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利用电位差计配合法拉第圆筒测量2种材料的摩擦电势差及电性符号,对10种材料进行了摩擦带电研究,确定了它们的摩擦静电序列为Pb,Zn,Al,Fe,C,Mn,Cu,SiC,Ag,粉煤灰;选出了Mn,Cu,SiC,Ag 四种作为粉煤灰摩擦带电电选机的荷电摩擦材料.用0.5 MPa除水压缩空气在铁管中进行气力输送摩擦带电试验,研究了气体流速、管道形式和长度、以及摩擦管道内固气比等因素对粉煤灰摩擦带电量的影响,增大气体流速能显著提高粉煤灰的带电量,而管道长度对灰颗粒的荷质比影响不大. 相似文献
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应用摩擦电选技术对灰分10.92%,粒度<175μmm的黑龙江双鸭山煤进行了试验研究,得到了显著分选效果。同时试验结果表明,入料粒度是影响摩擦电选分选效果的重要因素:随粒度的减小,各样品的灰分均先逐渐减少然后逐渐增加,产率随粒度的增大先增加后减少,符合破碎分布规律,粒度<83μm的筛下累计产率均>70%,分选效果保持在较高水平;随粒度的减少,脱灰率持续升高,可以达到67.23%,煤粉粒度越小,其荷电荷质比越大,煤与矿物质越容易分离,摩擦电选的分选效果也就越好。 相似文献
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微细粒煤摩擦电选的试验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了微细粒煤摩擦电选的技术原理及摩擦电选对不同煤种的适应性,研究了气体流量,入料粒度,入料灰分对分选的影响,讨论了优质洁净煤的制备和摩擦电选的影响因素。 相似文献
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为确定典型高硫炼焦煤种在不同条件下的电磁特性,获知其波能吸收频率范围,为微波脱硫条件选择提供依据,利用传输反射法在0.2~18.0 GHz频率范围内扫频测定山西高硫炼焦煤介电常数,考察密度、粒度、矿物质等影响因素。结果表明,原煤介电常数实部 ε′随频率的增大略有下降,虚部ε″随频率的增大先减小后增大,在15.619 GHz达到峰值;损耗角正切tan σ在15.664 GHz处有峰值;煤中高岭石含量增加,ε′,ε″均增大,方解石对介电性质基本没有影响,石英介于二者之间;在0.2~10.0 GHz,ε′随粒度的增大而增大,ε″随粒度的增大而降低。密度大于1.8 g/cm 3的煤样,ε′,ε″明显高于其他密度级煤样,灰分高的煤样介电常数高于灰分低的煤样。 相似文献
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In the light of fractal geometry theory, the characteristics of coal's electric parameters (including dielectric constant, alternating conductivity, dielectric loss angle tangent and electric polarization constant) were studied by using literature data. The results are shown that the electrical properties of coal have fractal characteristic. The fractal dimensions of dielectric, alternating conductivity, dielectric loss angle tangent were obtained, and are relative to the content of pyrite sulfur, heat and ash content of coal. 相似文献
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通过对恒温式半自动热量计热容量的标定、搅拌效率的检查、热量计精密度和准确度的验证、调节内筒水温等方面的讨论,阐述了如何正确使用半自动热量计以保证测试结果的准确可靠. 相似文献
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以晋城矿区寺河井田为研究对象,借助扫描电镜和X射线衍射仪得出煤中矿物成分和充填方式;基于煤储层几何模型结合渗流理论,构建了煤体原始渗透率和矿物溶解后渗透率变化的数学模型;在对寺河矿孔径分布、不同矿物溶解度测试基础上,探讨了注CO2后与煤中不同矿物反应渗透率的变化规律。研究结果表明:煤中矿物主要为黏土和碳酸盐矿物;煤中矿物主要以薄膜状附着和完全或半充填于煤层裂隙2种充填方式存在;不同矿物溶解、沉淀时间差异性导致注CO2后煤储层渗透率呈现先增加后减小趋势;在矿物含量相同条件下,在大孔径孔裂隙中附着或充填的矿物含量越高,矿物溶解后煤储层渗透率增加越多。煤层注CO2后煤层渗透率变化实验测试一定程度上验证了数学模型的可靠性。 相似文献
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充分利用煤炭资源的有效方法——粉煤成型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对粉煤成型在充分利用煤炭资源方面的意义做了概括性的阐述 ,对粉煤成型的概念、任务及工艺分类等方面也做了简要的介绍。 相似文献
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屠海令 《广东有色金属学报》2005,(Z1)
1 IntroductionSilicon dioxide (Si O2) has long beenthe key gate dielectric material exhibiting superior electrical isola-tion property and stable ,high quality Si-Si O2interface . However ,for nanoelectronic technology the alter-native gate dielectric materials have to be found to replace Si O2.The candidate materials are required thesystematic properties such as : permittivity , band gap,thermodynamic stability ,interface quality ,fil mmorphology ,process compatibility and reliability . Th… 相似文献