PbSc0.5Ta0.5O3热释电材料及其红外探测器列阵

热释电红外探测器具有探测波长范围广、室温工作、无需致冷等优点。近年来，工作于介电方式下的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)热释电材料由于具有热释电系数大，热释电探测优值高等特点，成为热释电应用研究的热点之一。本文综述了目前PST热释电陶瓷材料的介电，热释电性能及其探测器列阵的发展。由于小型化的要求，PST薄膜亦倍受关注，因此本文还对目前PST热释电薄膜的制备方法，薄膜的热释电、介电性能及薄膜型探测器结构和发展进行了概述。     

铁电薄膜的制备及应用技术研究

研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。     

磁控溅射制备(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的实验研究

钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,其形成铁电相的温度较低,且易于和半导体工艺结合,应用潜力较大.本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜,并初步研究了其介电和铁电特性.结果表明,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜.其介电特性与测试频率有关,试样的饱和极化强度可达19μC/cm2,剩余极化强度可达6.6μC/cm2,矫顽场强达16kV/cm,热释电系数达10-4C/m2*K量级,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性.     

磁控溅射制备（Pb1—xSrx）TiO3）系铁电薄膜的实验研究

钛酸锶铅（Pb1-xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,其形成铁电相的温度较低,且易于和半导体工艺结合,应用潜力较大,本采用磁控溅射法制备了PST薄膜,并初步研究了其介电和铁电特性,结果表明,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理,才能使之转谈具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜,其介电特性与测试频率有关,试样的饱和极化强度可达19uC/cm2,剩余极化强度可达6．6uC/cm2,矫顽场强达16kV/cm,热释电系数达10^-4C/m2.K量级,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。     

磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究

钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。     

钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究进展

介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景.     

（Pb1-x Srx）TiO3铁电薄膜电滞回线的测试分析

采用磁控溅射法制备了PST薄膜,讨论了其制备工艺并着重对其电滞回线进行了测试分析.从测试结果来看,其饱和极化强度Ps典型值为19.0μC/cm2,剩余极化强度为6.6μC/cm2,矫顽场强为16 kV/cm,热释电系数为10-4量级.表明所制备的PST薄膜具有较好的铁电性能.     

掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9La0.1)TiO3, PLT10]铁电薄膜.用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构.分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.测试了PLT10铁电薄膜的电学参数,研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365,介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.20×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.     

硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.     

红外探测用陶瓷材料研究的最新进展

本文根据热释电红外探测器对材料性能的要求,综述了国外热释电陶瓷材料研究的现状和发展。并介绍了作者用溶胶-凝胶法制备(Pb,Lb)TiO_3陶瓷薄膜近期的研究结果。     

PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展

铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用.近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点.介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向.     

ZnO薄膜及其性能研究进展

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料,在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样,各具优缺点;而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征,并对其发展趋势及前景进行了探讨．     

Application of the X-ray combined analysis to the study of lead titanate based ferroelectric thin films

Lead titanate based ferroelectric thin films are well known for their excellent piezo and pyroelectric properties. In order to obtain a complete characterisation of the structural, micro structural and texture parameters of these films, a recently developed combined analysis of the X-ray diffraction data is carried out. The advantages of this approach reside in the fact that we obtain simultaneously quantitative and more reliable information of these parameters than with more conventional methods. Results obtained for ferroelectric thin films are analysed and compared with those obtained with other methods of analysis. The conclusions show that the texture of the films obtained with the combined method is able to separate the contributions of close texture components, like 〈100〉 and 〈001〉, or to study components with low contribution to the texture of the film.     

（Pb1-xSrx）TiO3系薄膜铁电性能的工艺因素研究

钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用潜力很大,是高新技术研究的前沿和热点之一.通过磁控溅射的方法制备了PST薄膜,详细研究了不同工艺因素对PST薄膜铁电性能的影响.结果表明,选择合适的工艺条件可以制备铁电性能优良的钙钛矿相PST薄膜.     

铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展

铁电钛酸锶钡(BaxSrl-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电／介电性能的材料，在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景．本文概括介绍了BaxSr1-x-TiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望，并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论．     

ZnO薄膜的磁电光性质研究进展

ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分.概述了ZnO薄膜的制备方法、晶格特性、光电特性、p-n结特性及其磁性掺杂.     

氧化锌薄膜研究的新进展

ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料.ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关.简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景.     

添加剂元素对AZO薄膜性能的研究进展

近年来,国内外一些研究者对添加剂元素与铝元素共掺杂的ZnO薄膜开展了许多研究并发现在AZO薄膜掺入添加剂元素不仅会增强AZO薄膜的光电特性,而且还能优化其晶体结构和表面形貌,某些添加剂元素还可以提高AZO薄膜的多项性能和稳定性,这对研究AZO薄膜性能的提高提供了一个更具潜力的研究方向。介绍了AZ0薄膜的基本结构、基本特性以及光电性能原理。对添加剂元素对AZO薄膜结构的研究和光电性能的研究进行了归纳和总结,并且与AZO薄膜进行了对比。综述了添加剂元素掺人的AZO薄膜目前所采用的磁控溅射法、溶胶一凝胶法和脉冲激光法三种主要制备技术以及其优缺点,同时阐述了不同方法掺人添加剂元素的AZO薄膜的研究进展。最后介绍了添加剂元素掺入的AZO薄膜在光电领域的应用,展望了其未来发展与研究趋势。