DBR结构设计与GaInP/GaInAs/Ge太阳电池性能关系

空间太阳电池采用分布式布拉格反射(DBR)结构作为GaInAs中间子电池的背反射器,可以降低基区的厚度,进而提高电池的抗辐射能力.DBR的光学反射特性对该子电池的各项性能有很大的影响.本研究制备了三种不同反射特性的Al0.9 Ga0.1 As/Al0.1 Ga0.9 As DBR结构,并将它们应用在同一种GaInP/GaInAs/Ge晶格匹配的太阳电池,作为GaInAs中间子电池的背反射器.测试研究其对电池的光学反射率、光伏性能和辐射衰降性能的影响.研究表明:材料带隙分别为1.87 eV/1.40 eV/0.67 eV的三结太阳电池,随着DBR的中心波长从865 nm→875 nm→885 nm进行微调,这三种电池的光学反射率、光伏性能和辐射衰降性能均表现出规律性变化.电池的反射率出现了规律性红移,初始光伏效率逐渐升高,地球同步轨道剂量电子轰击实验后,电池的最终辐照衰降率也逐渐升高.同时,适当将DBR反射范围向长波方向微调,可以获得初始效率更高的电池,而寿命末期效率几乎相同,这一研究结果对高轨道空间项目全生命周期内的应用有很大的意义.     

金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-xGex薄膜.溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17％,即Si0.83Ge0.17.样品分别做高温磷、硼扩散,经XRD测试为多晶态,制得n,p-poly-Si0.83Gge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17上分别溅射Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al、Co膜,做成金属/n-poly-Si0.83Ge0.17肖特基结.利用Ⅰ-Ⅴ测试数据进行接触参数的提取,从而定量研究金属的功函数、金属膜厚以及快热退火温度对肖特基接触特性的影响.结果发现,肖特基势垒高度(SBH)与金属的功函数有微弱的正相关,Al/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触存在Shannon效应,金属膜厚对Co/n,p-poly-Si0.83Ge0.17接触特性有不同的影响,随快热退火温度的升高,Ni、V、W、Co、Cu、Pt、Ti、Al八种金属在n-poly-Si0.83Ge0.17上的肖特基势垒高度和理想因子未见有一致的变化规律,但存在不均匀性.     

自旋在有机半导体中的输运

当前的微电子器件主要是通过控制半导体中载流子的电荷来存储、处理和传输信息,电子的自旋自由度长期在这些应用中被忽略。自旋电子学主要是研究与载流子的自旋相关的各种现象和效应,为在微电子器件中集成这些自旋效应,产生各种更新更强的功能的自旋器件奠定基础。有机半导体材料由于自旋轨道作用和超精细作用很弱,自旋扩散长度被认为很长,因而是一种具有很强应用潜力的自旋电子材料。最近,我们研究组首次成功的在低温下,以有机材料Alq_3作为中间层,La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3(LSMO)和Co分别作为两个电极的三明治结构中,低温下获得了高达40%的巨磁电阻效应。磁电阻随有机材料厚度的增加指数衰减,根据修正后的Jullierre模型,自旋扩散长度估计为约45nm。另外,巨磁电阻效应随温度的升高而降低,在温度较高时,样品除了有巨磁电阻效应之外,还明显表现出一种物理机理完全不同的高场磁电阻效应,电阻随磁场的增加而持续降低。为了进一步研究这种高场磁电阻效应的物理机理,我们制备了仅有一个铁磁性电极的有机发光二极管LSMO/有机/Al器件,实验结果表明高场磁阻效应与有机材料和制备方法无关,同时,发光器件的电致发光效应随磁场的增大而...     

In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。     

TiO2纳米晶空洞光阳极在染料敏化太阳能电池中的光电增效性能研究

以含炭微球作为模板,制备了TiO₂纳米晶空洞光阳极用于染料敏化太阳能电池(DSSC),通过调整模板的添加量,实现了空洞数目在光阳极中的调控。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析了样品的形貌和结构。结果表明：基于TiO₂纳米晶空洞的DSSC,在标准太阳光强度(100mW/cm²)辐照下,最佳的短路电流密度(J_sc)可以达到18.31mA/cm²,开路电压(V_oc)为0.701V,填充因子(FF)为0.578,电池效率(PCE)达到7.4%,相比基于TiO₂纳米晶的DSSC 4.4%的电池效率,提高了68.18%,其中J_sc的显著提高是电池效率提升的主要因素。光散射、电子寿命的分析表明,适当的空洞结构可以增加光阳极对可见光的散射作用,通过可见光在空洞结构中的多次反射使染料能被多次激发产生光生电子,从而提升了光捕获效率和电子寿命,最终实现了DSSC性能的提高。     

基于高长径比TiO_2纳米线的染料敏化太阳能电池光阳极的制备

采用搅拌水热法制备超长可弯曲的TiO_2纳米线,探索搅拌水热工艺对TiO_2纳米线结构和形貌的影响规律。在此基础上,构筑TiO_2纳米线/TiO_2纳米颗粒复合光阳极,研究了TiO_2纳米线含量对DSSC光电性能的影响。结果发现:当搅拌速率为800 r·min~(-1)时,反应24 h可得到高长径比的TiO_2纳米线。基于TiO_2纳米线优异的电子传输性能和散射效应,复合光阳极DSSC电池性能得到较大提升:当TiO_2纳米线的含量从0%增加到20%时,传输电阻R_t由5.98Ω·cm~2减小为3.79Ω·cm~2,电子扩散长度L_e从22.66μm增加到45.98μm,电池转换效率升高到5.26%,提高了22.9%。而随纳米线含量继续增加,低染料吸附量导致电流和光电转换效率降低。     

电镀

20011214 电沉积Zn-Ni合金钢板的显微结构和可加工性--Lin C S.Meetallurgical and Materials Transactions A.2000,31A(2):475(英文) 利用含氯化物的高速流动槽获得了Zn-Ni合金镀层钢板,开始沉积富Ni光亮镀层,然后在其上面沉积含8%(wt)～16%(wt)Ni的Zn-Ni合金层.研究表明,镀层的含Ni量影响Zn-Ni层的性能和显微结构,随着含Ni量的增加,Zn-Ni镀层的硬度增加,并导致镀Zn-Ni钢板的可塑性和结合力较差;另一方面,随着含Ni量的升高,镀Zn-Ni钢与压铸件之间的摩擦力下降.含Ni量为8%(wt)的Zn-Ni镀层为多孔等轴晶粒结构,随着含Ni量的升高,镀层表面变为致密刻面结构,含Ni量为16%(wt)的Zn-Ni镀层为锥形结构.X-射线衍射分析表明,含Ni量为16%(wt)以上,Zn-Ni镀层只有γ相.TEM分析表明,含8%(wt)Ni的Zn-Ni镀层为细晶粒结构,含16%(wt)Ni的Zn-Ni镀层变为柱状结构,柱状结构的形成可以由槽中Ni离子浓度的增加及析出的H2较少来解释. 20011215 用于光电化学太阳能电池的CdTe、CdSe和CAs薄层的性能对比研究--Pandey R K.Solar Energy Materials and SolarCells,2000,60(1):59(英文) 在钛基体上用酸性镀槽电沉积多晶CdTe和CdSe薄层,用化学镀槽制备了多晶CdS薄层.这些膜层具有良好的光电化学性能和稳定性,计算了热处理后膜层的固态参数,并与未经热处理的膜层作了对比. 20011216 阻挡层上镀Cu--Takahashi K M.Journal of the Elec-trochemical Society,2000,147(4)):l 414(英文) 利用常规镀Cu液,不管使用的电流密度大小如何(或是使用反向脉冲电镀),都不能在含50nm Ta阻挡层的200 mm试片上获得均匀镀层.镀层的均匀性可由反映电流密度影响和物理化学性能的无量纲极化参数来表征. 20011217 激光增强化学镀微米级铜线--Inen K.Jourmal of theElectrochemical Society,2000,147(4):1 418(英文) 研究了用激光增强化学镀技术将Si基体在Cu(HCOO)2和CuSO4溶液中沉积微米级铜导线的方法,在此工艺中,使用Ar离子激光束将Si表面温度升高,并浸入反应剂溶液,以提高Si表面温度,增强还原反应,促使Cu的沉积.葡萄糖酸和丙三醇分别用作CuSO4和Cu(HCOO)2镀液和还原剂,Si基体在CuSO4/葡萄糖溶液中利用激光增强化学镀方法的最大沉积速度为80 nm/s,其接近常规化学镀Cu速度的5倍.在CuSO4镀液中获得的镀Cu层的电导最小(3.6 mΩ@cm),约为纯Cu电导率的2倍.在pH值接近13的CuSO4溶液中沉积镀层的电导率最佳,试验表明,Si在pH≤13的溶液中不需足够的刻蚀.为了使高pH值溶液中保持Cu离子浓度,必须在溶液中加入乙二胺四乙酸络合剂. 20011218 用脉冲Nd-YAG激光在Al上选择性化学镀Cu--Chu S Z.Journal of the Electrochemical Society,2000,147(4):1 423(英文) Al经阳极氧化、激光辐射和化学镀可获得局部镀Cu层,具有阳极氧化膜的Al试样浸入Cu2+、Cu2+/H2PO2-、稀NaOH溶液中,用脉冲YAG激光辐射,然后在Cu2+、Ni2+/H2PO2-(含/不含pb2+或硫脲)的溶液中化学镀.静电位和X-射线光电子光谱测量表明,在Cu2+和Cu2+/H2PO2-溶液中激光去膜区形成了Cu粒子晶核,在随后的化学镀过程中激光辐射区可获得Cu镀层.研究了pb2+和硫脲浓度、沉积温度对Cu沉积动力学的影响. 20011219 化学镀Ni-Fe-P和Ni-Fe-P-B层的组成、结构和腐蚀特性--Wang L. Surface and Coating Technology,2000,126(2):272(英文) 研究了化学镀Ni-Fe-P和Ni-Fe-P-B合金层的组成、结构和耐蚀性,通过控制NaH2PO2和KBH4的浓度、金属盐比(FeSO4/FeSO4+NiSO)、pH值制备了化学镀层.在18～48g/L NaH2PO2、FeSO4/(FeSO4+NiSO4)比为0.1～1.0、pH值为8～13的镀液中获得了Ni-Fe-P镀层.在13～48 g/LNaH2PO2、0～1.4 g/LKBH4、F3-SO4/(FeSO4+FeSO4)比为0.1～1.0、pH值为9.5～12.5的镀液中获得了Ni-Fe-P-B镀层,改变沉积参数可获得两种镀层的非晶态和晶态结构.在28 g/L NaH2PO2或金属盐比为0.5的镀液中获得的Ni-Fe-P镀层以及在0.4 g/L KBH4镀液中获得的Ni-Fe-P-B合金镀层的最大含Fe量接近38%(at),含中等NaH2PO2量的沉积层浸入酸性和碱性溶液中进行腐蚀试验,其重量损失很少,加入痕量KBH4后降低了沉积层在碱性溶液中的耐蚀性,而Ni-Fe-P镀层的组成改变不明显,使用的基体材料为铜和碳钢. 20011220 黑Co镀层的降解研究--Barrera C E.Surface Engi-neering,2000,16(1):50(英文) 在304不锈钢基体上电沉积黑Co镀层,为了研究镀层的热稳定性,镀层在400℃的空气中加热几个周期,然后用X-射线衍射研究了镀层热处理前后的相组成.通过测量镀层热处理前后的太阳能反射率,计算出了其太阳能吸收率.研究表明,未经热处理的Co镀层由(002)反光相组成,Co沿基体的[002]相外向生长.可以通过多种模型来解释镀层的高吸附率及其深黑色外观,研究了黑Co镀层的热氧化行为及表面形貌变化. 20011221 金属电沉积中的配位化合物(Ⅳ):电沉积贵金属及其合金--Grunwald E.Korrozios Figyelo,2000,40(2):50(匈牙利文) 在镀Ag、Au、Pt槽中,络合物是关键物质.着重讨论了镀Ag和Au在现代电子工业技术的重要作用,并讨论了槽液组成、整平剂和光亮剂. 20011222 在NiTi型合金存储器上化学镀Cu:用XPS研究Sn-Pd-Cu的生长--Silvain J F.Applied Surface Science,2000,153(4):211(英文) XPS分析了NiTi(O)表面上化学沉积Sn、Pd和Cu,从而解释了Sn、Pd、Cu的成核和生长.具有NiTi(O)表面的Sn敏化元素的相互化学反应表明,Sn与Ni2O3反应后Sn(O)界面可能生长氧化物,不稳定氧化物的溶解导致氧化锡膜的形成,并在化学镀Sn(O)膜上有游离.金属Ni原子的迁入,Sn(O)表面上Pd的化学吸附与强Sn-O-Pd界面键的形成有关.纯金属Pd的2D、3D生长,导致纳米Pd核的形成,Cu原子与Pd表面的相互反应,形成Pd-Cu金属互化合物界面,从而具有强界面的结合强度. 20011223 有机添加剂对卤化物电解液电镀Sn-Co合金机械物理性能的影响--Lyakhovets L M.Prakt Protivokorrozion Zasch,2000(1):49(俄文) 测定了钢上电镀Sn-Co合金的电解液组成及工艺规范,合金镀层在低温下储存能保持其可焊性能.研究了合金镀层的机械物理性能. 20011224 电解液导电率--Reade G.Transactions of the Institute of Metal Finishing,2000,78(2):89(英文) 配制的电镀和化学镀液水质量可通过测量其导电性来控制,导电性低说明水中溶解的离子很少.废酸洗液和漂洗水的质量可以通过测定其导电性来快速评定,测定导电性为判断工艺质量提供了一个有效途径. 20011225 低电阻率和TCR Cu-Ni膜电阻器的制备--Ishikawa M.Transactions of theInstitute of Metal Finishing,2000,78(2):86(英文) 利用化学镀和电镀方法,并经低温热处理制备了不含P的Cu45Ni合金膜低电阻率和低TCR的电阻器. 20011226 Pd-Fe合金电镀(Ⅱ):合金电镀体系--Baumgartner M E.Tronsactions of the Institute of Metal Finishing,2000,78(2):79 (英文) 第一部分介绍了单金属电镀,第二部分讨论了合金体系特别是Pd-Ni、Pd-Ag和Pd-Co,研究了Pd-Fe合金电镀中可能使用的络合剂及镀液的稳定性. 20011227 葡萄糖酸盐电沉积Sn-Cu合金--Abd El Rehin.Transactions of the Institute of Metal Finishing,2000,78(2):74(英文) 在含葡萄糖酸钠的酸性硫酸盐溶液中电沉积了Sn-Cu合金,研究了不同电镀参数下获得的Sn-Cu合金的组成、结构和形貌,测定了电镀参数对共沉积过程动电位阴极化和阴极电流效率的影响.结果表明,沉积层为Cu优先共沉积的类型,沉积层中的含Cu量随镀液中Cu含量及槽液温度的升高而增加,随槽液中葡萄糖酸钠浓度的升高而降低,并且随着槽液pH值的升高、施加电流密度的增大,合金镀层中含Cu量减少.X-射线衍射分析表明,合金沉积层由η、ε、β相Cu和β相Sn组成,用扫描电子显微镜测定了沉积层的表面形貌. 20011228 Co和Cu电沉积层的晶体取向--Eagleton T S.Transactions of the Institute of Metal Finishing,2000,78(2):64(英文) 电镀基体的取向对沉积层的分布和形貌有显著影响,尤其是在多镀层结构的生产中.研究表明,在多晶Cu基体上镀Co,Co优先在某一方向沉积,在其他方向产生的沉积层很少,镀Co层可能是六角形密集或面心密集.在Co上沉积Cu时,晶核生长分布与基体取向没有密切关系. 20011229 碘化物槽电沉积Ag-Cd合金的主要参数及合金性能--Mateescu M.Transactions of the Institute of Metal Finishing,2000,78(2):53(英文) 用碘化物镀槽沉积Ag-Cd合金镀层,槽液中的含Ag量、金属比(Cd/Ag)、电流密度和温度都影响合金镀层的Ag含量.随着槽液中含Ag量的增加,合金镀层的Ag含量随之升高;随着槽液温度的升高,合金镀层中Ag含量随之降低;另一方面,降低电流密度或槽液中金属比(Cd/Ag),合金镀层中的Ag含量也会随之升高. 20011230 一种新型提高内燃机轴承表面耐蚀和耐磨性的电镀液--Grunthater K H.Galvanotechnik,2000,91(3):659(德文) 开发了一种新型的用于内燃机轴承电沉积Pb-Sn-Cu三元合金的电镀液,在pH值＜1的甲磺酸电解液中可获得78%Pb、14%Sn、8%Cu的合金组成,沉积速度1μm/min,沉积层厚度20μm.获得的细晶沉积层具有均匀的金属分布,在高温下具有良好的扩散稳定性,并具有良好的耐磨损、耐疲劳、耐腐蚀性能.这种电解液主要用于轴承和IC工程的连杆轴承制造中. 200112 31 Atotech Dynachrome体系-Kappes C.Galvano-organo,2000,68(703):355(英文) Atotech Dynachrome体系是-种高速镀铬工艺,譬如汽车活塞环的硬铬电镀,其通常的电解液为含特殊催化剂的无氯镀液,阴极电流效率为28%～40%,电流密度可达100～200 A/dm2.电解液能保证100%的回收而无废液流失. 20011232 镀铬及其应用--Bisselbrecht H.Surfaces,2000(296):22(英文) 回顾了硬铬电镀的历史,详细介绍了不同槽液类型及其组成,讨论了镀前处理特别是抛光处理,提出了主要镀前处理的影响,并研究了镀后处理(包括热处理)的作用. 20011233 三价铬槽脉冲电镀硬铬--Song Y B.Plating and Sur-face Finishing,2000,87(9):80(英文) 用含次磷酸钠络合剂的甲酸氨三价铬槽脉冲电沉积可获得厚硬铬镀层,并使镀层的内应力降低了25%～75%.使用次磷酸盐导致磷嵌入沉积层中,列出了电流效率、内应力、硬度等数据.SEM表明了镀层的表面形貌,研究了镀层的含P量与脉冲工作比的关系. 20011234 广泛应用于塑料模具的电镀硬铬--Dela Puenta M.Products Finishing,2000,64(8):52(英文) 过去硬铬主要用于修复塑料模具,现在越来越多地应用于新模具,主要原因是它具有很高的硬度和较好的耐磨性.20011235 硬铬镀槽中的电位分布及屏蔽物的影响--ZeeuwA.Galvanotechnik,2000,91(10):2 752(德文) 测量了镀铬试样的厚度分布,研究了屏蔽物的影响. 20011236 有机溶剂对平行板槽镀铜的影响--Selim I Z.BullElectrochem,2000,16(7):315(英文) 酸性硫酸铜镀液中加入乙醇、正丙醇、异丙醇、叔丁醇,铜沉积的极限电流密度将随有机溶剂摩尔数的增加呈线性降低,烷基结构可影响沉积过程.通过SEM和EDAX,分析了沉积层的表面形貌. 20011237 用Hull槽研究磺酸盐镀铜--Kokila P.Bull Elec-trochem,2000,16(8):363(英文) 镀铜广泛用作镍、银、金的底层,以防止铁金属表面变硬.磺酸盐镀铜层的晶粒比氰化物镀铜层粗,详述了前处理溶液,提出了获得满意镀铜层的沉积条件. 20011238 改善钢上镀铜层的结合力(第一部分):无氰碱性镀铜液--Gerasimenko A A.Zasch Metall,2000,36(3):321(英文) 一般无氰碱性镀铜层与钢基的结合力不太理想,研究了分别含乙二胺、聚乙烯胺、六甲基四胺、Trilon B、氨、焦磷酸盐的槽液在室温和0.5～2.0 A/dm2条件下镀铜.结果表明,含聚乙烯胺镀槽的效果最佳. 20011239 采用无氰化物或亚硫酸盐的镀金工艺--Simon F.Metalloberflache,2000,54(10):20(德文) 列出了公开文献中无氰镀金槽液组成及不同金络合物的沉积电位,用作络合剂的化合物主要是乙烯和丙烯的硫醇化合物.在这些槽液中也可以获得金合金(如Au+Ag、Au+Im Au+Sn、Au+Cu、Au+Cu+Sn、Au+Bi、Au+Pd、Au+Ni、Au+Co),提供了槽液及合金组成. 20011240 采用无氰化物和亚硫酸盐的新型镀金工艺-一SimonF.Galvanotechnik,2000,91(9):2 470(德文) 从环境角度考虑,开发了无氰化物和亚硫酸盐的新型镀金工艺,氰化物的作用是作为一种络合剂.评述了以前的无氰镀金工艺,列出其选用的络合剂,讨论了硫醇与金的络合物以及金银合金络合物.详细研究了乙烯和丙烯的硫醇化合物,提出了假定的平衡反应. 20011241 Al(Ⅲ)和Cr(Ⅲ)离子对硫酸盐溶液电铸镍的影响--Zhou Z.Bull Electrochem,2000,16(8):358(英文) Al(Ⅲ)和Cr(Ⅲ)是硫酸盐电铸镍溶液中的一种杂质,其影响阴极电流效率、镀镍层的外现和表面形貌.当这种杂质离子达到40mg/L时,电流效率降低,并影响极化和镀层内应力.列出了杂质离子为0～40mg/L时的镀层外观. 20011242 显微工程中镀镍层结构的机械特征--Fritz T.Gal-vanotechnik,2000,91(10):2 894(德文) 拉伸试验表明了应力-应变关系,列出了沉积电流密度,拉伸强度、X-射线衍射数据,研究了沉积电流密度对沉积层结构及其机械性能的影响 (以上范宏义译)     

Femtosecond Pump-Probe Polarization Dependent Investigation of Relaxation Dynamics in YBa2Cu4O8

Femtosecond pump probe experiments are reported on quasiparticle relaxation and recombination in YBa₂Cu₄O₈ as a function of temperature and polarization. We compare our results with the data obtained on YBa₂Cu₃O_7– and show that similar two-component relaxation is present in both cases. A strong polarization anisotropy of the picosecond response is observed below T _c and interpreted with the aid of a simple model which considers the anisotropy of the probe transition matrix elements.     

Model for the a.c. hall effect of high-Tcsuperconductors

The sign of the Cooper pairs in the superconducting state of the currently found high-T _c superconductors can be best measured by utilizing the so-called a.c. Hall effect. In this experiment a d.c. magnetic field is applied normal to the surface of the superconductor and a planar electromagnetic wave perpendicularly polarized incident upon the sample surface. By measuring the reflected electric field polarized in the incident plane, one could determine the sign as well as the magnitude of the a.c. Hall coefficient. The measurement provides a direct means to determine the sign and density of the Cooper pairs in the superconducting state of the high-T _c superconducting sample.     

淀粉/PEG制备双孔块状SiO2载体材料及其酶活力

采用溶胶-凝胶法,以聚乙二醇为介孔造孔剂、淀粉为大孔造孔剂,经过600℃热处理,制得介孔平均孔径为10nm左右、大孔平均孔径为8～11μm的SiO2块状材料.样品的最小密度为0.34g·cm-3,最大气孔率为76%.引入30%淀粉制备多孔样品作固定葡萄糖淀粉酶的载体,可使初始酶活力由原来的5994U提高至14702U.且连续使用五次之后仍具有一定的酶活力.另外在80℃水中浸泡7天之后,多孔样品对酶的吸附量均有提高.浸泡前后,酶活力相差不大.这些结果表明此类多孔材料在固定葡萄糖淀粉酶方面可长时间使用,便于酶的回收、保存和再利用.     

Crystal structure and anisotropy of iodine-intercalated Bi2Sr2Can?1CunOx

The electronic state and structural configuration of the intercalated iodine species in stage-1, I-Bi₂Sr₂Ca _n–1Cu _n O _x (n = l, 2), have been studied through polarization-resolved Raman and¹²⁹I Mössbauer spectroscopy. The polarization dependence of the Raman spectra and the Mössbauer measurement confirmed the dominant species to be triiodide ions, I ₃ ^– , with alignment of these linear molecules either along thea- orb-axis in the host crystals. Transport measurements such as thermoelectric power and Hall coefficient clearly indicated that hole carriers are doped into the CuO₂ planes upon intercalation, by whichT _c of the host superconductor is changed. Furthermore, based on resistivity measurements in a magnetic field, we suggest that the iodine intercalation leads to a decrease of the anisotropy both in normal and superconducting states, suppressing the extremely two-dimensional character of the Bi₂Sr₂Ca _n–1Cu _n O _x systems.     

Optical nonlinearity and optical limiting of CdSeS/ZnS quantum dots

CdSeS/ZnS quantum dots (QDs) were synthesized through the chemical route. The optical limiting behavior of these QDs was observed. The quantum dots’ nonlinear absorption and nonlinear refraction were investigated by the Z-scan technique using a Nd:YAG laser second-harmonic radiation (λ = 532 nm, t = 35 ps). Based on the absorption and fluorescence spectra, it is reasonable for us to infer that the nonlinear absorption arises from free carrier absorption (FCA). These QDs have average absorption cross-section of 1.26 × 10^?16cm² and nonlinear refractive index in the order of 10^?8esu. The large nonlinear absorption perhaps allows them to be candidate material for the optical limiting devices.     

MMT/SiO2复合载体制备聚乙烯纳米复合材料的探索研究

制备了柱撑结构蒙脱石(MM T)/S iO2复合载体,MM T层间距达3.3 nm,载体比表面积≥720 m2/g。将M gC l2/T iC l4/THF负载于此载体上制备聚乙烯催化剂,活性为30 g~40 g产品/g催化剂,填充量为2.5%~3.0%,此活性的纳米复合材料是一种添加剂,可满足填充聚合物使用要求。以TEM、XRD、DSC等技术研究复合材料结构性能关系及MM T对其结晶熔融行为的影响。结果表明,MM T片层以剥离型和插层型纳米尺度共存,片层均匀分散于聚乙烯中,所得纳米复合材料力学性能比普通复合材料有所提高。     

烃类在固载金属离子PVA膜中的溶胀吸附性能研究

制备了过渡金属盐填充固载PVA膜，实验测定了环己烷、环己烯在膜中溶胀吸附性能，结果发现：PVA膜经填充过渡金属离子Ag^ 、CO^2 等后，环己烯的溶胀吸附性能提高了3～5倍,而环己烷的溶胀吸附性能几乎不变；过渡金属盐的结构和性质对其填充固载PVA膜的环己烯溶胀吸附性能有较大影响，构成盐的金属离子尺寸越小、对应的阴离子尺寸越大、以及金属离子和阴离子之间的离解能越小，其填充固载PVA膜的环己烯溶胀吸附性能越好；过渡金属盐在填充固载PVA膜中的固载量增大，膜对环己烯的溶胀吸附性能提高，但趋势越来越弱，同时膜的机械强度等降低，固载膜中金属离子与PVA之摩尔比在0．5～1．0为宜。     

Profiling the hot carrier induced damage in InP/InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors by using a current transient technique

Hot carrier induced damage in InP double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) is investigated using a current transient technique. By monitoring the temporal evolution of base current transient, the hot carrier induced damage in the base region is quantitatively characterized. The spatial distribution of the traps at the extrinsic base surface induced by the hot carrier stress can be determined by using a charge tunneling model to model the base current transient. The results demonstrate the effectiveness of profiling the hot carrier induced damage in InP/InGaAs HBTs by the current transient technique.     

支撑液膜法制备Cu7S4纳米晶

提出了一种全新的纳米材料制备方法一支撑液膜法．常温常压条件下，在0．2mol／L的CuCl2溶液和0．2mol／L的Na2S溶液、以及含邻菲罗啉载体的支撑液膜组成的共同反应体系中进行反应，成功制备出Cu7S4纳米晶．经XRD、TEM等表征，产物的粒径范围为5—10nm，结构为六方晶型，晶胞参数为a=15．475А、c=13．356А．本文还对其光学性质及产物形成机理进行了初步探讨．     

在AlxGa1—xAs／GaAs太阳电池中的Mg掺杂和接触扩散特性

研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。