一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。     

一种新的HBT小信号模型参数优化提取法

阐述了一种新的异质结双极型晶体管（HBT）的小信号模型参数提取方法――综合多偏置点优化参数提取法. 对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/ GaAs HBT器件上进行了鲁棒性和精确性测试. 实验采用了一系列随机初始值,结果表明提取的参数值具有唯一收敛性和精确性,仿真结果与测量数据的相对误差小于1%.     

基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法

提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法.将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性.同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参数对拟合数据进行修正以提高模型表征参数的提取准确度.此外,为提高器件的动态模型准确度,增加了栅漏结电容模型函数的分段点,并给出了分段点选择方法.将优化前后栅漏结电容模型函数和静态仿真结果与测试获得的电容曲线、转移曲线和输出曲线进行对比,曲线匹配度较高,表明提出的优化方法显著提高了动态和静态模型的准确性.最后,搭建了SiC MOSFET开关特性测试平台,通过动态开关实验验证了模型优化方法的准确性.     

单端口声表面波谐振器在片去嵌方法分析

为了准确地设计声表滤波器,需要从参考声表面波(SAW)谐振器的测量值中提取精确的材料参数。测量SAW谐振器时,单个谐振器无法直接进行测试,需要引出传输线并使用GSG或GS探针进行测量,消除传输线影响的去嵌入过程对于SAW谐振器材料参数的准确提取非常重要。该文介绍了几种声表面波谐振器的去嵌入技术,包括Open-Short算法、电磁仿真方法、分段等效电路模型方法、集总参数等效电路法。通过实例验证了几种常用的去嵌方法并对其进行了分析。     

垂直腔表面发射激光器的小信号等效电路模型的研究

结合分析法和优化法,在ADS软件中对垂直腔体表面发射激光器(VCSEL)的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式、参数提取数值及不同偏置电流下模拟结果和测量结果之间的误差,可以清楚的看出,这种提取参数的方法是十分高效的,可以使模拟结果和测量结果之间的误差相对于用单一的分析法提取出来的误差更小.     

双极型晶体管直流模型参数提取的局部优化方法

采用ＳＰＩＣＥ进行电路模拟时，获取适用的晶体管模型参数是非常重要的，它将直接影响电路模拟的精度。提取模型参数的方法有分段直接提取法、整体优化法以及局部优化法。前两种方法有其各自的缺点，局部优化法针对使用它们可能遇到的问题做了改进。本文针对双极型晶体管直流模型参数的提取，详细介绍了一种局部优化方法，经过使用，能够达到满意的精度。     

PIN光探测器的小信号电路模型参数的提取

提出了一种利用自适应遗传算法提取p-i-n光探测器小信号电路模型参数的方法.文章首先根据p-i-n光探测器的物理结构确定其等效电路模型,进而采用自适应遗传算法对测量的S参数进行拟合,提取模型参数.自适应遗传算法自动优化交叉概率和变异概率,避免了以往遗传算法中易早熟的缺点.利用该法成功提取出模型的10个参数,建立光探测器小信号电路模型.在130 MHz～20 GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果和测量结果相吻合,证明了这种参数提取方法的可靠性.     

采用统计试验法分段优化提取双极型晶体管GP直流模型参数

本文讨论了一种提取GP直流模型参数的全局优化方法.即在已给的参数域内随机地投点试验,逐步收缩参数城,最后求得全域极值.参数在器件特性对其最灵敏的地方提取,以避免不灵敏参数在提取过程中的干扰.分段简化了模型方程,使计算量大大下降.这种方法在克服局部极值、不收敛和冗余参数方面都优于一般的迭代法.结果表明计算曲线和实测点拟合得相当好.     

基于贝叶斯压缩感知的噪声MIMO雷达稳健目标参数提取方法

针对压缩感知雷达(Compressive Sensing Radar, CSR)面临测量噪声、信道干扰及系统精度误差等扰动时,非自适应随机测量值和感知矩阵失配导致传统CSR目标参数提取性能下降的问题,该文提出一种基于贝叶斯压缩感知(Bayesian Compressive Sensing, BCS)的噪声MIMO雷达稳健目标参数提取方法。文中首先建立了噪声MIMO雷达的稀疏感知模型,推导了基于目标参数稀疏贝叶斯模型的联合概率密度函数,随后将 BCS 方法与 LASSO (Least-Absolute Shrinkage and Selection Operator)算法相结合对联合概率密度函数进行优化求解。与传统CSR算法相比,该方法能够在CSR系统模型存在失配误差时对目标参数进行有效估计,降低了目标参数估计误差,改善了CSR目标参数提取的准确性和鲁棒性。计算机仿真验证了该方法的有效性。     

深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L-M(Levenberg-Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法.最后,给出了最优化参数提取的结果,并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.     

基于粒子群-神经网络算法的纳米薄膜参数表征

提出了一种利用椭圆偏振测量进行纳米薄膜参数数据处理的混合优化算法。以人工神经网络模型为基础,利用改进粒子群算法选择人工神经网络中的权值和阈值,建立改进粒子群-神经网络(IPSO-NN)算法模型对纳米薄膜参数进行数据处理,以获得更高精度的纳米薄膜参数。利用IPSO-NN算法模型计算标称厚度值为50和997.7 nm的硅上二氧化硅(SiO_2/Si)纳米薄膜厚度标准样片的薄膜参数,结果表明:两种尺寸的薄膜厚度计算结果相对误差均小于3%,说明了混合优化算法具有高精度的薄膜厚度和复折射率等薄膜参数的计算能力。同时通过实验证明了IPSO-NN算法模型能有效地优化迭代次数,具有收敛速度快、测量效率高等优势。     

基于区域化的CMOS模型参数提取方法

根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0．35μm CMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6％。     

深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型. 提出了一种基于L-M (Levenberg-Marquardt）算法的多目标响应全域优化提取策略，并对可靠性模型参数进行优化提取. 分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法. 最后，给出了最优化参数提取的结果，并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.     

基于透射光谱的类金刚石膜光学参数反演

本文采用透射光谱法测量Ge基底类金刚石薄膜(Diamond-like carbon,DLC)的光谱曲线.应用测量的光谱曲线,基于模拟退火算法,构建目标优化函数,通过光谱反演法得到薄膜的厚度、折射率、消光系数.该方法得到的Ge基底类金刚石膜的光学参数与椭偏仪测试结果比对,折射率误差小于1％,厚度误差小于2％.并且将薄膜的...     

SiGe HBT非准静态小信号等效电路的参数提取

提出了一种硅锗异质结双极型晶体管（SiGe HBT）非准静态效应的小信号等效电路模型的参数提取方法。整个参数提取过程建立在由非准态效应的小信号等效电路推导出的一系列泰勒级数解析公式并结合参数直接法,该方法依赖于测量的S参数,不使用任何的数值优化法,参数提取结果使用CAD仿真验证。结果表明该参数提取方法简单易行,较为精确,该方法能够用到不同工艺SiGe HBT参数提取。     

Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法

介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。     

基于优化三维变形模型参数的人脸重建方法

针对基于三维(3D)变形模型的人脸图像重建方法对人脸特征点检测不准确导致的重构模型形状表达能力不稳健问题,提出了一种优化3D变形模型参数的重建方法.首先,通过改进的位置映射图网络准确提取和定位人脸特征点,并以此为基础得到初始模型参数.然后,为了提高模型的精准度和泛化能力,融合基于回归方法得到的参数获取优化的模型参数.最后,对3D变形模型进行优化,得到最终的人脸模型.用真实人脸作为实验数据的结果表明,本方法能实现精确的3D人脸重建.     

HBT小信号等效电路参数解析提取

提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。在提取过程中,采用集电极开路测量和直流测量相结合的方法,精确提取到了具有物理意义的唯一的外部串联电阻值,并在精确提取非本征参数的基础上,直接提取本征参数。较大频率范围S参数的计算值与测量值有很好的吻合。     

一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法

通过合理简化和改进MEXTRAM模型,提出了一种优化的SiGe HBT集约模型和参数提取方法;精确提取了一组微波SiGe HBT的模型参数。仿真结果与测试数据的相对误差不超过3%。     

GaAs MESFET大信号模型参数的计算机提取

利用GaAs MESFET的小信号S参数及瞬态I—V特性的测量数据,建立了GaAsMESFET的大信号分析模型,编制计算机程序,进行了参数拟合并比较了GaAs MESFET两种非线性模型的适用范围,使用分步优化的方法拟合GaAs MESFET小信号S参数,获取了大信号模型中的线性参数,非线性参数值利用最小二乘法及直接优化法相结合的算法提取。为非线性电路、功率放大器、混频器、振荡器提取了准确的设计参数。