双向主动式高精度晶体控温仪

利用半导体致冷器可以加热又可以致冷的双向性，研制成双向主动式高精度控温仪。在１５～３２℃范围内，控温精度高达±０．００４℃。用于控制ＫＴＰ晶体温度，在ＯＰＯ实验中获得稳定的参量下转换输出。     

半导体激光器的高精度温控仪

温度对半导体激光器的特性有很大的影响.在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度的控制。本文利用高信噪比的运算放大器和普通的负温度系数温度传感器及半导体致冷器做控温元件,研制了一种用于半导体激光器温度控制的高精度温控仪,控制精度可达±0.05℃.     

大功率半导体激光器高精度温控系统研究

为了减小温度对半导体激光器输出光波长和功率稳定性的影响,设计了由恒流模块驱动半导体制冷器,通过改变恒流模块的电流来控制半导体制冷器的制冷量,利用分段积分的比例-积分-微分控制算法,选择最优控制参量,实现大功率半导体激光器的精密温控系统。系统包括高精度测温电路、控制核心DSP F28335、半导体制冷器控制电路、人机交互及通信模块。在5℃~26℃环境下对系统进行测试,实现50W大功率半导体激光器的恒温控制,温控范围为15℃~45℃,温控精度达到0.02℃。结果表明,该系统温控范围广,控制精度高,满足大功率半导体激光器的温控要求。     

一种高效率的新型激光器温度控制与功率驱动电源

为了满足低成本、高效率、高精度的需要,设计开发了一种半导体激光器基于PWM功能的驱动直流恒流源和恒温控制电路,并实现了单片机程序控制,可以满足单机操作、现场控制和远程控制等各种需求。文章设计的激光器驱动恒流源和恒温控制电路操作方便,显示直观,控制精度高,输出特性好;可以最大提供3A的恒流驱动电流和温控电流,激光器输出功率稳定性小于0．01dB,温度稳定性小于0．01℃。     

基于半导体激光器高精度恒温系统设计

为了在宽温环境中保证半导体激光器能够稳定地输出功率和波长,针对半导体激光器体积小、重量轻及对温度稳定性要求高等特点,在采用负温度系数热敏电阻作为温度传感器并对其输出信号进行处理的基础上,设计了基于微控制单元的半导体激光器温度控制系统,并在软件上采用了直接比例积分微分算法等方法。通过微控制单元调整输出调制信号脉宽和幅值,从而改变半导体致冷器的驱动电流的大小和方向,并进行了相应理论分析和实验验证,可知半导体激光器工作温度稳定在25℃左右,且温度稳定精度为±0.1℃。结果表明,该高精度温度控制系统在宽温环境中控制精度高、响应速率快,优于其它同类产品。     

基于ARM的高精度可调谐LD温度控制器

为了满足高精度激光气体检测中对激光二极管(Laser Diode,简称LD)工作温度控制的高精度要求,设计了一种基于ARM的高精度可调谐LD温度控制器.由高精度温度采集模块将LD的工作温度输送给ARM控制器,ARM控制器通过PID控制算法得到控制量,驱动半导体制冷器(TEC)进行加热或制冷,使LD的工作温度稳定在设定值.经实验测试,该温度控制器的温控范围为5℃至60℃,控制精度为±0.01℃左右,具有极高的稳定性和较短的响应时间.     

小型大容量电源以2U尺寸实现3300W功率

可变电源被广泛应用于半导体制造装置、医疗机器、老化检查、计量设备、以及液晶、有机EL、PDP、研究开发装置上,用途多种多样.其全球通用性、小型大容量化、以及高精度控制等性能已经成为日渐迫切的市场需求.     

32位MCU凸现存储与以太网连接性能

可变电源被广泛应用于半导体制造装置、医疗机器、老化检查、计量设备、以及液晶、有机EL、PDP、研究开发装置上,用途多种多样。其全球通用性、小型大容量化、以及高精度控制等性能已经成为日渐迫切的市场需求。     

高精度激光温控系统设计

针对大功率半导体激光器精确温控较为困难的问题,提出了一种高精度温控系统的设计方法。该系统采用数字PID控制以及细分温度区间的方法,实现了精确温控。在对某大功率激光器的试验中,在高低温环境下,温控精度可以达到±2℃。试验结果表明,该系统温控精度高,加热/制冷效率高,为大功率半导体激光器的温度控制提供了一种良好的解决方案。     

基于DS18B20和最小二乘算法修正的测温系统的设计

本文介绍了以STC89C52单片机和达拉斯半导体公司研制的数字式温度传感器-DS18820为核心器件的高精度测温系统的设计,并利用最小二乘算法结合更高精度的温度计MS6506对其进行温度系数修正,使误差范围由原先的±0．5℃降到±0．1℃以内。在计算修正系数时,借助Matlab工具进行矩阵运算。本系统稳定,价格低廉,精度高,可广泛应用于多种领域。     

TEC 的高精度半导体激光器温控设计

热电制冷器（TEC）作为半导体激光器（LD）的制冷方案,具有体积小、易于控制等优点。但基于TEC 的制冷方案中TEC 的制冷功率和目标散热功率之间需要有良好地匹配关系,否则将会导致制冷不足或者导致功耗过大。根据LD 组件热负载匹配TEC 制冷功率,并通过比例-积分-微分（PID）控制方法实现温控参数的优化设计,实现了基于TEC 的LD 温度控制系统。经实验验证:该系统能够对LD 的工作温度实现控制范围为5℃~41℃、稳态误差小、控制精度为0.05℃的高精度、高稳定性控制,并在高精度的波长测试中得到了很好的应用。     

半导体激光器温度控制研究

温度对半导体激光器的特性有很大的影响。为了使半导体激光器输出功率稳定,必须 对其温度进行高精度的控制。利用PID 控制网络设计了温控系统,控制精度达到±0. 01 ℃,与无PID 控制网络相比,极大的提高了系统的瞬态特性,并且试验发现采用带有温控系统的半导体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善。     

ST新一代上桥臂电流检测芯片TSC1021投入量产

意法半导体(STMicroelectronics)推出新一代上桥臂电流检测芯片,引领电池监控、电源管理及电机控制等控制功能向低成本高精度迈进。作为单片上桥臂电流检测放大器,意法半导体的TSC1021可简化     

基于DSP的高精度恒温控制系统设计

为使半导体激光器输出的波长稳定,必须对其进行高精度的恒温控制.设计一种基于DSP(数字信号处理)的高精度恒温控制系统,利用24位高精度的A/D转换器将模拟的温度信号转化成数字信号,经DSP处理,以PWM(脉宽调制)方式驱动全桥电路,用电流控制热电制冷器的输出温度.使工作温度稳定在±0.1℃以内.     

上海光机所研制成功多路并行激光直写系统

2010年11月,上海光机所周常河研究员课题组成功研制出多路激光直写装置。该装置采用405nm的蓝光激光光源．尼康0．9数值孔径的透镜,以及自动聚焦系统,实现了25路高精度并行激光直写,刻写光斑的线宽小于600nm。相比于传统激光直写系统,该装置在刻写速度和效率方面有了很大的提高,几十倍地缩短了激光直写时间,可以快速制作大尺寸、高精度衍射光学元件。     

一种半导体激光器的精密温度控制电路

为了使半导体激光器(Laser Diode,LD)输出稳定的波长,必须精确控制对其特性影响很大的工作温度。以单片机为控制核心,采用高精度的负温度系数热敏电阻(Negative Temperature Coefficient resistance,NTC)结合半导体制冷器(Thermal Electronic Cooler,TEC)的方案,对TEC的驱动采用脉宽调制(Pulse Width Modulation,PWM)方式和“H”桥式电路来实现,研制了一种对2A电流的半导体激光器进行精密温度控制的电路,控制精度可达±0.1℃。     

首尔半导体应用于交流电的LED照明技术Acriche开始供货

首尔半导体（Seoul Semiconductor Co．Ltd．1最近宣布已成功大量生产可以用于交流电的半导体照明技术Acfiche。Acfiche可以直接接驳到110V或220V的插头，免除装置直流电变压器等额外电路的需要。     

高精度半导体激光器温控系统的设计与实现

为了使半导体激光器辐射波长和发光强度的稳定性不受环境温度的影响,设计了一款高精度半导体激光器温控系统。采用AD620和LTC1864芯片设计了温度采集电路,用MAX1968和LTC1655设计了温度控制电路,而用TMS320F2812实现对整个系统的精确控制;提出了自适应模糊比例-积分-微分控制策略并完成了软件实现。在环境温度约15℃时,分别设定25℃和20℃进行试验,温度控制精度达±0.05℃。结果表明,该温控系统响应速度快、稳定性高。     

外腔半导体激光器的高精度双稳温度控制

温度对于外腔半导体激光器的特性有很大的影响,对其温度进行高精度的控制,是保证外腔半导体激光器输出波长稳定的关键技术之一。本文介绍了外腔半导体激光器的高精度温度控制原理和方法,提出了采用PID控制原理的模拟电路设计和以单片机为核心的数字电路设计相结合的双稳温度控制方案,并对其进行了理论分析和实验研究。     

高稳定度半导体激光器电源

设计并实现了一个高精度的半导体激光器驱动系统, 该系统包括温度控制和电流控制两部分。温度的控制范围为室温下±1.50×101 K, 控温精度优于1.81 mK, 标准差小于0.20 mK。电流的调节范围为0~2.00×102 mA, 纹波小于1.00×102 nA。该系统驱动外腔半导体激光器时可以保证激光器输出的频率稳定度在10 s内达到1.00×10-9, 满足原子分子物理和激光光谱学等领域对高精度激光器的需求。