PDP 用 BaAl12O19:Mn2+荧光粉表面包覆 MgF2 研究

采用非均相成核法在 PDP 用 BaAl12O19:Mn2 绿色荧光粉表面包覆 MgF2晶体.通过精确控制包覆工艺参数,XRD,SEM 和 TEM 分析表明荧光粉表面包覆一层厚度约 40～50 nm 均匀致密的 MgF2晶体.包覆荧光粉空气中 600℃灼烧一小时后相对亮度为 99%,抗热劣化性能明显提高.     

用于PDP的蓝色荧光粉的最新发展

作为一种发蓝光的荧光粉，只有BaMgAl10O17：Eu^2＋（BAM）被实际用于等离子体显示屏（PDP）。然而，BAM在显示屏制造和工作期间发生严重恶化，会导致发光效率和色纯度下降。本文回顾对BAM老化机理的研究。另外，讨论了用于等离子体显示屏的BAM改进和作为BAM替代物的新的蓝色荧光粉的现状。     

硅酸盐型LED荧光粉的表面处理及其性能

采用硅溶胶对Sr2–xBaxSiO4∶Eu2+LED荧光粉进行表面处理,以改善其稳定性、在树脂中的分散性及封装应用的老化效果。考察了硅溶胶用量、处理温度和时间对荧光粉性能影响,分析了表面处理对荧光粉的晶体形貌和发光性能的影响,并对其应用老化性能进行了研究。结果表明,表面处理使硅酸盐荧光粉的初始发光强度提高约2%,可靠性也有所提高,可使封装后的LED的光衰减少6%。     

PDP用荧光粉的亮度衰减

PDP用荧光粉的亮度衰减分为工艺过程的衰减和工作过程中的衰减。工艺过程的荧光粉亮度衰减是由于在焙烧过程中激活剂Eu氧化，蓝色荧光粉的亮度衰减达到了20%。本文提出，在保护气氛或还原性气氛中焙烧可以防止氧化。PDP工作过程中亮度衰减主要是由于真空紫外光辐射和离子轰击，以蓝色荧光粉的亮度衰减最大，达到30%-40%。文中提出，用荧光粉的包膜技术可以解决此问题，寻找新型荧光粉也是一条优良的途径。     

共沉淀法制备PDP用红色荧光粉(Y, Gd)BO3:Eu3+的正交实验研究

以Y2O3,Gd2O3,Eu2O3和硼酸为原料,草酸为沉淀剂,采用共沉淀法合成了PDP用红色荧光粉(Y, Gd)BO3:Eu3+.同时,利用正交实验探讨了合成工艺条件对荧光粉相对发光强度的影响.实验确定了制备PDP用红色荧光粉(Y, Gd)BO3:Eu3+的优化工艺条件:沉淀剂/金属离子总量为1.2:1;pH=8;离子混合超声20 min;沉淀超声1 h;650 ℃预烧1 h;950 ℃烧结2 h.采用PDP真空紫外测试系统、X射线衍射仪、环境扫描电镜对荧光粉进行了表征.结果表明:在优化工艺条件下所制备的荧光粉为六方晶系,空间群为P63/m ,平均粒径约为300 nm.     

PDP荧光粉浆料用有机载体的研制

使用混合溶剂,得到了具有层次挥发性的PDP(等离子体显示板)荧光粉浆料用有机载体,研究了有机载体对烧结后荧光粉亮度的影响。结果表明:使用了载体的荧光粉浆料烧结后亮度比达98%(147nm),包膜荧光粉亮度比可达106%(147nm)。此载体可以用于配制PDP荧光粉浆料。     

碱土、稀土元素掺杂对Y（VP）O4∶Eu3+荧光粉发光性能的影响

采用共沉淀法制备了高亮度红色荧光粉YAx(VP)O4∶Eu3+、Y0.94-yLny(VP)O4∶Eu03.+06(A=Mg,Ca,Sr,Ba;Ln=La,Ga),通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱分析仪等测试方法对样品进行了研究。结果表明:选择合适的实验条件,可以制得颗粒分布均匀、表面光滑的Y(VP)O4∶Eu3+荧光粉,其发射峰位于620nm,是现有PDP商品(Y,Gd)BO3∶Eu3+荧光粉的良好替代品。     

氧空穴在 BaMgAl10O17荧光粉的能量转移过程中的作用

研究不掺杂和掺 Eu 的 BaMgAl10O17(BAM)荧光粉在真空紫外激发的光致发光(PL)、热致发光(TL)性能.研究发现不掺杂的BAM发射的空穴与缺陷产生的电子陷阱有很大的关系.我们认为这些缺陷与BAM空穴导电层的氧空穴有关.我们还认为掺了 Eu2 的BAM主体存在着缺陷.基于这些结果,我们提出了一种真空紫外激发 BAM:Eu2 荧光粉的能量转移模型.     

碱土、稀土元素掺杂对Y(VP)O4:Eu3+荧光粉发光性能的影响

采用共沉淀法制备了高亮度红色荧光粉YAx(VP)O4:Eu3+、Y0.94-Lny(VP)O4:Eu0.06(3+)(A=Mg,Ca,Sr,Ba;Ln=La,Ga),通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱分析仪等测试方法对样品进行了研究.结果表明:选择合适的实验条件,可以制得颗粒分布均匀、表面光滑的Y(VP)O4:Eu3+荧光粉,其发射峰位于620 nm,是现有PDP商品(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉的良好替代品.     

PDP荧光粉浆料用有机载体的制备研究

研究了PDP荧光粉浆料有机载体用混合溶剂的挥发特性。通过使用混合溶剂,得到了具有层次挥发性的PDP荧光粉浆料用有机载体,并对烧结后荧光粉亮度影响进行了研究,此载体可以用于配制PDP荧光粉浆料。     

电子墨水用SiO2白色电泳颗粒的表面包裹及荷电

采用控制正硅酸乙酯在氨水-无水乙醇中水解的方法,制备出适合电子墨水使用的白色SiO2颗粒。将经H2O2浸泡,由甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPS)表面改性的SiO2颗粒,与苯乙烯单体分散在异丙醇中,采用自由基共聚法在SiO2颗粒表面包裹不同厚度的聚苯乙烯包4裹层。采用场发射扫描电镜(Field Emission Scanning Electron Micro-scopes)、高分辨率透射电镜(High Resolution Transmission Electron Microscopes)、傅立叶变换红外光谱(Fourier Transform Infrared Ray)、纳米粒度及Zeta电位分析(Zetasizer)等分析方法,研究了包裹前后SiO2颗粒的表面形貌、颗粒尺寸及包裹层厚,包裹后颗粒的表面化学键合情况,颗粒在四氯乙烯中的表面Zeta电位以及在四氯乙烯中的分散性。结果表明:自制SiO2颗粒呈球形,粒径约300 nm,SiO2颗粒表面包裹了聚苯乙烯,包裹层较为均匀完整,层厚约为10～25 nm,并随包裹颗粒时所加苯乙烯单体量增大而变厚,颗粒在四氯乙烯中的表面Zeta电位由-4.26 mV提高到-49.47 mV,包裹后颗粒在电势为9 V的电场下,响应时间理论计算值到达40 ms,颗粒在四氯乙烯中的分散性良好,分散后静置48 h,分散率可达到87%。     

固体电解质CO_2传感器的研究与进展

采用溶胶-凝胶法制备NASICON粉体材料,并利用XRD和IR对制得的材料进行表征。以NASICON粉体材料为基体,Li2CO3-BaCO3复合盐为敏感电极制作管式CO2气体传感器,并对其灵敏度、选择性和耐水性进行测量。在敏感电极中掺入质量分数为10%的SiO2,不仅明显改善器件的耐水性,而且使器件的初始稳定时间从30min减小到5min。     

Tb~(3+):SiO_2光转换薄膜的制备及性能研究

采用水热法制备了纯相Tb(OH)_3纳米棒,并以Tb(OH)_3纳米棒为掺杂剂制备了Tb~(3+):SiO_2光转换功能薄膜。研究了反应温度、离子浓度以及pH值对Tb(OH)_3纳米棒形貌结构的影响,同时研究了Tb(OH)_3纳米棒和Tb~(3+):SiO_2薄膜的发光性能。结果表明:在pH值为9.0,水热温度为180℃,离子浓度为0.25mol/L时合成的纳米棒在492,543,584和621nm处都有明显的荧光发射;而且,与其他样品相比,其荧光强度最强。在紫外光激发下,Tb~(3+):SiO_2薄膜在表现出Tb~(3+)特征发光的同时,也在400~480nm处表现出较强的宽带蓝紫光发射。     

无定型SiO2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究

利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利用紫外-可见(UV-VIS)吸收光谱、PL光谱以及能级结构分析,我们认为,纳米ZnO随尺度下降所产生的发光增强来源于无定形SiO2所抑制的ZnO表面非辐射跃迁过程以及二者之间的再吸收过程;此外,纳米ZnO尺度的下降,使得其表面的光生电子和晶格内部的O空位(Vo)之间的距离减小,提高了辐射跃迁的几率也是获得高荧光效率的可能原因。     

TiO_2掺杂量对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响

采用新型化学工艺,制备了SiO2与TiO2共同填充的PTFE复合材料,系统研究了TiO2掺杂量对所制复合材料显微结构、微波介电性能和热膨胀系数的影响。结果表明,复合材料的密度、介电常数和热膨胀系数都随着掺杂量的增大而增加,吸水率随着掺杂量的增大而减小,介电损耗随着掺杂量的增大先减小后增大。当TiO2掺杂量为质量分数7%时,PTFE很好地包覆在SiO2表面,复合材料结构致密,具有与铜箔较为匹配的线膨胀系数(17.76×10–6/℃),且介电性能优良(εr=2.94,tanδ=0.000 82)。     

碳氟等离子体中CF2对SiO2，Si3N4和Si刻蚀的作用

The CF2 density and etch rate of SiO2, Si3N4 and Si are investigated as a function of gas pressure and O2 flow rate in fluorocarbon plasma. As the pressure increases, the self-bias voltage decreases whereas the SiO2 etch rate increases. Previous study has shown that SiO2 etch rate is proportional to the self-bias voltage. This result indicates that other etching parameters contribute to the SiO2 etching. Generally, the CF2 radical is considered as a precursor for fluorocarbon layer formation. At a given power, defluorination of fluorocarbon under high-energy ion bombardment is a main source of fluorine for SiO2 etching. When more CF2 radical in plasma, SiO2 etch rate is increased because more fluorine can be provided. In this case, CF2 is considered as a reactant for SiO2 etching. The etch rate of Si3N4 and Si is mainly determined by the polymer thickness formed on its surface which is dominated by the CF2 density in plasma. Etching results obtained by varying O2 flow rate also support the proposition.     

Role of CF2 in the etching of SiO2, Si3N4 and Si in fluorocarbon plasma

The CF2 density and etch rate of SiO2, Si3N4 and Si are investigated as a function of gas pressure and 02 flow rate in fluorocarbon plasma. As the pressure increases, the self-bias voltage decreases whereas the SiO2 etch rate increases. Previous study has shown that SiO2 etch rate is proportional to the self-bias voltage. This result indicates that other etching parameters contribute to the SiO2 etching. Generally, the CF2 radical is considered as a precursor for fluorocarbon layer formation. At a given power, defluorination of fluorocarbon under high-energy ion bombardment is a main source of fluorine for SiO2 etching. When more CF2 radical in plasma, SiO2 etch rate is increased because more fluorine can be provided. In this case, CF2 is considered as a reactant for SiO2 etching. The etch rate of Si3N4 and Si is mainly determined by the polymer thickness formed on its surface which is dominated by the CF2 density in plasma. Etching results obtained by varying O2 flow rate also support the proposition.     

SiO2含量对PTFE/SiO2复合材料性能的影响

采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。