管内材料高温放气性能的测试及应用研究

管内材料放气性能的优劣直接影响着整管的性能和寿命.本文简介了测试管内材料高温放气性能的原理、装置和方法.文中列举的几项应用实例表明,本项测试结果对产品质量控制、工艺技术改进和材料进厂检验及国产化攻关都具有指导意义.     

高温高真空自润滑复合材料的研制与应用

本文阐述采用粉末冶金工艺研制的高温高真空自润滑复合材料与应用,固体润滑剂 MoS_2的加入量对材料物理一机械性能的影响,讨论了该材料在真空与大气中的摩擦磨损特性和在高真空下的放气性能。利用透射电子显微镜研究分析该材料的相结构及其对润滑性能的影响。将材料加工成滚动轴承保持架并组装成滚动轴承后,在高温高真空下进行寿命试验。结果表明,保持架的综合性能良好,可有效地润滑该类轴承。本文有14个图,6个表格。     

红外探测器杜瓦夹层材料的出气特性研究

内部夹层材料放气是长寿命杜瓦真空失效的主要原因之一。本文使用四级质谱仪测试了杜瓦夹层材料的出气特性,出气成分主要是水,甲烷、氢气等。基于非金属的放气理论和工程经验,建立了夹层材料的放气特性模型。测试结果对材料的选择、真空除气工艺的优选和烘烤排气工艺的优化有参考意义。     

红外微型杜瓦真空退化特性研究综述

分析了导致真空失效的漏放气因素。通过超高灵敏度检漏技术,可以严格控制漏气对真空寿命的影响。用功率形式的放气模型 q(t)=q0(t/t0)－α描述了杜瓦真空夹层的放气率退化特性。用温度加速了杜瓦真空夹层内的真空退化进程。用阿列尼斯模型 q=q0exp(－E/RT)描述了温度对材料放气率的影响。根据理论分析和放气率实验,可确定出加速因子。     

集成式杜瓦组件真空寿命评测及影响因素分析

制冷机集成式金属杜瓦组件已广泛应用于256×256以上规模的红外焦平面阵列器件,杜瓦真空寿命成为制约探测器性能的关键指标。本文针此金属杜瓦组件通用结构,用氦漏率检测、静态热负载测试及高温加速实验等多种方法对杜瓦真空寿命进行了评测,并分析了影响杜瓦真空寿命的主要因素,对金属杜瓦研究具有实际意义。分析表明,真空寿命的主要影响因素包括漏气和放气,制造工艺改进可将金属杜瓦漏气控制在设计指标内,金属杜瓦内部放气可通过真空烘烤、安装吸气剂等方法消除,研制的杜瓦组件经验证真空存储寿命超过12年。     

超长线列红外探测器杜瓦真空寿命评估方法

针对超长线列红外探测器杜瓦具有容积大、零部件种类多、材料放气源多,特别是集成式超长线列杜瓦与内充3 MPa高压氦气的直线脉管冷指封装集成等特点,基于材料解析放气及渗透理论,建立了超长线列杜瓦组件真空寿命评估模型,对分置式与集成式超长线列杜瓦的真空寿命进行了计算,其真空寿命预计值均可以达到2年。设计了一种杜瓦真空度在线监测结构对这两类杜瓦的真空度进行了实时监测,分置式及集成式杜瓦真空寿命预计值与实测值相对误差分别为5.8%和6.96%。因集成式杜瓦真空寿命估算较为困难,对其热负载通过制冷性能进行实验验证,其热负载2年后未发生明显变化。     

电子束管内残余气压的测定

一、引言电子束管在排气、封离后的管内残余气体是影响管子寿命的一个决定性因素。这种残余气体的来源主要是由于排气不良、封接部分慢性漏气以及真空材料在使用时放气,等等。因此研究残余气体的成分和压强以及在使用过程中它们的变化具有极为重要的意义。它有助于确定最佳的排气规范和阴极分解激活规范,鉴定电真空工艺和卫生的有效程度,研究消气剂的吸气量及其持续作用,合理选择管内零件的材料等。     

陶瓷材料放气特性分析

利用自行研制的材料真空放气性能测试设备,对4种不同陶瓷材料样品在真空环境下的放气特性进行了测试,并对照各样品材料表明及断面扫描电镜的照片,进一步阐明了它们在高温条件下产生不同放气量的原因。     

荧光屏电子碰撞解吸的研究

黑白显象管冷态时,虽然管内大面积的内表面及电子枪的零部件会放出气体,但由于管内锥体内表面所复盖的钡膜的吸气作用,因此管内氧化性气体的平衡压强较低,其平衡压强一般在10~(-9)杔以下。 当显象管开始工作,产生电子束扫屏时,管内的氢、氮、一氧化碳的分压强会上升,其中氢气尤为剧烈。管子在寿命过程中,氮气和一氧化碳的放气速率会逐渐变小,而氢气的放气速率在2000小时之内基本不变。很明显,这些气体压强的上升,是萤光屏受到电子轰击引起这些气体介吸的结果。     

真空电子技术

TB71 96020057聚丙烯伊P)膜真空性能的研究/陈长琦,孙少芬,一「蜀毅,金立山(合肥工业大学)jj典空电子技术一1995,(6)一26一29 采用动态流导法,在分子流状态和不同温度下,测量了PP膜的放气率和平衡压弧并研究了其放气特性.实验证明了其放气率随时间按指数函数衰减,同时获得了平衡压强数据,图3参5(许) 介绍分散型氧化饥阴极的实验研究.涂层材料为三元碳酸盐中分散约10%的Ba,sc4og.在BPF枪中,支取ik一IA/cm,的2000h寿命试验表明,新型阴极发射电流跌落<巧%,而普通氧化物阴极、在同样条件下,电流跌落>30%,文中还提出CRT电子枪中阴极负载的…     

基于朗缪尔吸附模型的杜瓦真空寿命评估研究

影响杜瓦真空寿命的主要是内部材料出气。针对红外探测器杜瓦的出气机理及密封前需长时间排气特点,提出了以满足朗缪尔吸附模型的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型的真空寿命评估方法。创新性地提出排气结束时变温监测离子流的方法,获得同覆盖度下不同温度的出气率,消除覆盖度的影响,提取了杜瓦的整体出气激活能,推导出存储温度下初始出气率及出气率随时间变化的关系。实验发现三个杜瓦在不同测试条件下获得的激活能差异为8.8%。跟踪封装2年的杜瓦热负载,验证估算的寿命误差为7.2%。本研究为小批量、多样化杜瓦提供了便利的真空寿命无损检测评估方法。     

红外焦平面杜瓦排气残余气体分析实验研究

实验研究用四极质谱仪对金属杜瓦排气进行长期动态监测,跟踪内部主要气体成分的分压强的大小变化,得出排气工艺对杜瓦内表面放气量大小的影响,介绍了实验的原理、装置、方法、数据和干扰因素,对影响杜瓦真空度的主要气体成分进行了初步研究,提出改进杜瓦排气工艺的可能方向,对工艺处理具有实际意义.     

长寿命半球谐振陀螺真空保持技术

半球谐振陀螺是一种高精度长寿命的陀螺仪,具有小型化和轻量化的特点,最长具备连续工作15年的能力。随着半球陀螺的长时间工作,受材料放气和焊缝漏率的影响,真空度的下降对陀螺谐振子的精度影响逐渐增大,又因陀螺轻量化的要求,需要精确计算寿命期间的出气总量,以严格控制吸气剂的用量。该文分析了陀螺在工作过程中的出气类型,从材料放气、焊缝漏率、氢气渗透3个维度建立数学模型,得出工作过程中的出气总量,并建立陀螺流体模型,给出吸气剂的用量和初始工作条件。研究结果表明,对于吸气量大于4.12 Pa·L的半球陀螺,选用St172型吸气剂450 mg,可以满足长寿命工作的要求。本研究为半球谐振陀螺的长寿命真空保持提供理论。     

零件表面钝化处理对杜瓦放气率的影响

红外焦平面探测器杜瓦组件的真空绝热空间内存在多种气体来源,其中最大的气体来源是材料放气。文中针对制冷型红外焦平面探测器杜瓦组件真空绝热空间内表面吸附气体的解析、体扩散、渗透放气污染问题影响制冷启动时间,限制红外探测器组件的使用寿命,设计了一种用于红外探测器杜瓦内表面钝化处理方案,基于某型杜瓦产品实现了杜瓦内壁钝化膜的制备。采用压强上升法进行放气率对比测试, 并通过四极质谱仪进行了气体成分分析。放气率测试试验结果表明,钝化膜有效抑制了氢气的释放,杜瓦放气率降低一半以上。杜瓦内表面钝化膜处理方法简单有效,提升了真空寿命,具备工程化推广价值。     

聚丙烯（PP）膜真空性能的研究

采用动态流导法，在分子流状态和不同温度下，测量了ＢＰ膜的放气率和平衡压强并研究了其放气特性，实验证明了其放气率随时间按指数函数衰减，同时获得了平衡压强数据。     

靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料，改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备，开发了由真空热预处理，非真空热后处理二种处理新工艺，制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶，使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级，而清晰度（分辨率）保持不变，介绍了CdSe蒸发工艺对靶面特性的影响。     

MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构 ,且具有压电特性     

Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS

Thermal desorption spectroscopy (TDS) was used to study outgassing from polycrystalline SiGe (poly-SiGe), SiC and SiO₂ films used for poly-SiGe-based MEMS thin film vacuum package technology. Primary desorption products were found to be H₂, H₂O and CO₂. The CO₂ outgassing could be correlated with CF₄ plasma interface cleaning used for thick SiGe PECVD, which can leave carbon at the CF₄-plasma-cleaned interface.