自动切割取样装置研制

在分离短寿命裂变产物时,辐照后的样品经“气动传输系统”传出后,需将样品从样品盒中取出。因研究对象是半衰期为分钟级的短寿命核素,取样时间应尽可能的短。刚辐照后的样品剂量水平为居里级。为此,本工作针对液体样品的快速切割取样进行了研究,并成功研制出“自动切割取样装置     

γ—辐照对GH33A镍基高温合金蠕变性能的影响

测量了γ－辐照对ＧＨ３３Ａ镍基高温合金蠕变性能影响的蠕变曲线、正电子寿命谱和Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽谱。结果表明：无镁样品辐照后，塑性提高３８．１％，断裂寿命不变，而含镁样品辐照后，断裂寿命和塑性均下降，辐照的无镁样品经负蠕变后加载，断裂寿命增加９．４％，塑性下降２５．６％，辐照的长时效含镁样品经负蠕变后再加载，断裂寿命显著增加，同时塑性保持不变。     

正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性

用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子（12MeV）辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性，发现在160kGy剂量内，正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长，中间成分的强度则减弱，但当剂量为320kGy时，各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中，当剂量为80kGy时，正电子中间寿命强度I2增加，长寿命成分的强度I5则有所减少。之后，随着电子辐照剂量的增加，则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与I5相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的，并为其宏观特性（如力学性质变化）的改变提供了微观依据。     

高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究

用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。     

高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究

用1．15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明,在未辐照二氧化硅玻璃中有近81％的正电子是以正电子不的形式湮灭的;根据o-Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0．02－0．13nm^3的区域里,平均自由体积半径为2．5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄,峰位下降,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加,而相应于o-Ps的寿命成分的强度逐渐减小,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大,从而减小了正电子素的形成几率。     

用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应

国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300 ℃温度下,用100 MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5 dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明：两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命,表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷;两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小,分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布,主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界,正电子被相界捕获,与周围Fe原子电子湮没,造成湮没寿命减小。     

在线熔化靶气相热色谱分离装置的结构和主要特性

为研究中能重离子轰击天然Ｐｂ厚靶生成的较短寿命的Ｈｇ同位素产物，研制成功一套带有跑兔系统的气相热色谱装置，它可自动进行靶辐照并可实现Ｈｇ产物快速脱出、分离和收集。收集的样品被传送到低本底测量站而不破坏真空。利用此中分离半衰期２０ｓ或更短一些的核系。     

利用短寿命核素中子活化分析煤和煤灰中微量元素

本工作是利用短寿命核素快速分析煤和煤灰中的微量元素。工作中使用双标准方法,选用Au、Mn作标准,数据处理采用自编计算机程序。特点是省时、省力,操作程序简单。辐照中子通量为1×10~(12)n/cm~2·s,样品重量为250mg,煤样辐照5分钟,灰样辐照2分钟,均冷却30分钟,测量6分钟。一个样品,通过一次测量可分析出近20种元素,所用分析周期不到1     

质子辐照钼退火行为的正电子寿命谱学研究

室温下用3.2MeV质子对多晶纯钼样品进行了辐照,用正电子寿命测量技术研究了辐照损伤及晶格缺陷在293～1138K温区内的退火行为,得出了许多有关空位团生长以及氢-缺陷相互作用的信息。辐照后在Mo中产生2～3个空位的聚集体,其浓度随辐照剂量增加而增加。从所测得正电子寿命、强度参数的变化获知高温退火后空位团的增长行为以及氢原对空位团长大的影响。     

质子辐照钼退火行为的正电子寿命谱学研究

室温下用3.2MeV质子对多晶纯钼样品进行了辐照,用正电子寿命测量技术研究了辐照损伤及晶格缺陷在293～1138K温区内的退火行为,得出了许多有关空位团生长以及氢-缺陷相互作用的信息。辐照后在Mo中产生2～3个空位的聚集体,其浓度随辐照剂量增加而增加。从所测得正电子寿命、强度参数的变化获知高温退火后空位团的增长行为以及氢原对空位团长大的影响。     

中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究

用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。     

用正电子湮没寿命方法研究高能碳离子辐照纯镍的损伤分布

用42.5MeV/A的C~( 6)离子对叠层纯Ni样品进行辐照,剂量为1.33×10~(15)ions/cm~2。用正电子湮没寿命方法对辐照后的样品以4片为一组依次做测量,获得了样品中沿束流入射方向的损伤分布。实验所得到的损伤峰位置与理论计算结果基本符合。     

用正电子湮没寿命方法研究高能碳离子辐照纯镍的损伤分布

用42.SMeV/A的C~( 6)离子对叠层纯Ni样品进行辐照,剂量为1.33×10~(15)ions/cm~2。用正电子湮没寿命方法对辐照后的样品以4片为一组依次做测量,获得了样品中沿束流入射方向的损伤分布。实验所得到的损伤峰位置与理论计算结果基本符合。     

高温He离子辐照引起的Hastelloy N合金微结构变化研究

本文采用30 keV的He离子辐照Hastelloy N合金,辐照温度为500C,剂量分别为:1×10¹⁵、×10¹⁵、1×10¹⁶He⁺/cm²。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了辐照后块体样品的表面形貌。结果表明,辐照后的块体样品均观察到了表面起泡现象。利用透射电子显微镜（TEM）研究了辐照后TEM样品微结构的变化。结果表明,低剂量(1×10¹⁵ He⁺/cm²)辐照的样品中出现了黑斑缺陷;随着辐照剂量的增加,开始出现位错环及纳米级的氦泡,同时黑斑密度减少;当剂量增至1×10¹⁶He⁺/cm²,位错环以及氦泡的尺寸和密度明显增大,晶界处氦泡更加密集。     

低能氮离子注入固体乙酸钠的质量沉积效应

对２５ｋｅＶ氮离子束辐照固体乙酸钠引起基分子结构的变化进行了研究，通过红外光谱的测定，发现氮离子辐照乙酸钠样品后的产物中含有新的化学基团，再配合 水合茚三酮反应等化学方法，分析得知辐照后的样品中含有氰基和氨基等产物。     

硫酸镁的热释光和电子自旋共振特性研究

采用无水硫酸镁粉末样品，经＾６０Ｃｏγ辐照后，进行热释光和电子自旋共振平行研究，用热释光一般级动力学和方程拟合热释光发光曲线，采用不同升温速率法计算出的陷阱深度和频率因子作为拟合初始值，得到三个基本发光峰的峰参数和陷阱参数。在室温或－１５０℃下观测ＥＳＲ谱，并进行了恒温等时退火特性研究。用“复合作用响应函数”拟合ＴＬ／ＥＳＲ剂量响应曲线，使用的γ辐射剂量范围为１０－２×１０＾４Ｇｙ。     

EDF的研究数据表明压水堆压力容器能安全工作50年

【美国《核子周刊》 1998年 10月 2 8日报道】　法国电力公司 (EDF)正悄然制定计划 ,研究可使其反应堆压力容器寿命达到 5 0年的技术。EDF核电站运行部负责反应堆容器项目的经理 G.Bezdikian说 ,公司正准备在 90 0MW压水堆的第 2 0个年度停堆期间将备用辐照样品盒放回其中 ,这项工作首先于今年底在特里卡斯坦 1号反应堆里进行。他还说 ,以前对样品盒的辐照已经得出了有关容器基体金属和焊接材料在 40年(EDF现在假定容器寿命为 40年 )间性能变化的数据。最初的四个辐照盒分别在容器内放置了 4年、 7年、 9年和 14年后取出。但EDF不仅…     

固体核径迹和多层镀膜用于红外光抗反射研究

本工作用HI．13串列加速器产生的32S粒子（能量140MeV,流强20nA）辐照厚度为20um和50gm的聚酯样品,辐照的离子积分束流为10^8和10^9cm^-2。辐照过的聚酯样品用NaOH溶液（浓度6．25mol／L,温度65℃）蚀刻后,在表面真空蒸镀一层纳米级的金属银、石墨和氟化镁。     

D-D中子辐照单晶TiO2的损伤特性

利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。     

气体裂变产物88Kr的放化分离方法

为了制备满足88Kr核参数测量的样品,本工作研究了88Kr的放化分离方法。以85Kr、125Xe为放射性示踪剂研究了活性炭柱对Kr和Xe的吸附分离条件。结果显示,在0℃下Xe能被活性炭柱快速吸附而Kr不吸附。研制了一套适用于短寿命气体裂变产物分离的装置系统,使用辐照的铀靶进行了88Kr样品的分离。Kr的收率大于90%,Xe及I的去污因子大于1×104,整个操作过程可在5min内完成。