Flash存储器技术与发展

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器，它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点，是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。     

基于USB2．0的Flash编程器的FPGA实现

Flash闪存是一种非易失性存储器,由于与其他类型非易失性存储器相比具有容量大、访问速度快、成本低廉、使用方便等许多优点,广泛应用于工业控制、通信设备、办公设备、家用电器等领域.利用存储信息掉电不丢失的特点,Flash常常用来存储程序、系统参数、关键数据等内容.     

VxWorks系统下的NVRAM To Flash驱动程序设计

NVRAM(非易失性随机存储器)因其具有读写速度快、数据非易失的特点,常用来存取重要数据。在读写速度要求不高的场合,为降低成本,可用现有的Flash存储器来代替NVRAM,这需要提供NVRAM To Flash驱动。但现有的驱动效率不高,写数据速度太慢,给使用者带来不便。基于Vx-W orks操作系统,提出一种新的NVRAM To Flash驱动程序设计方法,该方法实现了NVRAM的两个接口函数,通过减少擦除Flash次数,提高了数据读写速度。     

Aplus Flash押宝 flash+EEPROM嵌入式存储架构

存储器行业一直是"巨人"的天下,小公司在这个领域似乎难有大的发展空间.而开业仅5年的嵌入式非挥发性存储器(NVM)提供商奈米闪芯科技公司(Aplus Flash)却在其中找到了一条适合自己发展的道路,他们的生存哲学--一是坚持在嵌入式存储器领域发展,通过为客户提供高附加值的定制化服务在市场中立足;二是依托技术积累,开发新的存储器架构,以期在竞争中确立优势,在这方面目前他们的重点考虑是将fla sh和EEPROM两种技术结合起来形成一种新的被命名为MaxFlash的嵌入式存储器架构.     

Flash存储器市场与应用前景

自十年前发明Flash存储器以来,曾有两种评论,一是怀疑,二是夸大其作用。东观主义者预示Flash存储器的功能可能会代替从磁盘到EPROM等各类存储器所具有的功能,怀疑论者警告说Flash技术将走向死胡同,会遭受泡沫存储器同样的灾难命运。事实上两种预示的前景都并未真的到来。Flash存储器除了合适的应用外,用来代替磁盘或EPROM还并不很便宜,至少现在是这样。但另一方面,对Flash存储器的迫切需求以及Flash厂家不断地进行工艺技术研究,使Flash技术现在站住了     

基于Socket套接字实现的Flash固化工具

套接字是一种网络编程接口,应用程序通过这种接口可以和不同网络中的应用程序进行通信,而不必担心网络协议不同所引发的问题。而Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程,NOR和NAND是两种主要的非易失闪存技术,NOR主要应用在代码存储,NAND适合于数据存储。文章介绍了基于UDP协议的Socket网络编程机制和原理,完成了基于Socket协议的Flash固化工具的实现。     

基于EPG3231和闪存的声音播放器设计

提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量NAND Flash存储器的方法.与一般方法相比,编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范,只要按照NAND Flash的读、写、擦除等时序对其进行操作,把NAND Flash当成NOR Flash或SRAM来对待,这样存储器的物理地址对程序员而言是透明的,只需要在遇到坏块(BAD BLOCK)时跳过该块就可以了.该方法降低了使用NAND Flash存储器的难度和成本,且不仅适用于EPG3231,也可以推广到一般的8位单片机系统中使用.     

嵌入式Flash微控制器简介(下)

在近几年的嵌入市场中最重要的发展可能就是Flash MCU价格的下降。将Flash微控制器价格限制在1欧元以内的目标已经达到,并正在向0.50欧元的目标迈进。因此Flash微控制器越来越为需求量大但要求花费少的消费者所青睐。图1显示了嵌入式非易失性存储器的相对成本。价格并不是Flash微控制器的唯一优势。有效地整合Fla-sh存储器,它能以相同的尺寸达到更     

小型闪存卡及其在数字视听产品中的应用

一、什么是小型闪存卡闪烁存储器(Flash Memory)是集成电路中常用的一种固体存储器。将这种存储器与其它IC器体相组合而形成的闪存卡(Flash Card)已由PCMCIA(个人电脑存储卡国际协会)及JEIDA(日本电子工业发展协会)标准化,且在笔记本电脑中被广泛使用。人们常把这种闪存卡称为PC卡。所谓的小型闪存卡,是指尺寸比PC卡要小,且主要用于各种可携带信息设备的存储卡。     

一种Flash安全存储控制器的设计与实现

针对当前对Flash存储器中敏感数据的安全存储需求,设计实现了一种Flash安全存储控制器。通过数据加密技术和访问地址加扰技术保证存储数据的安全,并建立了一种分区访问控制机制,实现了不同等级用户的访问控制。对该存储控制器设计进行验证和分析,结果表明,设计的Flash安全存储控制器在保证Flash访问速率的基础上,实现了对Flash存储器的硬件级安全防护和分区访问控制,方法不仅可行,而且具有较强的实用性。     

地址数据复用型Flash存储器测试技术研究

随着半导体技术的迅猛发展,移动存储设备快速增长。Flash芯片作为移动存储设备中最常用的器件,得到了日趋广泛的应用,对Flash芯片的测试要求也越来越高。地址数据复用型Flash存储器测试技术研究及电路设计,设计改善大规模数字集成电路测试系统数字系统算法图形功能。对K9F2G08R0A进行了测试并通过对数字系统算法图形功能进行改善,算法图形发生器由多个算术逻辑单元、多路选择器以及操作寄存器组成,可以实现复杂的逻辑操作和算术运算,可以更快、更简便地对地址复用型Flash存储器进行测试,减少测试程序开发难度。     

基于Flash的猫和老鼠游戏的设计与制作

计算机技术的飞速发展,为人们的日常生活带了巨大的变化,人们已经不仅仅满足于玩游戏了,利用Flash已经可以让人们去制作自己喜欢的小游戏,这极大的满足了人们的需求。Flash是很好的网上制作动画的软件,用它可以将动作、声效动画以及富有新意的界面融合在一起,以制作出高品质的游戏动态效果。在本设计中,利用Macromedia Flash制作了老鼠和猫的小游戏。     

用分离栅极闪存单元实现可编程逻辑阵列

我们开发了一种新型可配置逻辑阵列测试结构,它采用高度可伸缩且兼具功耗低和配置时间短两大优势的第3代分离栅极闪存单元。此分离栅极Super Flash配置元件(SCE)已通过90nm嵌入式闪存技术进行了演示。得到的SCE消除了对深奥的制造工艺、检测和SRAM电路的需求,并缩短了可编程阵列(PA)(例如,FPGA和CPLD)的配置时间。此外,SCE本身还具有SST分离栅极闪存技术的优点,包括紧凑的区域、低电压读操作、低功耗多晶硅间(pol y-t o-pol y)擦除、源极侧通道热电子(SSCHE)注入编程机制以及超高的可靠性。     

基于FPGA的串行Flash扩展实现

简要介绍设计方案产生的背景和串行Flash M25P80的主要性能,阐述了一种采用FPGA直接控制串行Flash的设计与开发方法.介绍了硬件设计原则和方法,对Flash接口时序的开发及硬件实现做了详细的描述,并对开发过程中可能遇到的问题进行了说明.     

Independent Double-Gate Fin SONOS Flash Memory Fabricated With Sidewall Spacer Patterning

Fin silicon–oxide–nitride–oxide–semiconductor (SONOS) Flash memories having independent double gates are fabricated and characterized. This device has two sidewall gates sharing one Si fin. To achieve narrow Si fin width over the photolithography limitation, sidewall spacer patterning is adopted. Specific fabrication processes for the fin SONOS Flash memory having independent double gates are described. Electrical properties related to the opposite gate dependence are characterized. Measurement results of the paired cell interference are delivered.      

Flash在线数据加载的JTAG通用方法研究

介绍了一种通过Flash主控芯片的JTAG接口实现对Flash加载数据的方法.描述了Flash存储器的特点、JTAG技术的发展和应用以及TCL脚本语言的编程方法,给出了一个以JTAG方法对Flash进行数据加载的通用方案,该方案可以作为嵌入式处理器电路调试方法的重要补充.     

Flash memory单元的可靠性设计考虑

本文在分析Flashmemory单元工作原理的基础上，建立了Flashmemory单元的简化模型，建立了优化设计理论，并对Flashmemory单元的可靠性进行了全面的考虑。     

基于嵌入式电池检测的文件系统的实现

为了有效地管理嵌入式电池检测系统的历史数据和运行数据,设计了基于嵌入式NAND Flash存储器的文件系统。充分利用NAND Flash存储器的特点,通过在内存中建立索引表,采用多种策略的无效块回收机制等方式,有效地降低了存储器的擦除次数,均衡了存储器的磨损,提高了文件的检索速度。该文件系统在μC／OS-Ⅱ操作系统中予以实现,并进行了性能测试。     

1.2V NOR flash memory in system-in-package

A NOR Flash memory system, the supply voltage of which can be as low as 1.2 V, is described. The internal memory chip supply voltage (1.8 V) is obtained by means of a DC-DC converter totally included in the same package of the memory. This system represents a way to overcome technology limitations to generate a Flash device supplied at a voltage close to 1 V and below. The NOR Flash memory system is assembled in a ball grid array 88 balls 14times8times1.6 mm, with the same ballout of the standard Flash memory working at 1.8 V     

基于NAND Flash的海量存储器的设计

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。