薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内完成，该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括Ｃ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｒ〉Ｎ以及Ｃ和Ｎ，Ｔｉ等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为３．６ｃｍ，其最大引     

用电子束蒸发法制备ZrO2薄膜

采用电子束蒸发的方法制备ＺｒＯ２薄膜，经Ｘ射线衍射和Ｘ光电子能谱分析证实：薄膜为具有立方结构的ＺｒＯ２薄膜，薄膜中缺氧，Ｙ原子的百分含量比蒸发原料中高．     

电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力测量

在圆形硅基底上采用电子束加热蒸发制备了二氧化钛薄膜。薄膜应力测试结果表明,二氧化钛薄膜的内应力分布是不均匀的;二氧化钛薄膜的内应力集中主要出现在薄膜的边缘区域,有正应力的集中也有负应力的集中。原子力显微镜(AFM)结果显示,不同的沉积速率和沉积温度下制备的二氧化钛薄膜具有不同的晶体结构和应力分布;沉积速率和沉积温度对二氧化钛薄膜内应力的影响是明显的,可以通过选择合适的沉积参数使内应力降低或达到最小。     

真空镀膜技术中的电子束加热式蒸发源

本文介绍了真空镀膜技术中电子束加热式蒸发源的结构、电子束加热原理、特点、优点和工作原理以及电子束加热源中电子枪坩埚的处理和电子枪冷却系统的供水问题。     

电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究

用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.     

电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.     

超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究

用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化合处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜，用Ｘ射线衍射，傅立叶变换红外光谱和Ｘ射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１０００℃分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。     

电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究

采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响.测试结果显示:(1)不同衬底温度下沉积的CdS薄膜均呈现了〈002〉晶向的高度优势生长,属于六方相结构.随着衬底温度的升高,还逐渐出现了〈103〉、〈004〉、〈105〉等六方晶向;(2)CdS多晶薄膜表面连续,致密性好,且晶粒大小随着衬底温度的升高而增大;(3)低温下制备CdS薄膜吸收谱有较宽的吸收边,随着衬底温度的升高,吸收曲线趋于陡直.制备样品在550nm波段后的平均透过率都超过70%,符合作为CdTe太阳电池的窗口层.     

电子束蒸发氧化钛薄膜的化学成分与显微结构

用电子束蒸发的方法在Ti盘上沉积氧化钛薄膜。分别用场发射扫描电镜,X射线光电子谱和X射线衍射分析所制备薄膜的表面形貌、化学成分和晶体结构,所制备的氧化钛薄膜的晶体结构依赖于制备过程中的沉积参数,薄膜的成分主要为金红石结构,是包含TiO2,Ti2O3和TiO三种结构的多晶体,随着沉积过程中氧气流量的增加,所制备的薄膜中高价钛离子(如Ti4+)的含量不断增大,同时低价钛离子(如Ti2+)的含量不断减小。随着氧气流量的增加和后续热处理温度的升高,薄膜的结晶度不断增大,并呈现出单一金红石(101)相位的趋势。     

电子束蒸发与磁控溅射制备Al/PI复合薄膜的性能研究

利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺(PI)薄膜基底上沉积了铝功能膜.测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率.结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越.     

镁合金强流脉冲电子束表面改性

选用变形镁合金AZ31和铸造镁合金AZ91HP作为研究对象,进行强流脉冲电子束表面处理研究,这种处理能够有效地提高镁合金的抗蚀性和达到表面强化效果.处理后样品表面呈起伏形貌,出现典型熔坑,重熔层4 μm～10μm,导致表面出现塑性变形,主要是孪晶形式.由于镁的蒸发和第二相Mg17Al12熔化,表面形成铝的过饱和固溶体.性能测试主要是摩擦磨损和抗腐蚀性能测试.近表层几百微米范围内均出现显微硬度值升高的现象,改性样品平均摩擦系数降低,耐磨性提高.处理后样品在5%NaCl溶液中抗腐蚀性能有显著提高,镁合金强流脉冲电子束处理后,铝固溶度增加,表面易于形成致密的氧化膜,动电位极化曲线测量结果显示极化电阻增大,自腐蚀电流降低,最大可降低三个数量级,极化电阻与之相反.     

一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统

由于薄膜生长均匀、沉积速率和膜厚易控、可制备大面积薄膜等特点,电子束沉积技术在超导薄膜、多层巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究.电子束沉积技术的关键是其薄膜生长和控制系统.本文基于微型计算机DA和IEEE 488接口技术,报道了一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统,自动化程度高,使用方便,名义薄膜厚度测量分辨率可达0.1A精度,可实现双源共蒸发功能和程序预设定的多源多层薄膜自动沉积.     

在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB_6薄膜及其界面的电学特性

用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。     

电子束蒸发制备CuAlO2透明导电膜及光学性质

利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.     

电子束蒸发制备氧化钨、氧化镍薄膜的电致变色性能

电致变色(EC)材料在外加电压作用下能可逆地改变其光学性能.其中氧化钨与氧化镍是典型的电致变色用材料.本文用电子束蒸发的方法在ITO玻璃基片上制备了此两种薄膜,研究了热处理工艺对薄膜结构与电致变色性能的影响.电致变色性能由电化学方法测试.封装的半固态智能窗器件具有很好的电致变色性能.     

电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

应用超高真空电子束蒸发方法，以铁作为催化剂，在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征，测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10—35nm的锥状纳米结构，并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能，发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。     

电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究

利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3 nm/min的条件下制得透过率T81%,电阻率p=1.9×10-3 Ω·cm的ITO透明导电膜.另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化.     

离子束辅助反应电子束蒸发TiO2薄膜的结构和光学性能

TiO2具有较高的折射率和介电常数,在光学和电子学方面有着广泛的应用。本论文采用离子束辅助反应电子束真空蒸镀法,以Ti为膜料,纯度为99．99％的O2为反应气体,通过电子束蒸发,在玻璃衬底上反应生成TiO2薄膜。使用XRD、SEM分别对50℃、150℃、300℃三个不同衬底温度下沉积的薄膜及其经过450℃真空退火1h后的结构进行了分析,对薄膜的折射率、透射率进行了测量。结果表明,与传统的电子束蒸发相比,离子束辅助电子束蒸发可以增加成膜原子的能量,使沉积的薄膜结构致密,所制备的薄膜具有较高的折射率,并且薄膜在可见光范围内具有良好的透过性能。