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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其光催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法在普通玻璃表面制备了薄膜型ZnO光催化剂,通过XRD、Ab2d、UV-VIS等测试技术对ZnO薄膜进行了表征;以偶氮胭脂红为降解物,考察了薄膜退火温度、镀膜层数、溶液初始质量浓度和反应体系初始pH值对ZnO薄膜光催化性能的影响,并进行了相关机理的探讨.研究表明:溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜呈透明状,薄膜表面均匀分布着球形ZnO晶粒;随着退火温度的升高,ZnO晶粒在17~30mm范围内逐渐增大.光催化实验中ZnO薄膜光催化降解偶氮胭脂红的最佳工艺条件是:退火温度为300℃,镀膜层数为5层,溶液初始pH值为8~9. 相似文献
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溶胶—凝胶法制备SiO2薄膜的研究 总被引:14,自引:0,他引:14
硅溶胶制备SiO2薄膜时用正交试验法系统研究了各种因素对溶胶稳定性和SiO2薄膜成膜性的影响。研究表明:溶液浓度,加水量和催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,控制干燥化学添加剂在加入量超过一定比例后对抑制膜层开裂有明显作用。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜,F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测定了10-300kHz范围内电容随频率变化的曲线,并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明,F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶-凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响,并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。 相似文献
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溶胶—凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性 总被引:1,自引:0,他引:1
实验研究了由溶胶-凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶-凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正,可以制备出性能优良的驻极体薄膜。 相似文献
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溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30eV基本相同.用荧光光谱分析了经过400~600℃热处理获得的ZnO薄膜,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射.适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜. 相似文献
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纳米微孔SiO2薄膜的Sol—Gel制备及气孔率控制 总被引:6,自引:1,他引:6
本文报道了纳米微孔SiO2薄膜的溶胶-凝胶(sol-gel)制备工艺,利用椭圆偏振光测试仪(Ellipsometer)直接测量了薄膜的厚度、折射率、从而得到了SiO2薄膜的气孔率及气孔大小分布。研究了合成工艺条件及浓H2SO4表面修饰对SiO2薄膜气孔率及稳定性的影响。 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备保护涂层的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
溶胶-凝胶(Sol-gel)法用于金属及合金表面制备保护涂层可明显提高材料在各种环境下的耐蚀性、抗高温氧化性、耐磨性等性能,从而扩大金属及其合金的应用范围.介绍了Sol-gel涂层的制备技术、涂覆工艺以及涂层热处理的一般原理及特点,总结了该技术制备保护涂层的应用现状及最新研究进展,讨论了制备单组分氧化物涂层如ZrO2涂层、SiO2涂层、CeO2涂层、Al2O3涂层、TiO2涂层,双组分氧化物涂层如ZrO2-CeO2涂层、SiO2-ZrO2涂层以及多组分氧化物涂层的制备方法及涂层对基体材料的保护作用,并对其保护机理进行了初步探讨. 相似文献
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钛基体上氧化铝膜层的耐高温和耐腐蚀性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
钛材高温氧化严重,为了提高其使用性能,采用溶胶-凝胶法在钛合金材料表面制备了耐腐蚀性能优良的三氧化二铝膜层.通过700 ℃下氧化增重的测量、扫描电镜对涂层高温氧化前后表面形貌的观察以及其在3.5%NaCl溶液中的阳极极化曲线测量表明,带涂层的试样在700 ℃、20 h的增重仅有0.028 0 mg/cm2,无涂层的试样增重为1.005 2 mg/cm2;带涂层的试样ΔE=1 203.5 mV,裸露钛合金试样的ΔE=154.6 mV.在钛合金材料表面制备的氧化铝溶胶-凝胶膜层具有提高钛合金材料表面抗高温氧化和耐腐蚀性能的特点. 相似文献
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舰船高温防护涂层技术研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
高温防护涂层在舰船高温部件尤其是动力系统部件上能够发挥重要作用,保护其在海洋环境中避免发生氧化和腐蚀。本文简要介绍了舰船高温防护涂层的性能特点、分类及等离子喷涂、激光熔覆、渗铝等耐高温涂层制备方法。 相似文献
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Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与CIGS相似的结构,其直接带隙宽度为1.45~1.6eV,吸收系数则高于104cm-1,构成元素丰富且无毒,因此其作为一种P型半导体材料,被认为是最有希望替代CIGS的材料之一。以去离子水和无水乙醇作为溶剂,采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在玻璃基底上制得了CZTS薄膜,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜和紫外可见光谱对样品进行了表征,并讨论了烘焙温度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明当热处理温度达到200℃时得到了黑色的CZTS薄膜,其禁带宽度为1.45eV,经过EDS分析制得的薄膜的元素比Cu∶Zn∶Sn∶S接近2∶1∶1∶4,这与CZTS的理论值是一致的,但是薄膜中存在少量的氯元素,同时适当降低前期的烘焙温度可以提高薄膜的致密性。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜的结构特征研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶-凝胶方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了光滑均匀的PZT(50/50)铁电薄膜。用XRD、FT-IR反射光谱、Raman光谱以及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜随热处理温度的结构变化过程以及薄膜中有机物的挥发。Raman光谱给出了薄膜中三方和四方相共存及转变的结构变化信息。AFM揭示了PZT薄膜中钙铁矿相的形成是从焦绿石结构中转变而来的,其生长机制可用Rosettes生长模型来解释。薄膜中相交约120°交角的3条延伸的界面线则是为了释放薄膜中的应力而产生的。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法合成了透明溶胶和白色稳定乳浊液两种前驱体,通过Dip-coating方法分别利用掺入及不掺入同配方的晶体微粉的这两种前驱体制备了Ph0.9La0.15TiO3 薄膜,并通过 X射线衍射(XRD);扫描电子显微镜(SEM)和介电常数测试等手段进行了形成特性研究和比较.结果显示,利用白色乳浊液前驱体制备的Pb0.9 La0.15TiO3 薄膜,其最初形成钙钛矿相的温度比利用透明溶胶制备的同样薄膜的温度降低约40~50℃;利用透明溶胶前驱体制备的Pb0.9La0.15TiO3薄膜在热处理温度高到约575℃时,钙钛矿相的晶格常数相应下降;约在525℃热处理时,薄膜居里温度出现在室温附近;较高的热处理温度时,薄膜中形成的钙钛矿相中La的固溶度相对较小,反之则La的固溶度较高. 相似文献
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