高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶解理面的AFM研究

用ＡＦＭ在室温和大气下对高温超导体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）单晶解理面的形貌和结构进行了系统的研究。观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元（ｃ／２）整倍数的台阶，这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域，观测到高度为１．２５ｎｍ，面积约为０．０５μｍ２的平台。Ｘ－射线微区分析证明这些小平台正是在Ｂｉ２２１２单晶生长中常存在的少量Ｂｉ２２０１相。我们的研究表明ＡＦＭ不但在研究高温超导体单晶的形貌特征方面有重要用途，而且在对晶体的质量进行分析和结构特征研究中也有重要应用。     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

4.2K低温扫描隧道显微镜的研制及2H-NbSe2中电荷密度波的观测

本文详细描述了自行设计和研制的４．２Ｋ低温扫描隧道显微镜的结构和性能,并报导了利用这台低温扫描隧道显微镜在４．３Ｋ下对２Ｈ－ＮｂＳｅ２单晶中的电荷密度波及高温超导体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ单晶电子隧道谱的观测结果。     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜。通过选择适当的热处理条件，采用步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜。实验用ＸＲＤ．ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２／Ｓｉ薄膜的ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％，实验时ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响

本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率．     

固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究

通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级，     

IBM免费赠送DB2漫游版

近日,ＩＢＭ公司宣布将在其网站上向用户免费发布ＤＢ２漫游版———ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版。该产品提供了对３Ｃｏｍ的ＰａｌｍＯＳ３．０、３．１及Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ的ＷｉｎｄｏｗｓＣＥ２．０的支持,并允许工程师在一个相对较小的空间中将很多功能打包在一起。ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版ＩＢＭ是专门为ＰＤＡ和手持个人电脑市场设计的小型的关系型数据库。借助ＤＢ２Ｅｖｅｒｙｗｈｅｒｅ１．１版中所包含的移动连接设备———ＭｏｂｉｌｅＣｏｎｎｅｃｔ（ＭＣ）,用户可以保持与企业其它应用数据的同步。Ｍ…     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

Bi_(1.7)Pb_(0.4)Sr_(2－x)La_xCuO_(6－δ)体系的调制结构

Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ体系的调制结构陆斌＊毛志强＊张裕恒＊李方华＊＃（＊中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６＃中国科学院物理研究所）本文报道了名义组份为Ｂｉ１．７Ｐｂ０．４Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６－δ（ｘ＝０...     

不同方法制备的C60材料的发光行为

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ溶胶－凝胶的方法出了掺杂Ｃ６０的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２干凝胶和掺杂Ｃ６０的ＳｉＯ２ＰＤＭＳ（聚二甲基硅氧烷）的凝胶材料。测量了纯Ｃ６０粉的吸收光谱和掺杂Ｃ６０偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了Ｃ６０／ＮＢＳ在３０Ｋ～２００Ｋ温度范围Ｃ６０的发光峰位于１．６９ｅＶ,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关     

C60掺杂氧化硅气凝胶的发光特性研究

报道了Ｃ６０掺杂气凝胶的奇异光致发光现象．利用两种掺杂方法制备了Ｃ６０掺杂ＳｉＯ２气凝胶样品，红外吸收光谱及飞行时间质谱测试表明Ｃ６０分子被成功地掺入ＳｉＯ２气凝胶中．在室温条件下，以Ａｒ＋激光（４８８ｎｍ，１０ｍＷ）激发，观测到Ｃ６０掺杂气凝胶的强可见发光，发光峰位置较纯Ｃ６０明显蓝移，但不同方法制备的样品的蓝移量不同     

高温超导Bi2Sr1.6La0.6CuO6外延薄膜生长模式的AFM研究

利用ＡＦＭ对在（１００）和与（１００）有６°切偏角的ＳｒＴｉＯ３基片上用射频溅射方法制备的高温超导Ｂｉ２Ｓｒ１．６Ｌａ０．４ＣｕＯ６＋δ（Ｂｉ２２０１）薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片,实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于０．４°的（１００）ＳｒＴｉＯ３基片,本征的生长模式是梯田岛模式（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式）,每层的厚度为ｃ／２（１．２５ｎｍ）;在切偏角为６°的衬底上沉积的Ｂｉ２２０１薄膜则以台阶流模式（Ｓｔｅｐ－ｆｌｏｗｍｏｄｅ）生长。Ｂｉ系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。     

0．2～1THz范围内双高温约瑟夫逊结振荡器的相位互锁

０．２～１ＴＨｚ范围内双高温约瑟夫逊结振荡器的相位互锁《ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ＞》９９４年（６４卷）第１９期介绍了两个ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７约瑟夫逊结振荡器的相位互锁，其工作频率从０．２到１ＴＨｚ，在０．７ＴＨｚ，８Ω负载上可获得最大...     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

Al2O3／TiB2和Al2O3／TiB2／SiCW陶瓷材料氧化层的显微结构分析

用Ｘ射线衍射，扫描电子显微镜和透射电镜／能谱仪分析了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２和Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料在１３００℃氧化３０小时后氧化层的相组成及显著结构。     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。