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用化学气相沉积(CVD)聚合法制备了聚溴代对亚苯基二亚甲基(PPX-B r)膜,采用FT-IR和元素分析的方法证实了其化学结构。对膜溶解性和抗化学氧化性能的研究表明,聚溴代对亚苯基二亚甲基膜具有优异的耐溶剂性和抗化学氧化性能。对其热性能的研究表明,溴的引入使得膜的玻璃化转变温度降低,室温柔性增强,热降解性能与聚氯代对亚苯基二亚甲基(PPX-C)相似。与PPX膜相比,溴的引入对膜的亲水性能影响不大,而水汽渗透率明显降低,具有更好的防潮性。 相似文献
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CVDP制备的聚对亚苯基二亚甲基的表面磺化改性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学气相沉积聚合(CVDP)的方法制备了聚对亚苯基二亚甲基(PPX)涂层,再通过发烟硫酸的化学表面改性成功地在PPX的芳香环上引入磺酸基团,可作为进一步功能化的反应基团.与PPX相比,表面磺化改性PPX(PPX-SO3Na)的接触角变小,亲水性增加,更有利于作为生物医用材料.采用原子力显微镜(AFM)测定PPX和磺化PPX的表面形貌,结果表明,表面磺化改性后的PPX变得更光滑,更有利于作抗凝血涂层材料.Fenton试剂测得PPX-SO3Na的抗化学氧化时间略低于PPX,但由于膜的主链主要是由苯环连接而成的,相对其它常用聚合物来说依然具有较好的抗化学氧化性能. 相似文献
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合成了一种新的丁酸酰基取代对亚苯基二亚甲基二聚体,用化学气相沉积聚合法制备了聚丁酸酰基取代对亚苯基二亚甲基(PPX-COCH2CH2COOH)膜,采用FTIR、NMR的方法证实了其化学结构,采用元素分析方法测定苯环上丁酸酰基的取代程度为4.7%左右.对膜溶解性和抗化学氧化性能的研究表明,PPX-COCH2CH2COOH膜具有优异的耐溶剂性和抗化学氧化性能.丁酸酰基的引入使得薄膜的结晶度有所下降.含有丁酸酰基取代基的聚合物的热稳定性较好.PPX-COCH2CH2COOH膜可以和肝素等反应,甲苯胺蓝法测得肝素含量为15.8μg/cm2. 相似文献
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通过化学气相沉积(CVD)聚合法合成了聚乙酰基对苯撑二甲基,采用红外光谱(FTIR)证实了二聚体和气相沉积聚合物的化学结构.与聚对苯撑二甲基聚合物相比引入乙酰基后聚合物的溶解性、介电常数和损耗因子均有所提高.将红外光谱与热重(TG)分析相结合研究了聚合物膜的热降解性能,表明聚乙酰基对苯撑二甲基的热降解基本上经历3个阶段,首先是乙酰基降解,接着是连接苯环的亚甲基,最后是苯环的降解.尽管聚乙酰基对苯撑二甲基的初始热降解温度低于聚对苯撑二甲基,但仍有普通热塑性高分子材料的热稳定性.聚乙酰基对苯撑二甲基是一类优良的、具有一定极性从而具有较好底物附着力的敷形涂层材料. 相似文献
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聚对苯(撑)二甲基膜的化学气相沉积(CVD)聚合 总被引:4,自引:0,他引:4
采用化学气相沉积(CVD)聚合工艺制备的对苯撑二甲基聚合物可广泛应用在航天、航空、军工、电子、生物医学工程、控制系统、文物保护、纳米材料和磁性材料等诸多领域.综述了聚对苯(撑)二甲基系列膜的化学气相沉积聚合工艺和原理,介绍了底物温度和沉积舱压力等主要因素对膜沉积率的影响和膜的一些主要性能,并讨论了典型的Parylene N膜的光氧降解性能. 相似文献
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以甲基磺酸(MSA)为溶剂通过溶液共混法制备了不同多壁碳纳米管(MWNTs)含量的多壁碳纳米管/聚亚苯基苯并二噁唑(MWNTs/PBO)复合材料, 用扫描电镜(SEM)对热处理前后复合材料的微结构进行了分析, 并对其导电、力学和耐热性能进行了研究。结果表明: MWNTs能均匀地分散在聚合物基体中, 并能形成一定的网络结构, 热处理后的复合材料较热处理前的结构更致密, 导电性能和力学性能都有所改善, 其中MWNTs质量分数为10%的热处理后复合材料与纯PBO聚合物相比, 体积电阻率降低约9个数量级, 而拉伸强度和拉伸模量分别提高了95%和53%, 耐热性能也有一定的提高。 相似文献
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聚六亚甲基碳酸酯二醇增韧环氧树脂的结构与性能 总被引:6,自引:0,他引:6
采用羟基封端的脂肪族碳酸酯-聚六亚甲基碳酸酯二醇对环氧树脂进行了增韧,通过扫描隧道显微镜,扫描电子显微镜,差示扫描量热分析以及动态力学性能分析等方法研究了增韧EP的结构与性能的关系。 相似文献
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本工作采用前端聚合法制备聚(N-乙烯基己内酰胺-co-N,N-二甲基丙烯酰胺)智能水凝胶,针对两种单体,即N-乙烯基己内酰胺( N-VCL)和N, N-二甲基丙烯酰胺(DMAA),研究了单体物质的量比、交联剂和引发剂用量对前端聚合参数以及共聚水凝胶性能的影响,并用阿司匹林作为模型药物,评价了共聚物水凝胶对阿司匹林的负载和缓释效果.实验表明,共聚产物具有温度敏感性,相转变温度在25~40 ℃之间,单体N,N-二甲基丙烯酰胺(DMAA)加入之后,凝胶对温度刺激的敏感性响应更为明显.随单体DMAA含量的增加,波温、波速也升高,温室溶胀率增加.当n(N-VCL) ∶ n(DMAA)=5 ∶5时,水凝胶的温敏性最好;随交联剂用量的增大,共聚凝胶室温溶胀能力、温敏性均有所降低;随引发剂用量的增加,相变温度升高.随单体DMAA比例增加,在25 ℃和37 ℃两种温度下凝胶载药量均增加,但就释药效果而言,在37 ℃下凝胶释药效率更高,总释药率也更高. 相似文献
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以甲基氢二乙炔基硅烷、甲基氢二氯硅烷和二苯基二氯硅烷为主要原料,通过格氏试剂与二氯硅烷的缩合反应,合成了一种硅炔杂化耐高温树脂聚(甲基苯基-间乙炔基硅烷)(PMPS)。采用傅里叶变换红外光谱、核磁共振和凝胶渗透色谱对其结构进行了表征;利用傅里叶变换红外光谱和差示扫描量热技术分析了树脂的固化行为;采用热重分析考察了树脂固化产物的热稳定性能。结果表明,PMPS树脂的数均相对分子质量为1140,相对分子质量分布系数为1.34,常温下黏度适中,具有良好的加工性能。树脂通过硅氢加成反应和Diels-Alder反应形成交联网络结构,固化产物具有良好的热稳定性,在空气和氮气气氛中失重5%时的温度(Td5)高于550℃,1000℃的质量保留率大于65%。 相似文献
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Growth of c-GaN films on GaAs(100) using hot-wire CVD 总被引:1,自引:0,他引:1
Cubic gallium nitride (GaN) films were grown on nitrided layers of GaAs(100) by hot-wire chemical vapor deposition. The nitrided layer was also formed by NHx radicals generated on a tungsten hot-wire surface. Nitridation conditions for the growth of GaN with a cubic-type structure were investigated. As a result, GaN film with a preponderant cubic phase was grown on the GaAs surface layer nitrided at a substrate temperature of 550 °C, a filament temperature of 1200 °C and an ammonia (NH3) pressure of 1 Torr. 相似文献
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Tyler P. Martin 《Thin solid films》2008,516(5):681-683
Initiated chemical vapor deposition (iCVD) is a technique used to synthesize polymer thin films and coatings from the vapor phase in situ on solid substrates via free-radical mechanisms. It is a solventless, low-temperature process capable of forming very thin conformal layers on complex architectures. By implementing a combinatorial approach that examines five initiation temperatures simultaneously, we have realized at least a five-fold increase in efficiency. The combinatorial films were compared to a series of blanket films deposited over the same conditions to ensure the combinatorial system provided the same information. Direct synthesis from the vapor phase allows for in situ control of film morphology, molecular weight and crosslinking, and the combinatorial system decreases the time required to find the relationship between these interrelated properties. Some coatings were tested for antimicrobial performance against E. coli and B. subtilis. 相似文献
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CVD法与PCVD法TiN薄膜研究 总被引:6,自引:0,他引:6
用等离子增强化学气相沉积(PCVD)法和化学气相沉积(CVD)法分别制备TiV系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能,研究表明,PCVD法TiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的CVD法薄膜,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小,均匀,形态圆整,组织致密;CVD法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差,PCVD法TiN系薄膜的声望生和结合力等力学性能可达或优于同类CVD法薄膜,虽然PCVD法薄膜的氯含量(约为2%)远主CVD法薄膜(约为0.5%),但PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于CVD法薄膜,还研究分析了PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。 相似文献
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CVD金刚石薄膜(111)与(100)取向生长的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用非平衡热力学耦合模型计算了CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2与CH3浓度之比[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面。添加氧后C2H2与CH3浓度都将下降,但C2H2下降得更多,因而添加氧也使[C2H2]/[CH3]下降,从而有利于生长(111)晶面的金刚石薄膜。 相似文献