恒流二极管的扩流及调光

恒流二极管(CRD)可以通过多个并联的方法来实现扩大输出电流,但在要求输出电流较大时(如350mA),则需要并联的CRD数量太多,这不仅造成占PCB的面积大,而且会增加生产成本.本文介绍一种CRD扩流电器,电路较简单,有较好的恒流精度,并且有调光功能.另外,本文还介绍一种可采用PWM信号来调节CRD驱动LED电路的通断...     

浅析限流电路

本文结合GB4943.1-2011《信息技术设备安全第一部分:通用要求》标准对限流电路的作用及含义,评测要素,适用场合,测试方法及应用实例等四个方面进行阐述.     

电源系统中线性扩流电路研究

在设计电源过程中为了达到系统所要求的电流,作者通过对几种扩流电路的对比研究与实验,总结了几种较为理想的线性分压扩流方式—电阻分压扩流与三极管分压扩流。这些扩流电路扩流效果明显,电路结构简单,成本低廉,非常适合对电源转化效率要求不是很高的场合。     

热插拔控制器构成限流电路

为避免电源在系统出现短路或过载时损坏,常采用限流电路为电源提供保护.针对这种应用,集成电路制造商提供了内置P沟道MOSFET和限流门限可调的芯片,这些芯片大多用于5V系统,将系统的最大电流限制在2A以内,电流精度较低(20%至50%).利用具有电流调节功能的热插拔控制器可构成高精度的通用限流电路(图1),外部MOSFET和电流检测电阻使该类芯片可用于3V至12V供电系统,CTIM引脚接地,抑制芯片的双速/双电平检测功能,使芯片处于开启模式.依照下式选择检流电阻、设置限流门限:ILIM=(200mV)/RSENSE(RSENSE 为检流电阻)     

热插拔控制器构成限流电路

为避免电源在系统出现短路 或过载时损坏,常采用限流电路为电源提供保护。针对这种应用,集成电路制造商提供了内置P沟道MOSFET和限流门限可调的芯片,这些芯片大多用于5V系统,将系统的最大电流限制在2A以内,电流精度较低（20%至50%）。利用具有电流调节功能的“热插拔控制器”可构成高精度的通用限流电路(图1）,外部MOSFET和电流检测电阻使该类芯片可用于3V至12V供电系统,CTIM引脚接地,抑制芯片的双速/双电平检测功能,使芯片处于开启模式。依照下式选择检流电阻、设置限流门限：ILIM = (200mV)/RSENSE （RSENSE 为…     

关于隧道二极管电路

隧道二极管的伏安特性是一条“N”形的曲线,含有隧道二极管的电路是一种非线性电路。研究非线性电路的一种有效方法是分段线性化法,它的特点是把非线性的求解过程分成几个线性区段,对每一个线性区段再应用线性电路的分析方法。本文完整地阐述了分段线性化法的步骤,对如何建立线性化后的方程,进行了较详细的讨论,并在每一个线性区段,建立求解工作点的一组线性方程。最后求解这些方程,它们的有效解就是隧道二极管电路实际的工作点。     

二极管实用电路两例

<正> 一、电源极性自动识别电路 在电子装置中,常常要用直流电源供电,且电源的极性必须按要求连接,若因疏忽接反了电源的极性,就会损坏电路中的元件。本文介绍一种电路(见图1),无论你在接线时怎样连接(正极接C或接D),二极管桥式 电路均能自动识别电源的极性,使输出电压极性始终保持不变。 例如当C端接电源正极,d端接电源负极时,二极管D_1和D_3,导通,D_2和D_4截止,负载上可获得正的直流电压;若C端接电源的负极,d端接电源的正极,则D_2和D_4导通,D_1和D_3截止,负载上仍可获得正的直流电压。可见由于二极管桥式电路的作用,输入电源的极性可任意连接。     

二极管的应用电路

利用晶体二极管的单向导电性能,可以组成各种用途的应用电路,现把常用电路简介如下。一、桥式整流电路在各种电子设备中都需要直流电源,最常用的整流电路是由四个二极管组成的桥式整流电路,如图1所示。交流电压(例如市电220V)经变压器降压后作用在桥式整流电路上,如变压器次级电压正半周为上正下负,则电流流通的路径为D_1—R_L—D_3,如图中箭头所示;当次级电压为上负下正时,电流的流通路径为D_2—R_L—D_4,不论正半周还是负半周输入,在     

Passive Phase-Distortionless Parametric Limiting with Varactor Diodes

The theory of passive parametric limiting with a varactor diode as the nonlinear element is developed and verified experimentally. The limiting is found to be flat and phase-distortionless. Expressions are given for threshold level, dynamic range, bandwidth, and power dissipation. The transient phenomena, comprising leading- and trailing-edge leakage spikes, are studied theoretically and experimentally, and found to be small in typical instances. Experimental results reported upon include a simple waveguide limiter structure at S band; a lumped-circuit limiter at 126 Mc; and a strip-line limiter using a pill varactor at S band. The latter has an insertion loss of 2.5 db below threshold, a threshold level of 2 mw, a dynamic range in excess of 20 db, and less than 5° of phase distortion. Agreement between theory and experimental results is excellent.     

具有场限环终端的6500 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制

阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值模拟优化了器件元胞和终端结构的漂移区、有源区和场限环的结构参数。根据模拟结果,4H-SiC漂移区掺杂浓度为1.08×1015 cm-3、厚度为60μm,采用经过优化的70个场限环终端结构,通过完整的工艺流程,完成6 500 V4H-SiC JBS的制备。测试结果显示,室温下当6 500 V4H-SiC JBS正向导通电流密度达到3.53×105 A/m2时,正向压降为4 V,器件的反向击穿电压约为8 000 V。     

6500 V SiC场限环终端设计与实现

针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2~+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。     

电容滤波整流电路中二极管电流的讨论

讨论了电容滤波单相整流电路中二极管电流的形波。给出了这种波形的理论推演和计算机模拟结果。     

垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析

电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合。该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义。     

高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。     

一种连续可调节的LDO限流保护电路

分析传统LDO线性稳压器限流保护电路的优缺点,提出了一种连续可调节的LDO限流保护电路,该电路可根据LDO线性稳压器工作在不同输入-输出电压条件下,调节片外的限流电阻改变极限电流的大小,实现LDO限流保护电路的限流阈值连续可调。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型进行电路仿真,LDO在1.8~5.0V输入电压下,输出1.2~4.5V范围内,实现了输出电流阈值从143mA到2A的连续可调节的限流保护电路。经过流片测试结果表明,此可调节限流电路简单可行,可适用于各类LDO限流保护电路中。     

三相逆变器限流策略研究

对逆变器的几种限流方法进行分析,最后给出一种瞬时限流加上电流环限流方案,使三相逆变器在过载、突加冲击性负载甚至在短路状态下都能很好的限流。这种方法的响应速度快,而且在长时间短路情况下电压和电流的波形不会发生畸变。这个方案已经成功的在50Hz,20kVA的三相逆变电源上得到了验证。     

组合式三相逆变器的限流策略研究

组合式三相逆变器特有的电路拓扑,使输出电流与直流母线电流的关系更为复杂,这为传统限流策略的实施带来了困难。本文详细分析了组合式逆变器在短路时的工作状态,推导出输出电流与直流母线电流的关系,据此确定限流点,并在一台10kW的组合式三相逆变器上实施了限流策略。仿真与实验均表明了理论分析的正确性与限流策略的有效性。     

Influences of the Current Transverse Profile on the Transverse Mode Competition of VCSELs Diodes

A spatially independent model of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) is derived by integrating the spatially dependent rate equations over the cross section of the cavity of a VCSEL. The angular and radial non-uniformities of the injection current are taken into account. The well-known LP modes of a weakly-guiding cylindrical waveguide are employed to describe the transverse modal structure in the VCSEL cavity. This model is solved in a self-consistent way by using the 4th order Runge-Kutta method. The dependence of transverse mode competition on the current intensity, the angular and radial non-uniformities of the injection current, and the geometrical parameters of the electrical contact are thoroughly investigated and analyzed. The results are useful to the optimum design of the optical transverse modal structure of VCSELs.