半导体传感器的最新技术—可见光CCD

近来,广泛用于家庭、办公、报导、监视等的可见光传感器十分引人注目.其中固体摄象器件已成为时代的主流.本文对CCD摄象器件的原理、种类、内部结构、性能及彩色摄象机系统等进行详细说明.一、CCD摄象器件的原理和种类(1)CCD摄象器件的主要功能光电转换:把入射光子转换成电子——空穴对.存储电荷:利用热不平衡状态形成的电势阱来存储电荷.传送电荷:即电势阱中的电荷作定向转移,转移方向由沿沟道依次设置的电极电位决定.CCD摄象器件就是巧妙地实现了上述功能的器件.(2)行间传输方式     

视网膜摄象器

网膜摄象器是多功能、高性能摄象器件。本文详细介绍了其结构、工作原理和性能。     

380H×488V位窄沟道转移栅CCD摄象器

<正> 一、引言当 FET 的沟道宽度同栅耗尽区深度成同一数量级时,观察到了阈值电压的增加。这种窄沟道效应在两相工作的 CCD 中,已成功地被用于电极下建立一个不对称势阱。新结构的可行性已在242单元模拟延迟线中被证实。目前,业已应用于380H(水平)×488V(垂直)位CCD 摄象器中。图1表示 CCD 摄象器的方框图。这种器件由帧转移 CCD 构成。它包括380×244位的摄象区,380×244位的存贮区和380位水平移位寄存器。器件的芯片尺寸是10.1mm×14.6mm,而摄象面积为8.8mm×6.6mm,它是由2/3in 图象格式的光学系统     

固体摄象器件的新进展

固体摄象器件最近进展,主要表现在二个方面:一是8.1mm(1/3英寸)CCD摄象器件的性能全面超过以前的12.7mm(1/2英寸)CCD器件;二是已作出试验性HDTV CCD摄象器件。固体摄象器件获得如此巨大进展,主要是由于在工艺技术上作了许多改进。     

压电双晶片致动元件的应用

本文回顾了压电双晶片致动元件各种应用的现状.这些应用包括高分辨率彩色喷墨打印机、气流发生器件、压电陶瓷继电器、压电旋转马达、光纤开关和CCD摄象器.并讨论了各种器件结构的基本性能.     

大面积科学CCD摄象器的设计技术

描述了大面积科学CCD摄象器设计的两项关键技术：亚电子噪声技术和CCD钉扎技术。     

大面积科学CCD摄象器的设计技术

描述了大面积科学 CCD摄象器设计的两项关键技术 :亚电子噪声技术和 CCD钉扎技术。     

适用于X射线摄象和其它用途的新型沟槽限定MISIM CCD结构

本文提出并分析了一种新颖的电荷耦合器件(CCD),这种器件是一种采用沟槽限定的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)夹层结构。这种CCD具有很高的电荷容量和很深的光致载流子收集深度。沟槽CCD结构在X射线摄象以及高密度可见光和红外光摄象方面都具有潜在应用前景。     

新型红外摄象器件的研制

东京大学生产技术研究所的生驹俊明教授等人利用半导体中深杂质能级,成功地试制了新型红外摄象器件。在硅材料中,通过扩散杂质,形成深杂质能级的肖特基结。其原理是:当红外线激发时,结中深能级所束缚电子的电荷状态变化,用作信号取出。以前只能在可见光领域中才能探测的硅材料,开始用作红外摄象器件。目前,红外摄象器     

内耦合型EBCCD的技术研究

电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)是一种微弱光信号成像器件,由于采用了内耦合的背照电荷耦合器件(CCD)结构,大大提高了该器件的探测灵敏度以及信噪比,使其探测的弱光下限能更低.采用国产面照CCD,成功研制出了具有背照功能的CCD以及能耐电子轰击的EBCCD.简单介绍了这种器件的工作原理、结构特点以及关键研究内容,并列出了实验分析及结果.     

NEC研制超高分辨率CCD摄象器

<正> NEC试制成功的CCD摄象器是在一个芯片上集成了1280(水平)×970(垂直),共计约124万个象素。作为摄象传感器来说,这个数目在当今世界上是最高的。本器件采用垂直型溢出漏的结构。估计大约需要二、三年的改进,才能进入实用阶段。它将适用于高分辨率视频摄象机,OA机器,图象处理,工业机器人等领     

基于CPLD的CCD驱动时序电路设计

为了克服早期电荷耦合器件CCD驱动电路体积大、设计周期长、调试困难等缺点,提出利用复杂可编程逻辑器件CPLD,结合硬件描述语言VHDL,实现线阵CCD的驱动时序电路设计。通过在Max PlusⅡ平台下对驱动时序仿真,并进行实际测量,结果表明该设计方案实现了对CCD器件的时序驱动。     

电荷转移器件的地位及其发展方向

电荷转移器件是利用电荷群沿半导体表面移动而传输信息的器件。自1969年San-gster发表BBD和1970年Boyle及Smith发表CCD以后。此种器件迅速地发展起来。它与先后发表的磁泡器件和等离子体耦合器件一样,是具有移位寄存器功能的功能器件。不过,它与以往的二极管、晶体管等具有多种功能的电子器件有着根本的不同。组成移位寄存器的各芯片间必须用金属丝互连,但作为功能器件的电荷转移器件却可以直接连结。因此,可以提高集成度。该特点是功能器件本身所固有的。不过该功能的作用范围还不很广,这是其不足。但是,电荷转移器件有可能应用于自扫描摄象器、存储器、延迟器件等场合。     

MOS器件的超短脉冲激光辐照效应

电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤.在理论分析了影响MOS结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了MOS器件的光生电荷量以及响应电压和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系;实验研究了CCD对不同参数激光脉冲的光电响应特性.数值仿真表明,MOS器件的光生电荷量以及峰值响应电压和电流随激光脉冲的平均功率和脉宽的增大而增大,并且响应电压和电流有拖尾现象.实验结果显示,脉冲越短,CCD的响应阈值越低.研究结论对超短脉冲激光在光电成像方面的应用具有一定的意义.     

埋沟CCD器件电荷处理容量的二维数值模拟

借助于二维器件模拟软件PISCES-IIB,通过在某相CCD电极下的耗尽区注入数量可控的电子电荷,对埋沟CCD器件电荷容量进行了定量分析。采用此方法对一种沟道宽度为7μm的CCD信道电荷容量进行了瞬态模拟,对不同结深、不同沟道掺杂浓度对CCD电荷容量的影响进行了讨论。得到了此结构工艺参数的初步优化结果,即CCD沟道表面掺杂浓度为结深为1 μm时,埋沟CCD的电荷容量可达文章提出的方法适用于其他CCD单元结构电荷容量的模拟。     

一类新型信号处理器件—砷化镓声电输运器件

声表面波器件(SAWD)现电荷耦合器件(CCD)是目前实现模拟信号处理的成功器件。本文介绍一种兼有SAWD和CCD两者优点,且不难把频率扩展到微波频段的新型高速信号处理器件——声电输运器件(Acoustic Charge Transport Dviece ACTD)。在简要介绍了ACTD的基本结构、工作原理和特点后,给出了基于ACT原理的几种典型信号处理器件。ACTD是一种具有很大应用潜力的新型器件。     

视网膜摄象器

视网膜摄象器是多功能、高性能摄象器件。本文详细介绍了其结构、工作原理和性能。     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

激光对CCD固体摄象器的饱和干扰效应

本文主要研究不同脉冲宽度的1.06μm和0.53μm脉冲激光对CCD固体摄象器的饱和干扰效应。     

CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展

综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压和电荷转移效率等敏感参数的退化机制;从制造工艺、器件结构、工作模式等方面介绍了CCD抗辐射加固技术;分析了CCD辐射效应研究的发展趋势。