一种高性能运算放大器的设计

应用0.35μm工艺,在10mw功耗下设计了一个放大倍数为124db、单位增益带宽为233MHz(负载为2pF)的全差分运算放大器,可以同时满足一定的高速、高精度指标.其中,高的直流电压增益通过两级的cascode结构提高运放的输出电阻得到,同时,采用两个全差分运算放大器替代传统的四个单端运算放大器作为增益自举结构,而增益自举运放的共模反馈利用单MOS管来实现.仿真表明,这种新型结构的全差分运算放大器在面积、功耗以及建立时间上都优于传统的运算放大器.     

一种高性能CMOS运算放大器的设计

采用Chartered0.35μm工艺,设计了一种开环增益为84dB,-3dB带宽达12kHz,转换速率为400V/μs,相位裕度为60°的高性能运算放大器。其中,通过两级放大器级联的套筒式运放结构的设计,解决了高增益和大输出摆幅的需要;同时,采用带隙电流源作偏置电路,保证了运算放大器的设计精度。     

高增益0.6μm CMOS运算放大器

本文介绍了采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计的两级放大结构的高增益运算放大器电路。用Hspice软件对电路进行了仿真,绘制了版图并给出了测试方案。仿真结果表明,在-40℃~120℃的温度范围内,电路能够将输入信号放大5000倍以上。电路采用+5V或者3.3V单电源供电,芯片面积为1070μm×640μm。测试结果表明,该运算放大器工作电流小于2mA,增益72dB。     

CMOS运算放大器的设计与Cadence仿真

本文根据运算放大器的设计要求(开环电压增益、相位裕度),分析了CMOS运算放大器的性能参数,设计出器件的几何尺寸,最后通过Cadence仿真得到性能指标的仿真结果.     

定增益运算放大器

本文介绍了一种新型定增益运算放大器的特点及性能，该类放大器具有小尺寸，设计简单等特点，适用于便携式产品等应用。     

一种轨至轨CMOS运算放大器的设计

采用华虹NEC0．35μml P2M工艺，设计了一种利用比例电流镜控制的恒跨导R2R输入级及AB类控制输出级的运放结构。仿真结果表明，在2．5V共模输入电压，10pF负载电容和1M负载电阻并联时取得了56dB开环电压增益，60°相位裕度和2．4MHz的单位增益带宽。     

一种低压、恒增益Rail-to-rail运算放大器的设计

文章设计了一种低压、恒定增益、Rail-to-rail的CMOS运算放大器。该放大器采用直接交迭工作区的互补并联输入对作为输入级,在2V单电源下,负载电容为25pF时,静态功耗为0.9mW,直流开环增益、单位增益带宽、相位裕度分别为74dB、2.7MHz、60°。     

固定增益运算放大器

1.概述 运算放大器是电子工程师进行电路设计的基本元件之一,能够组成各种放大器、滤波器、加法器和减法器等,不一而足.为了简化电路设计、缩小产品体积和总体成本,MAXIM新近推出了一些增益由工厂预设定的运算放大器.其型号为MAX4174/4175和MAX4274/4275.     

运算放大器与开关组成的高精度可编程增益放大器

运算放大器与开关组成的高精度可编程增益放大器史延龄李洪津史小敏（工程兵指挥学院，徐州市，２２１００４）在数字控制系统和计算机控制系统中，常需要把现场微弱信号进行精确放大，放大倍数由逻辑电路或软件控制。这就需要设计或选择高精度增益可编程放大电路。目前，...     

一种增益提升高速CMOS运算跨导放大器的设计

设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.35μmCMOS工艺模型,通过Cadence软件Spectre仿真平台,驱动1PF负载时,相位裕度为65度,单位增益带宽为316MHz,功耗5.7mW,压摆率200V/μs。     

低功耗CMOS集成运算放大器的研究与设计

基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范围和输出摆幅的同时,还获得了较高的增益及相位裕度,满足便携式电子产品的低功耗、高性能要求。Cadence SpectreBSIM3V3模型仿真结果表明,在10 GΩ负载电阻和1 pF负载电容并联的条件下,该两级运算放大器的功耗为3 mW,开环直流电压增益为73 dB,单位增益带宽达到90 MHz,相位裕度为47°。     

高性能CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器.用Cadence Spectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1MHz,建立时间1.06μs.版图面积为410μm×360μm.测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片.     

一种基于嵌入式ADC应用的运算放大器IP核

介绍了一种适用于嵌入式模拟／数字转换器（ADC）应用的全差分低功耗性能可调运算放大器IP核。该运放芯核采用TSMC 0．25μm标准数字CMOS工艺设计。基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice在2．5V单电源电压下，分别对整个电路在几组不同的偏置条件下进行仿真，其中一组偏置在低频增益为74dB，相位裕度为60°，单位增益带宽为107MHz，摆率为210V／μs时，整个电路的静态功耗仅为1．75mW。     

一种高电源抑制比CMOS运算放大器

解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法.采用0.35 μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20 dB以上.     

一种折叠共源共栅运算放大器的设计

折叠共源共栅运放结构的运算放大器可以使设计者优化二阶性能指标,这一点在传统的两级运算放大器中是不可能的。特别是共源共栅技术对提高增益、增加PSRR值和在输出端允许自补偿是有很用的。这种灵活性允许在CMOS工艺中发展高性能无缓冲运算放大器。目前,这样的放大器已被广泛用于无线电通信的集成电路中。介绍了一种折叠共源共栅的运算放大器,采用TSMC 0.18混合信号双阱CMOS工艺库,用HSpice W 2005.03进行设计仿真,最后与设计指标进行比较。     

基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。     

衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计

讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性，并对其低压特性进行了分析和仿真．基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器．在0.8V电源电压下，运算放大器的直流开环增益为74dB，相位裕度为66°，失调电压为940μV，输出电压范围为110～798mV．     

用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器的设计

高性能全差分折叠式共源共栅型跨导运算放大器采用 12 位精度,60 MHz采样速率的模数转换器芯片,采用0.35μm CMOS工艺,工作在3.3 V电源电压下。电路模拟结果表明,基于其独特的增益倍增结构,该运算放大器直流增益达到94.4 dB,驱动2 pF负载时,相位裕度为62°,单位增益带宽达到260 MHz,电路功耗为27 mW。     

低功耗满幅恒跨导CMOS运算放大器设计

采用"最小电流选择技术"和前馈无截止型AB类输出结构,在Chartered 0.35μmCMOS工艺下设计了一种基于片上系统应用的低功耗、高增益恒跨导满幅运算放大器。基于Bsim3v3 Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,工作电压为3V,直流开环增益125dB,相位裕量74.8°,单位增益带宽33.8MHz,静态功耗0.6mV,压摆率6V/μs,输入级跨导在共模输入电压范围内只有2.34%的变化,运放版图有效面积0.026mm2,与国内外文献介绍的满幅恒跨导电路相比,文中设计的运放有较好的性能。