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1.
用AFM在室温和大气下对高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)单晶解理面的形貌和结构进行了系统的研究。观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元(c/2)整倍数的台阶,这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域,观测到高度为1.25nm,面积约为0.05μm2的平台。X-射线微区分析证明这些小平台正是在Bi2212单晶生长中常存在的少量Bi2201相。我们的研究表明AFM不但在研究高温超导体单晶的形貌特征方面有重要用途,而且在对晶体的质量进行分析和结构特征研究中也有重要应用。 相似文献
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高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8电子能量损失谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
自从发现高温超导体以来,对它的导电机理及电子结构研究引起了人们广泛的兴趣。本文用电子能量损失谱(EELS)研究了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的价电子结构,能量损失函数及介电函数,计算了其它各种光学常数。实验过程为将烧结超导样品在盛有CCl_4的玛璃研钵中研碎,然后将其滴于由铜网支持的微孔碳膜上。实验在装备有GATAN-666同时检测电子能量损失谱仪 相似文献
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众所周知,Bi系超导氧化物Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4+δ)晶体结构的特征是具有一维调制结构。其基本结构中的原子在位置和成份两方面沿[010]方向作周期性变化的结果,使(BiO)_2层中交替出现Bi密集和Bi疏稀的区域,形成a=0.54nm,b=2.7nm和C=2.46nm,3.1nm和3.7nm(对应于n=1,2和3的2201,2212和2223相)的调制结构。由于b和c较大,沿[100]方向较容易得到调制结构的晶格象。和一般晶体结构相类似,在调制结构中也会出现各种缺陷,我们利用[100]方向的晶格象。结合电子衍射图,研究了B_i系超导氧化物调制结构中的缺陷,讨论了它们的特征和作用。1.(001)90°旋转孪晶面(图1),一维调制使晶体对称性由四方降为正交,ab轴不等价,上部晶体沿[001]轴 相似文献
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本文采用溅射中性粒卫质谱仪,俄歇电子谱仪和X光电子能谱仪研究分析了汞系超导材料的表面状况,其中Hg元素在超导体表面的HgO和游离态Hg并存,Pb元素在超导体表面的富集等分析结果表明,汞系超导材料存在着表面不稳定性和表面钉扎效应的表面特性。 相似文献
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把高分辨电子显微学与电子衍射相结合,通过像的解卷和相位外推两步的图像处理技术,可以把任意离焦条件的单张高分辨电子显微像转换成结构像,最终像的分辨率可达电子衍射分辨极限,从而分辨出全部原子[1]. 相似文献
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本文采用提拉法生长BGO单晶和Bi:BGO单晶,测试晶体相位共轭反射率和响应时间,发现Bi:BGO晶体相位共轭反射率比BGO晶体提高了一倍。研究了Bi:BGO晶体相位共轭反射率与外电场的关系,以及Bi:BGO晶体的光折变机理。 相似文献
9.
本文采用溅射中性粒子质谱仪(SNMS),俄歇电子谱仪(AES)和X光电子能谱仪(XPS)研究分析了汞系超导材料的表面状况,其中Hg元素在超导体表面的HgO和游离态Hg并存,Pb元素在超导体表面的富集等分析结果表明,汞系超导材料存在着表面不稳定性和表面钉扎效应的表面特性。 相似文献
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利用AFM对在(100)和与(100)有6°切偏角的SrTiO3基片上用射频溅射方法制备的高温超导Bi2Sr1.6La0.4CuO6+δ(Bi2201)薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于0.4°的(100)SrTiO3基片,本征的生长模式是梯田岛模式(Volmer-Weber模式),每层的厚度为c/2(1.25nm);在切偏角为6°的衬底上沉积的Bi2201薄膜则以台阶流模式(Step-flowmode)生长。Bi系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。 相似文献
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首先报道并系统地研究了掺杂YBa_2Cu_(3-x)M_xO_y(M=Fe,Al,Zn)体系的红外光谱,证明了YBa_2Cu_3O_(7-δ)中:p1(630cm~(-1))红外峰在正交相中确实属于一维Cu—O链上氧空位诱导的准局域模和α轴上Cu_1—O_5—Cu_1局域模的叠加;p2(580cm~(-1))红外峰在高氧相中不能观测到是由于受二维电子气的屏蔽,而并非是二维CuO_2网络中氧空位诱发的Cu—O准局域振动模;p3(550cm~(-1))红外峰即沿c轴O_4—Cu_1—O_4局域振动模,由于YBa_2Cu_3O_(7-δ)的二维特性不受二维电子气的屏蔽效应的影响,因此它在正交相和四角相强度变化不明显。同时还讨论了掺杂对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导电性及结构的影响。 相似文献
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脉冲激光沉积法制备Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜及其激光感生的热电电压效应 总被引:4,自引:2,他引:2
采用脉冲激光沉积(PLD)法在倾斜Al2O3(0001)衬底上制备了Bi2Sr2Co2Oδ(BSCO)系列热电薄膜,发现该类薄膜中有激光感生热电电压(LITV)效应.X射线衍射(XRD)谱显示Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜沿c轴外延生长.采用标准四探针法测试了Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜的电阻随温度的关系.结果表明所制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜在80~360 K范围内呈半导体导电特性.研究发现,在倾斜角度分别为10°和15°的倾斜衬底上制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜都存在一个最佳厚度,在这一厚度下可使激光感生热电电压(LITV)信号的峰值电压达到最大,分别为0.4442 V和0.7768 V.可以认为该激光感生热电电压信号是由Bi2Sr2Co2Oδ薄膜面内和面间塞贝克系数张量的各向异性引起的. 相似文献