汽车TFT彩屏仪表开发技巧

本文基于飞思卡尔的MPC5606S芯片,介绍了MPC5606S针对TFT彩屏控制的显示器控制模块（DCU）,且对于TFT彩屏上的各种动画效果,进行逐一解析如何在MPC5606S上实现。简单易行的控制,展示出MPC5606S是一款针对TFT彩屏汽车仪表开发的专用芯片,能够迅速使得工程师从传统段码式/点阵式仪表的开发,过渡到TFT彩屏汽车仪表的开发,以满足汽车仪表市场对于TFT彩屏应用需求的日益增长。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/170166.htm     

基于STM32F4的多通道串口驱动TFT液晶屏显示系统设计

针对TFT液晶屏使用中存在驱动较为复杂以及对处理器要求较高的问题,设计了一种通过串口控制驱动MUC接口TFT液晶屏的显示系统。该系统的硬件由STM32F4处理器和TFT液晶屏组成,STM32F4用于驱动TFT液晶屏,并通过其串口向使用TFT液晶屏显示系统的外部处理器提供控制通道;软件利用μC/OS-Ⅲ操作系统编写底层驱动程序和驱动控制接口程序,采用DMA方式读取串口数据。该系统硬件接口简单,只需要两根I/O线就能对TFT液晶屏进行控制,最大可同时支持4个外部处理器通过串口对TFT液晶屏进行控制,串口传输速率为2.4KB/s～2 MB/s。实验结果表明,该系统运行稳定可靠,显示效果清晰流畅,简化了TFT液晶屏的驱动和使用,拓展了TFT液晶屏的适应性和使用范围。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的.在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题.这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律(英文)

通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。     

TFT与STN成本比较

最近在发展平板显示器中是采用TFT还是STN问题上颇有争议。为此日本ED调研社对25cm级的TFT与STN的成本进行了比较，（见表1、表2）。TFT与STN成本比较@孙再吉     

三星和夏普分别展示22英寸和28英寸TFT LCD

在最近举行的LCD国际展览会上,韩国三星电于公司展示了一种22英寸薄膜晶体管(TFT)有源矩阵显示器,而日本夏普公司则展示了一种28英寸TFT液晶显示器(LCD).据夏普公司说,28英寸LCD是世界上最大的TFT LCD.其应用范围有PC监视器、壁挂电视和演示板.夏普在TFT有源矩阵技术方面处于领先地位,而三星则是新参与LCD的研制开发,并决心与日本公司一争高低.三星的22英寸TFT LCD样品是该公司正在开发的30英寸TFT LCD的     

TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析

本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像素单元电路的工作原理和优缺点,指出电压控制型电路具有响应速度快的特点,而电流控制型电路则能准确地调节显示的灰度.最后简要讨论了控制/驱动IC对TFT-0LED有源驱动电路的影响.     

PMOS晶体管确保精确的上电时序

TFT LCD面板需要三个电源：VDD、VON和VOFF。VDD通常为13V，用来给视频信号通路提供电源。VON通常为25V，用来提供TFT单元门驱动偏置电压的导通。VOFF通常为-10V，用来提供TFT单元门驱动偏置电压的关断。为了避免在启动期间显示错误的图像，确保三个电源正确的上电时序是非常关键的。由于需要一个较高的电流，VDD通常由一个升压转换器产生，VON由充电泵产生，如图1所示。VDD和VOFF使用同一个使能控制管脚，因此在上电时同时被使能。VON的使能延迟时间由与VIN相连的200kW电阻和0.1mF的电容确定。图2所示为PMOS FET…     

友达光电公布有机EL材料性能分析数据

“7英寸以上的产品，非结晶硅具有优势，7英寸以下则是低温多晶硅有优势”，台湾友达光电对有机EL面板的成本进行了分析（图）。有机EL面板的驱动方式大体分为2种，一种使用非结晶硅TFT底板，另一种使用低温多晶硅TFT底板。其中，使用非结晶硅TFT底板的有机EL面板对于电视机等大尺寸产品来讲，在成本上更具优势。     

TFT用PCB的制作难点和控制方案（TFT Project Plan）

1．开发与设定计划 开发项目：制订TFT产品的生产前期准备计划、在线控制计划，明确制程参数、管制项目。 目标设定：通过实施计划，对制程及工艺进行确认和改善，找出关键影响点，并制定对应计划以确保TFT板品质。     

激活层厚度对a-Si TFT特性的影响(英文)

a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件，为了得到最佳的特性，除了改进用于制造a Si TFT的材料外，a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然，a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中，在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应，即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流，开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关，而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。     

其它电路与技术

0603638 TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析[刊,中]／朱儒晖／／中国集成电路．-2005,(11)．-70-76(G) 本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT 结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像     

硅上液晶(LCoS)显示器件

什么是LCoS液晶显示LCoS是硅上液晶的工艺(LiguidCrystal on Silicon)的缩写，它是直接将LCD件做到单晶硅基片上。LCoS可以将LCD件的有源矩阵TFT及外围驱动电路和控制电路等全部制作在上面，并作为显示器件的一个基板，与另一块作为公共极的有透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒，灌入液晶，即可制成一个硅片上的LCD件(LCoS)，如图1所示。我们知道，液晶显示已经经过了TN型，STN型，TFT型几代更新。它们都是在LCD本身上作文章。现在的LCoS则是将LCD与集成电路结合在一起，因而对LCD来说是一个全新的突破，是TFT液…     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

S3C2440A驱动RGB接口TFT LCD的研究

介绍了一款较典型的TFI型液晶屏的接口时序和逻辑要求,设计了嵌入式微处理器S3C2440A与该款带触摸屏功能的TFT LCD模组的接口电路,基于嵌入式Linux系统开发驱动程序,完成了RGB接口显示参数设置、图形界面显示调整及触摸屏控制等功能,实现了系统清晰、稳定的显示.实验表明,该方案通用性好,可以驱动不同分辨率的TFT LCD并提供显示与触摸控制功能;可移植性强,可以为各种嵌入式系统提供一个驱动TFT LCD的完整解决方案.     

FPGA和嵌入式处理器实现低成本智能显示模块

引言 LCD正在迅速成为汽车内的标准部件。随着LCD技术的发展，迫切需要采用更好的显示图形内容控制和产生方法。传统上，低成本汽车信息娱乐应用采用基于字符的LCD和真空荧光（VF）显示屏，而低成本彩色薄膜晶体管（TFT）技术很快成为最突出的选择方案，但在现有的低成本应用体系结构中采用彩色TFT有很大的难度。大部分低成本平台没有足够的处理带宽，     

薄膜晶体管及其在有源矩阵液晶显示中的应用

薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种。PC机及监视器等高清晰度液晶显示(LCD)中的TFT以有源矩阵的形式应用在点阵驱动的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中。作为开关器件，AMLCD中的TFT工作在饱和模式，其源极总是连接数据总线(视频)，漏极接像素电极。其结构为交错／反交错和共面／反共面两种基本类型。TFT的主要工艺与IC技术兼容，半导体层所用的材料主要是a—Si。     

爱普生发布1．64寸4096×2160液晶投影面板

在显示器技术国际学会“16th International Display Workshops（IDW’09）”的氧化物TFT分会上，夏普就首次试制的氧化物TFT液晶面板进行了技术发表（论文序号AMD7—4）。TFT结构为传统的反向通道蚀刻（Back Channel Etch）型。     

新书推荐——薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术

本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术，共13章，内容从TFT元件的结构及特点，到TFT的检查与修复，包括TFT阵列制造清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不尉辑析和检查修复。本书从11可阵列大规模制造的角度，第一次比较全面地介绍了TFT LCD牛产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、