英特尔宣布大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术

英特尔公司宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术,这座全新的300mm晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。英特尔大连芯片厂总经理柯必杰（Kirby Jefferson）在“第七届中国国际软件和信息服务交易会”上宣布了这一决定。     

大连2010年有望引入英特尔65纳米技术

大连市长夏德仁日前在第五届软交会上透露,英特尔设在大连的工厂有望于2010年引入65纳米技术。夏德仁表示,大连方面希望英特尔能把65纳米、45纳米甚至更新的技术引入大连工厂,其中65纳米技术在2010年引进大连的把握较大。2007年3月,英特尔宣布将斥25亿美元在大连建亚洲首个芯片     

中国3G尚混沌不明 WiMAX趁势进攻

2004年6月9日,英特尔与大连及成都市政府签署合作协议,将采用创新的无线通讯技术为大连及成都提供宽带无线上网服务,这一创新技术正是英特尔近来力推的WiMAX.英特尔于2004IDF上首度展示了代号为Rosedale的WiMAX芯片,并与大连及成都两市合作,正式宣布展开其全球推广WiMAX的动作,大连及成都也成为全球率先采用这一先进宽带无线技术的城市.     

解读英特尔大连建厂：欲先取之必先予之

3月26日，英特尔宣布将投资25亿美元在中国大连建立一个晶圆厂。新工厂将采用世界最先进的300毫米晶圆生产技术。此次英特尔晶圆厂落户大连，不但是英特尔在中国市场的最大一笔投资，也是英特尔在东亚的第一个晶圆工厂。     

美放松对华限制 英特尔大连厂用65 nm工艺

<正>日前,英特尔中国发言人证实,英特尔大连工厂采用65nm的生产工艺已经获得美国政府批准,但最终到工厂运行时是采用90nm还是65nm生产工艺还未确定。不过对此,业内分析认为,届时英特尔开放     

业界要闻

英特尔正式宣布在大连建厂投资25亿美元英特尔日前宣布将在中国辽宁省大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米晶圆的工厂。这一工厂(英特尔Fab 68号厂)是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂。英特尔公司总裁兼首席执行官保罗·欧德宁指出,中国     

英特尔发布采用25nm制程第三代固态硬盘

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘（SSD）产品——英特尔固态硬盘320系列（Intel SSD 320 Series）。基于行业领先的25nm制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-MSATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。由于该系列产品充分利用了25nm制程技术的成本优势．     

英特尔至强处理器5400系列，双核英特尔至强处理器5200系列

英特尔宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器（具有长达7年的生命周期支持）、芯片组及电信级服务器。新款处理器基于高k金属栅极晶体管技术,并采用先进的45nm制程工艺,具体产品包括四核英特尔至强处理器5400系列和双核英特尔至强处理器5200系列。     

英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术

英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。     

工艺制造

英特尔投资25亿美元在大连建12英寸晶圆厂；台积电55nm工艺量产就绪；     

每月新品

MCU/DSP/CPU英特尔至强处理器5400系列/双核英特尔至强处理器5200系列英特尔宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器(具有长达7年的生命周期支持)、芯片组及电信级服务器。新款处理器基于高k金属栅极晶体管技术,并采用先进的45nm制程工艺,具体产品包括四核英特尔至强处理器5400系列和双核英特尔至强处理器5200系列。     

英特尔在大连的项目已进入设备安装阶段

波及全球的金融危机并没有影响英特尔大连晶圆厂（Fab68工厂）的建设。目前从市信息产业局获悉，2008年，英特尔大连项目取得重要进展：累计完成建设施工任务1000多万人工时，用于建设的本地物料采购超过10亿元人民币。在日前举行的英特尔新春答谢会上，Fab68工厂总经理科比·杰弗逊宣布定居大连。“通过辽宁省、大连市政府与英特尔之问的紧密合作，让我们共同抵御经济寒流，并使我们的项目成果超越我们原有的期望。”科比说。     

AchroniX全新Speedster22i系列FPGA直接面向目标应用

Achronix半导体公司宣布了其Speedster22iHD和HP产品系列的细节，它们是将采用英特尔22nm技术工艺制造的首批现场可编程门阵列产品。     

AMD回应对手挑衅计划2010年投产32nm

日前，英特尔高调发布16款采用45nm工艺的四核处理器，这一革命性产品再次引爆了英特尔与老对手AMD的“核战”。 面对英特尔在制造技术、产品种类、产能以及资金的优势，AMD除了再次宣传其架构设计上的优势，宣布即将推出三核处理器外。[第一段]     

英特尔首款45nm工艺芯片晶体管密度翻倍,功耗降三成

英特尔公司日前宣布制造出首款采用45nm生产工艺的芯片。与65nm工艺相比,最新的45nm技术在晶体管密度上提高了两倍,达到10亿个,开关速度提高了20%,而功耗却降低三成,且晶体管只有45nm见方。英特尔的45nm工艺被命名为P1266,集成了铜互连、低k介电系数、应变硅技术特性。该公司计划采用193nm“干式”光刻扫描器———而非浸入式工具来制造45nm器件,这超出了此前一些分析人士的预料。英特尔采用45nm工艺,已制造出153MbitSRAM原型。该原型器件包含几个元件,其中包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环(PLL)、I/O、寄存器和分立测试结构。英特尔…     

英特尔45nm力证摩尔定律革新步调酷似钟摆

英特尔技术革新的步调几乎像钟摆一样精确。上周五，这家芯片巨头正式告别65nm时代，宣布45nm晶体管技术进入量产，从而践行自己提出的“每2年进行一次技术革新”的承诺。[第一段]     

英特尔投资25亿美元在大连建12英寸晶圆厂

英特尔2007年3月26日正式宣布,投资25亿美元在大连建立300毫米(12英寸)晶圆工厂(Fab68),这是英特尔首次在东亚兴建芯片前道生产厂。该项目计划2007年底动工,并于2010年上半年投产,项目初期产品将以芯片组为主,以支持英特尔的核心微处理器业务。英特尔总裁兼CEO Paul Otellini表     

英特尔将投入70亿美元于美国打造制造设施两年计划32nm制程技术

英特尔总裁暨执行长欧德宁（Paul Otellini）2月10日于美国华盛顿特区宣布，该公司将于未来两年间投资70亿美元，在美国打造先进制造设施。该投资将投入布建英特尔领导业界的32nm制程技术，用来制造更快、更小、耗电更少的芯片。     

Netronome将采用英特尔22nm技术生产高性能流处理器

网络流处理器开发商Netronome日前宣布．进一步延伸该公司与英特尔公司之间的战略性伙伴关系,其中Netronome的下一代流处理器将使用英特尔的22nm工艺进行生产。Netronome将提供基于英特尔的3D三维晶体管技术的流处理器。并且颠覆流处理器在网络及安全应用方面性能、功耗和成本的系统基准。     

英特尔与中国高校优化产学研合作 “2011英特尔中国大学峰会”在大连召开

"英特尔中国大学峰会"自2003年举办以来,已经成为国内产业界和高校、学术界深入沟通和合作的平台。2011年8月15日,以"创新点亮未来"为主题的"2011英特尔中国大学峰会"在中国大连举行。英特尔公司在峰会上宣布基于凌动平台的英特尔嵌入式大学计划将在2011年覆盖全国100所高校,支持开设"嵌入式"课程,建