无掩模光刻技术研究

介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析.研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术.     

无掩模光刻技术的最新进展

据VLSI的报道,尽管浸入式光刻技术似乎为全球半导体工艺路线图又打开一扇明亮的窗.     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

衍射光学元件在无掩模光刻中的应用

描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。对比介绍了多孔透镜的结构和衍射聚焦原理,论述了利用多孔透镜抑制高级衍射焦点和焦平面上次级大的特性,可以提高光刻对比度、提高光刻分辨率、克服波带片受限于最小结构尺寸的缺点。     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来，１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很希望应用到０．１３μｍ ０．１３μｍ以下的集成电路工业中去，而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的．本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

如何有效提高光刻掩模版的使用寿命

本文从接触式光刻技术的角度出发，对引起光刻掩模版局部损坏的可能原因进行分析，并根据遇到的具体情况，提出改进方法，开发新的生产工艺技术，使接触式光刻机掩模版的寿命有了很大的提高，对提高产品的成品率和降低生产成本也有非常重要的意义。     

激光光刻与相移掩模

本文评述了激光光刻可能采取的方式及其待解决的问题,并对相移掩模技术作了概要的介绍。     

基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术研究进展

随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。     

一种数字光栅无掩模光刻对准方法

针对数字微反射镜装置(DMD)无掩模光刻系统,提出并研究了一种数字光栅无掩模光刻对准方法,将硅片的微位移放大显示在数字光栅与硅片物理光栅叠加产生的叠栅条纹中。建立了基于DMD的数字光栅无掩模光刻对准模型,设计了对准标记以及具体的实现方案,并对模型进行了数值仿真和初步的实验验证。结果表明,采用频率可变、图像干净、具有良好周期性结构的数字光栅代替传统的真实掩模光栅,真正实现了零掩模成本;并且采用变频率数字光栅可以扩大测量范围,减小位移测量误差。最终可以实现深亚微米的对准精度,满足目前无掩模光刻对准精度的要求。     

光刻掩模位相移动法动向

1 前言 半导体元件的微细化、高性能化,可借助于光刻技术飞跃地提高其分辨率而实现。迄今为止,光刻的能力仍依赖曝光装置的高性能化、抗蚀剂的高性能化、以及腐蚀过程的改进而得到提高。但是,最近除了以上途径之外,出现了利用光掩模提高分辨率的位相移动法,引起了各方面的关注。     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。     

电子束曝光技术发展动态

电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术,主要应用于0.1～0.5 μm的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光.文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用.     

光刻与微纳制造技术的研究现状及展望

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。     

离子束曝光技术

论述了离子束曝光技术的原理、特点，分析了其面临的关键技术问题，如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等，并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及取得的一些新结果。     

193nm浸入式光刻技术独树一帜

介绍了193nm浸入式光刻机和193nm光刻胶的最新发展动态以及下一代193nm浸入式光刻机。     

数字光刻系统的IC版图数据接口算法的研究

针对基于数字微镜阵列(DMD)的数字无掩模光刻系统,提出了一种新型IC版图数据接口转化算法,建立了版图数据到曝光数据的转化接口.该接口根据数字光刻系统的需求,以IC版图中工艺层为单位,在保证曝光精度的前提下,可以自动将高精度的IC版图数据转化为与DMD同像素结构的灰度数据.接口兼容GDSⅡ和CIF两种工业标准的IC版图数据,接口算法可以处理这两种IC版图数据中出现的所有基本图素.同时,利用矢量几何计算的方法,成功地解决了自交、重叠等特殊图素或以特殊方式组合图形的转换问题.实验证明,本接口算法具有低复杂度、高精度、高效率的特点,可以作为数字无掩模光刻系统有效的IC版图数据处理通道,对大规模集成电路的制作具有现实意义.     

电子束光刻制造软刻蚀用母板的研究

使用通用电子束曝光机,采用一种新的电子束微三维加工的重复增量扫描方式进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的微三维结构,以此为制作弹性印章的母模板,经硅烷化后可用来制作弹性印章,得到弹性印章后便可再利用软刻蚀相关技术进行微图形的复制.曝光实验的结论表明采用电子束重复增量扫描方式可用来制作微三维弹性印章的母版.