掺杂Bi4Ti3O12铁电陶瓷的制备及其铁电性研究

为了提高Bi4Ti3O12材料的剩余极化强度,改善材料的铁电性,作者以Bi4Ti3O12为基础,采用固相法制备了Bi4Ti3O12铁电陶瓷,并通过掺入稀土离子Nb5＋对其进行了改性,同时对试样的结构、形貌和铁电性能进行了测试．结果表明：Nb5＋掺杂并不改变材料的相组成;当掺杂量为0．08mol％时,材料的性能较好,晶粒大小均匀,平均晶粒尺寸为5μm;适量的Nb^5＋掺杂能够显著提高材料的剩余极化强度,当掺杂量为0．08mol％时,材料的剩余极化强度为14．2μC／cm^2,矫顽场为54kV／cm．     

摻杂Bi4Ti3O12铁电陶瓷的制备及其铁电性研究

为了提高Bi4Ti3O12材料的剩余极化强度,改善材料的铁电性,作者以Bi4Ti3O12为基础,采用固相法制备了Bi4Ti3O12铁电陶瓷,并通过摻入稀土离子Nb5 对其进行了改性,同时对试样的结构、形貌和铁电性能进行了测试.结果表明:Nb5 掺杂并不改变材料的相组成;当掺杂量为0.08 mol%时,材料的性能较好,晶粒大小均匀,平均晶粒尺寸为5 μm;适量的Nb5 掺杂能够显著提高材料的剩余极化强度,当掺杂量为0.08 mol%时,材料的剩余极化强度为14.2 μC/cm2,矫顽场为54 kV/cm.     

Bi4Ti3O12粉体的性能、应用及制备

介绍了钛酸铋粉体的结构、性能及应用，并重点介绍了钛酸铋粉体的几种主要制备方法。     

CaCu3Ti4O12陶瓷的高温介电弛豫研究

研究过渡金属氧化物在交变电场中的极化和弛豫行为有助于对此类化合物的输运机制的理解和介电、铁电等性能的优化。本文利用宽温宽频介电分析仪研究了CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷在室温以上的介电常数、弛豫和阻抗等性质。通过对阻抗谱的拟合分析表明,与室温以下介电弛豫机制不同,高温弛豫激活能与晶界电导激活能完全一致,说明高温下介电弛豫源于多晶陶瓷的晶界效应。     

La掺杂对SrBi4Ti3O15铁电介电性能影响

研究了La掺杂对SrBi4Ti4O13铁电介电性能影响，当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr极大值为17.8μC/cm^2，同时介电常数呈现极大。随La掺杂浓度升高，相变温度Tc降低。     

CaCu3Ti3.95Zr0.05O12陶瓷的介电性质研究

CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷具有高介电常数,研究掺杂离子对其结构和性质的影响有助于理解并优化其介电性能。本文利用X射线衍射仪（XRD）研究了CaCu₃Ti_3.95Zr_0.05O₁₂(CCTZ)陶瓷的结构,并利用宽温宽频介电分析仪研究了其在不同温度下介电常数、弛豫、阻抗和电模量等性质。XRD结果表明,5%的Zr能够完全并入到CCTO晶格中;阻抗谱和电模量的分析表明,低温和高温范围内的介电弛豫分别与晶粒和晶界的电学性质密切相关。Zr掺杂造成晶粒激活能增大,而晶界激活能几乎不变。     

CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及低温介电弛豫研究

利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件.XRD结果表明,1 100℃/12 h烧结条件下制备的CCTO陶瓷结晶性好且为纯相;介电测试表明,样品在低温下存在介电弛豫,分析表明低温介电弛豫来源于晶粒的本征效应.     

高取向钛酸铋陶瓷铁电和介电性能研究

采用改进的固相烧结法，制备出具有高c轴取向的Bi4Ti3O12铁电陶瓷样品，从对样品的铁电、介电测量中可以看出，样品的取向性对样品的铁电性能（剩余极化、矫顽场）、漏电流、介电性能等都产生了影响。     

Sr2Bi4-xLaxTi5O18铁电陶瓷性能的研究

采用固相烧结工艺制备了Sr2Bi4-xLaxTi5O18(x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75,1.00)陶瓷样品。用X射线衍射仪对其微结构进行了分析，并测量了其铁电、介电性能、。结果表明，随着La含量的增加，样品的剩余极化Pr和矫顽场Ec逐渐减小，这是由于La掺杂使得样品晶格畸变变小，从而导致剩余极化的降低。相变温度Tc随着La含量的增加而降低，这也与样品晶格畸变有关。     

Cr_2O_3及Nb_2O_5掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与介电性能

采用固相法制备了Cr2O3、Nb2O5掺杂的钛酸钙铜基高介电陶瓷,研究了Cr2O3、Nb2O5掺杂对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷晶体结构、显微结构及介电性能的影响.结果表明:当掺杂量x在所研究区域质量分数0~0.8%之间时,样品均形成纯钙钛矿固溶体;两种掺杂对钛酸钙铜陶瓷的晶体生长均有抑制作用,Cr2O3掺杂的样品在1100℃致密成瓷,Nb2O5掺杂的样品在1080℃致密成瓷;当Cr2O3掺杂量为质量分数0.4%、Nb2O5掺杂量为质量分数0.4%时,与纯CCTO相比,两种掺杂对陶瓷的介电性能均有明显的改善作用,室温、1kHz下陶瓷的介电损耗分别为0.04、0.17,Cr2O3掺杂钛酸钙铜陶瓷性能要优于Nb2O5掺杂的钛酸钙铜陶瓷.     

La掺杂对SrBi4Ti4O15铁电介电性能影响

研究了La掺杂对SrBi4Ti4O1s铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2Pr极大值为17.8 μC/cm2,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度Tc降低.     

Dielectric Properties of B_2O_3 Doped MgTiO_3-CaTiO_3 System Ceramics

1　IntroductionMgTiO3 basedceramicsarewellknownasmicrowavedielectricwithhighQvalueandlowτfvalue .Since1990s ,FerreiraetalReportedthemicrowavedielectricpropertiesofMgTiO3 CaTiO3ceramicsdopedwithLa2 O3,Cr2 O3[1 3] .Mostoftheresearcheswereconcernedwithimpro…     

金属有机物热分解法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺研究

由硝酸铋和钛酸丁酯原料出发,采用金属有机物热分解法（ＭＯＤ）制备了铁电钛酸铋薄膜;对先体溶液进行了红外光谱和差热分析,研究了旋转甩胶工艺和烧结温度与膜厚的关系,由Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相和断面形貌,得到：在４５０￣６５０℃较低烧结温度下即可合成钛酸铋致密多晶薄膜。薄膜厚度随烧结温度增高而减小,在５００￣６５０℃范围内基本呈线性,温度每增高５０℃膜厚减小约５％。     

Dielectric Properties of Ag（Nb1-xTax）O3 and Bi2O3 Doped Ag（Nb1-xTax）O3 Ceramics

Dielectric properties of Ag（Nb1-xTa）O3 and Bi2O3 doped Ag（Nb1-xTax）O3 solid solutions were investigated. The results show that with the increase of Ta content （x）, the sintering temperature increased, and the dielectric loss （tanδ） and the temperature coefficient （αc） decreased. Ag（Nb1-xa）O3 （x=0.4） ceramics sintered at 1 100℃ had the highest permittivity （516.8） and a lower tanδ （0.0021） at 1 MHz, and its temperature coefficient was about 191 ppm/℃. The sintering temperature of Ag（Nb1-xTa）O3 （x=0.4） was lowered by the addition of Bi2O3, and its dielectric properties were improved. Ag（Nb0.6Ta0.4）O3 ceramics with 2.5 wt% Bi203 addition presented the optimum dielectric properties （ε=566, tanδ= 0.0007 and αc≈0ppm/℃） （1 MHz）,     

不同造孔剂对CaCu3Ti4O12多孔陶瓷介电性能的影响

以碳粉和蛋清作为造孔剂,利用固相法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)多孔陶瓷.研究了造孔剂含量对CCTO多孔陶瓷体积密度、显微结构和介电性能的影响.结果表明,随着碳粉含量增加,体积密度先增加后减小;而随着蛋清含量增加,体积密度先减小后增加.和碳粉相比,蛋清加入制备的试样具有较小、较均匀的孔隙.当频率大于331.5KHz时,添加碳粉可以降低介电损耗.当频率大于4KHz时,添加碳粉介电常数有所下降.当频率大于2KHz时,添加蛋清可以增大介电损耗,但是增加幅度较小.添加蛋清可以增大介电常数.     

Effect of La Doping on Microstructure and Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method

The Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate using the sol-gel method. The effect of La doping on the microstructure and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 films were investigated. Both the Bi4Ti3O12 and Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films exhibited typical bismuth layered perovskite structure. The 2Pr (remanent polarization) value of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films is 18.6 Μc/cm2, which is much larger than that of Bi4Ti3O12 thin films. And the Bi3.25La0.75Ti3O12 films show fatigue-free behavior, while the Bi4Ti3O12 thin films exhibit the fatigue problem. The mechanism of improvement of La doping was discussed.     

不同A位元素（La、Y、Ca）的ACu3Ti4O12陶瓷介电性能研究

利用传统陶瓷烧结方法，成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu₃Ti₄O₁₂以及Ca被Y或La取代后的Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂和La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂体系.利用X射线衍射仪，测定了材料的物相结构，利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗.研究结果表明，3种材料结构相似，都具有相同的类钙钛矿结构，但Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂ 、La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂系统中具有较多的缺陷，这些缺陷是由Y和La取代Ca产生的，会对材料的介电常数产生很大的影响.体系满足极化模型，极化粒子的松弛活化过程直接与所需克服的势垒相关，而不同体系中存在的不同缺陷改变了ACu₃Ti₄O₁₂体系的松弛激活能，在Y和La取代Ca后的体系中松弛激活能要远大于取代前的CaCu₃Ti₄O₁₂体系.