AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术

对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.     

波长小于10nm的软X射线多层膜制备技术

软X射线短波段区域(1～10nm)高反射率多层膜的制备对软X射线光学的研究具有十分重要的意义.该波段要求镀膜过程中能减小界面扩散,实现膜厚控制,从而严格限制了制备技术的应用.介绍了软X射线短波段多层膜的发展现状和制备技术,主要包括蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积技术和激光分子束外延,对这些方法进行了比较并提出了今后的研究方向.     

喷射沉积及其制品的后续致密化研究

作为一种集快速凝固、半固态加工和近终成形加工于一体的新型材料制备方法,喷射沉积技术及其应用受到了广泛的关注.简要介绍与回顾了喷射沉积技术的原理、特点及其发展历史,总结了适于喷射沉积多孔材料塑性变形的基本规律,重点介绍了大尺寸喷射沉积坯料的后续致密化加工的研究进展,并对今后的发展方向进行了探讨与展望.     

1支点喷嘴加工工艺研究

零件1支点喷嘴是滑油喷嘴组件中重要部件之一，此零件为细长杆形的精密铸件，结构复杂、尺寸精度高，技术条件要求严格。尤其是该零件外径中10为不加工表面，内孔Ф6为加工表面，零件壁厚要求1．5mm，钻头刚性差易产生变形，造成壁厚局部超差而导致零件报废。本文着重介绍了该喷嘴的机械加工技术，根据零件结构特点、车间现有的加工设备制定了该零件的加工工艺路线并对主要工序进行了分析．     

提高某新机喷嘴加工合格率

某新机零件喷嘴是精密铸件,零件属于支架结构空间尺寸复杂;尺寸精度高t技术条件要求严格,细杆深孔加工出现零件壁厚超差的质量问题严重,本次针对以上问题,对工艺路线,毛料结构,工艺装备、加工方法进行了一系列的工艺改进,提高了零件加工合格率及试验合格率。     

淀粉粒度效应对微细化淀粉/LDPE共混体系相态结构的影响

以玉米淀粉为原料,制备不同粒度梯度的微细化淀粉,将其分别疏水化改性后以相同质量分数与LDPE共混,分析不同拉度微细化淀粉与LDPE共混体系的相态结构。扫描电镜显示,随着淀粉粒度的降低,微细化淀粉在LDPE中的分散性提高;流变学分析表明,MST／LDPE共混体系熔体为非牛顿假塑性流体．随着淀粉粒度的降低,熔体非牛顿指数减小,但粘度变化不显著。淀粉粒度降低有利于改善共混体系的加工性能扣力学性能。     

碳化硅表面改性和光学镜面加工的研究现状

为了获得满足光学应用要求的碳化硅光学镜面, 通常采取碳化硅表面改性和改进光学镜面加工的方法. 碳化硅表面改性的主要方式是在碳化硅表面镀致密化涂层. 本文介绍了在碳化硅表面化学气相沉积碳化硅和物理气相沉积硅两种碳化硅表面改性技术, 并对碳化硅光学镜面加工的研究现状进行了综述.     

航空机匣壳体衬套精密镗削加工技术分析

航空产品一般都是由复合低硬度金属材料制作而成的,比较常见的材料有镁合金、铝合金和铜合金等,航空发动机机匣的制作材料也是一样的。机匣零件在制作过程中对加工技术的精度有严格的要求,通常会选择镗削加工技术对机匣进行加工,可以提高机匣零件整体的精度。但是机匣内孔的粗糙度达不到机匣零件的加工标准,加工中应用刀具种类对零件加工的精密性有着一定的影响,对此,该文对航空机匣壳体衬套精密镗削加工技术进行了研究。     

冷喷涂复合加工制造技术及其应用

冷喷涂是一种固态快速成形技术,现已用于增材制造、修复损伤的航空航天用零部件等。但冷喷涂沉积体的固有特性——高强低塑,限制了其工业应用。本文综述了冷喷涂复合加工技术的新进展及应用。重点讨论了冷喷涂可复合机械加工和喷丸等普通加工技术,也可与激光、热处理、热轧、热等静压、搅拌摩擦加工、搅拌摩擦焊和钎焊等热加工技术复合,提升冷喷涂沉积体的强塑性,以及冷喷涂层作为强化层促进有色金属的连接。最后指出冷喷涂与多种机械加工工序的协调、与焊接技术的复合等方面仍需加强,旨在复合其他技术来扩展传统加工制造的内涵。     

金属栅回刻平坦化技术

随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属栅(假栅)集成结构的平坦化是实现后栅集成的关键技术之一。本文通过特色开发的SOG两步等离子体回刻结合O2原位处理技术,克服了常规反应离子刻蚀中由于聚合物分布不均对刻蚀速度带来的不利影响,实现了隔离绝缘层低达4.19%(边缘去除5 mm)的片内非均匀性。不同稀疏与密集线阵列的亚微米CMOS后栅结构表明良好的平坦化效果并且避免了类似CMP(Chemical Mechanical Polish)工艺中常出现的"碟形效应"问题。所研制成功的无CMP后栅平坦化工艺为制备纳米级高K金属栅CMOS后栅器件打下了重要基础。     

一种基于聚焦离子束的石英玻璃平面透射电镜试样制备方法

使用聚焦离子束制备含有贯通纳米孔的石英玻璃平面TEM试样时,会出现试样硬度高、导电性差、试样片厚度过大等问题。改变试样U型切割时的倾转角,可在低加工束流下将试样薄片快速截断、分离并转移,避免加工时试样发生漂移损坏,或因长时间加工而出现反沉积现象,制备出的贯通纳米孔石英玻璃平面TEM试样衬度均匀、损伤少。该方法为深入研究激光刻蚀对石英玻璃结构的影响奠定了基础,同时也为使用聚焦离子束制备相近材料的平面TEM试样提供了技术参考。     

柔性非晶InGaZnO薄膜晶体管栅绝缘层的研究

采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT)。其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化硅(SiO_x)与氧化坦(TaO_x)薄膜的搭配,对比研究了不同栅绝缘层结构的薄膜特性以及所对应的柔性TFT器件的操作特性和偏压稳定性。实验结果表明,TaO_x的成膜速率明显高于SiO_x;随着TaO_x所占比例的增加,栅绝缘层表面粗糙度降低,介电常数显著提高。以300nm厚TaO_x搭配300nm厚SiO_x为例,栅绝缘层相对介电常数可以达到10,对应的a-IGZOTFT表现出了更高的的开态电流和更低的阈值电压,但是器件漏电流略有增加,正偏压稳定性也会有所下降。     

超音速气体雾化微细球形铝粉生产线及雾化技术

本文介绍了超音速气体雾化微细球形铝粉生产线的组成、特点、生产能力、工艺水平和生产条件下的微细化、球化、连续化等雾化技术。     

高介电栅介质材料研究进展

传统的栅介质材料SiO₂不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.     

纳米制造和测量技术产业化的研究

从加工尺度的连续性和加工技术的完整性这一新的角度,分析了纳米加工产业化面临的问题,并提出了相应的解决方案一多离子柬聚焦投影技术。多离子柬聚焦投影技术将填补传统微机加工技术和半导体图形技术之间0．5～5μm的加工空白,并会在1～100nm尺度间实现自上至下技术和自下至上技术的有机结合。纳米测量技术产业化的研究中,以提高扫描探针技术的样品质量作为出发点。在聚焦离子束和扫描电镜平台上集成Ar离子束的“三束”显微镜能有效降低样品的损伤,大大推动了纳米测量技术的发展。     

栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善

在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性.本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率.实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容.增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率.     

薄壁轴承安装座工艺研究

轴承安装座为薄壁复杂件,外形尺寸较大,大端面壁厚不到3mm。内孔和外圆尺寸精度较高,技术条件要求极为严格,工艺制造的过程中很难加工保证,需要制定合理的工艺方案,研究解决薄壁型面的大端面、内孔加工变形以及内孔在铣加工深环槽后的变形问题,保证外圆、内孔尺寸及技术条件是技术难点。针对工件结构特点分析出端面、内孔变形原因,增加了相关工序内容、自制了关键工装、选择了合理的切削参数,最终顺利攻克这一难题。     

小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。     

模沉积少的聚甲醛

聚甲醛树脂长时间连续模压时易在模表面产生沉积即模沉积。日本Polyplastics公司开发的聚甲醛共聚物新品种Duracon90-44,由于改进了加工技术使沉积降至最少。新产品的主要优点有:①在高温下使用时不会沉积在接触点周围;②耐老化性比其他标准产品好;③流动性好;易成型加工,收缩率低,尺寸稳定性好。     

半导体硅材料的技术进步

70年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于CraAs材料的研究。但是GaAs作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构成为研究热点。