部邮箱(Email:dldzjstg@163.com),并注明"宽禁带半导体电力电子器件"字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于 相似文献
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<正>为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用;⑤宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。 相似文献
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正为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围包括:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战; 相似文献
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<正>为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带 相似文献
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正为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用;⑤宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。 相似文献
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为了更好地促进"新型电力电子器件"相关技术的研究与应用,本刊拟将2012年第12期辟为"新型电力电子器件"专辑,以期对国内外新型电力电子器件的研发现状提供一个比较全面的展示平台。热切欢迎从事电力电子器件研发工作的专家学者和青年科技工作者踊跃投稿。 相似文献
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随着电力电子技术应用的不断发展,对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言,要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的导通压降、更快的开关时间和更可靠的性能。随着新能源应用需求的提高,更高压更高频 相似文献
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为了更好地促进"新型电力电子器件"相关技术的研究与应用,本刊拟将2012年第12期辟为"新型电力电子器件"专辑,以期对国内外新型电力电子器件的研发现状提供一个比较全面的展示平台。热切欢迎从事电力电子器件研发工作的专家学者和青年科技工作者踊跃投稿。专题主要征文范 相似文献
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器件是电力电子技术的基础,在其整个发展进程中起着"一代电力电子器件带动一代电力电子技术"的关键作用。但是,自后晶闸管时期开始以来,我国电力电子器件研发领域长期处于"万马齐谙"的状态,与非常活跃的国内电力电子应用技术领域很不相称,和新器件不断涌现的国际电力电子器 相似文献
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器件是电力电子技术的基础, 在其整个发展进程中起着"一代电力电子器件带动一代电力电子技术" 的关键作用。但是, 自后晶闸管时期开始以来, 我国电力电子器件研发领域长期处于"万马齐谙"的状态, 与 相似文献
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根据中国电力电子学会第六届第五次理事会的提议,本刊拟将2008年第12期辟为"电力电子器件研发进展"专辑,特邀国内外该领域知名专家撰稿介绍电力电子器件研发领域的最新进展和发展趋势,并向国内长期耕耘在电力电子器件研 相似文献
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正为了更好地促进"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"相关技术的研究与应用,本刊拟将2021年第12期辟为"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"专辑,以期对国内外电力电子器件和电力电子可靠性的研发现状提供一个比较全面的展示平台。本刊邀请西安交通大学雷万钧副教授和江苏宏微科技有限公司姚天保高工作为本专辑的特邀主编,所投论文将按本刊专辑审稿程序进行评审。 相似文献
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正为了更好地促进"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"相关技术的研究与应用,本刊拟将2021年第12期辟为"电力电子器件和电力电子系统的可靠性"专辑,以期对国内外电力电子器件和电力电子可靠性的研发现状提供一个比较全面的展示平台。欲投稿的作者请在2021年9月30日前将论文发送到本刊编辑部(Email:dldzjstg@163.com),并注明"电力电子器件和电力电子系统的可靠性专辑"字样。本刊邀请西安交通大学雷万钧副教授和江苏宏微科技有限公司姚天保高工作为本专辑的特邀主编,所投论文将按本刊专辑审稿程序进行评审,评审结果将于2021年10月30日前通知作者。截稿日期:2021年9月30日录用通知发出日期:2021年11月1日论文刊登预期:2021年第12期(2021年12月20日出版) 相似文献
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