谐振隧道热电子晶体管(RHET)

<正> 日本富士通公司采用超晶格技术研制成谐振隧道热电子晶体管(Resonant Tunneling Hot Electron Transistor)。谐振隧道热电子晶体管是根据AlGaAs和GaAs超晶格构成的量子阱能起热电子晶体管发射极势垒效应的特点而制成的。这种晶体管是由分子束外延技术制成,由18层50     

超高速谐振隧道热电子晶体管(RHET)

<正>据日本《JEF》1990年12月报道,富士通公司用In-Al-As/In-Ga-As材料制造了一种新型超高速谐振热电子晶体管(RHET),它是一种超晶格器件,从称为谐振隧道势垒的超晶格晶体中发射热电子.该器件有一奇异特性,即只有输入一特殊电压时,谐振隧道效应才允许     

量子电子器件——谐振隧道热电子晶体管(RHET)

RHET是一种新型高速功能器件,在这种器件中,电子谐振隧穿量子阱谐振隧道势垒(RTB)从发射极注入到基极中,然后以准弹道方式传输到收集极。其主要特点是,高速的电荷传输和宽的负微分电阻。本文综述了RHET的研究与进展,并介绍了采用RHET构成的集成电路。     

用量子效应谐振隧道热电子晶体管(RHET)制造全加器IC

<正>据《JEE》1991年6月刊载,日本富士通公司用7只量子效应谐振隧道热电子晶体管(RHET)制成了全加器IC.由于采用此集成电路,半导体IC的信息处理能力比以前提高了50倍,并使其功耗减少50%.富士通公司在制造RHET全加器IC时,采用了谐振隧道势垒的最佳设计和新的集电极势垒结构.且器件制造采用了新的自对准工艺技术,故使电流放大率达到并超过10,在开态     

集电极截断的晶体管

在制作双极逻辑集成电路中,集电区的掺杂度需要折衷。高掺杂时在发射极下做一低阻通道,低掺杂时在整个基极一集电极结上做一特定电容。实际的折衷掺杂度通常为10~(16)原子/厘米~3。英国马拉德实验室采用了比其他低,比紧挨发射极下的基极高的掺杂度。实验室制成的晶体管掺杂度为10~(16)原子/厘米~3,刚好低于发射极,而集电极体渗杂度降到10~(15)原子/厘米~3。这将集电极-基极电容降低约一半,也降低了集电极与隔离槽接触的电容。     

热电子晶体管的截止频率

本文分析了热电子晶体管的截止频率,指出通过合理选择参数,f_T可达到600GHz,是一种有希望的固体亚毫米波源。     

美国新型晶体管速度达845GHz

美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的新型晶体管速度达845GHz,较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55°C获得的,室温下该晶体管可以运行在765GHz。除了新型材料外,这种晶体管的制造工艺也更为精良,基部仅有1     

低压应用的新型双极晶体管集电极设计的折衷方法

低压应用的新型双极晶体管集电极设计的折衷方法＝Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒｄｅｓｉｇｎｔｒａｄｅｏｆｆｓｆｏｒｌｏｗｖｏｌｔａｇｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆａｄｖａｎｃｅｄｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｋｕｍａｒ．Ｍ．Ｊ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎ...     

量子电子器件——谐振隧道晶体管(RTT)

本文介绍了RTT的概念和谐振隧穿双势垒(DB)的理论,综述了RTT的最新进展,其中包括基区和发射区内有DB的谐振隧道双极晶体管(RTBT)、多态RTBT、超晶格RTBT、双极量子RTT(BiQuaRTT)和单极量子线RTT。     

多集电极横向PNP晶体管电流增益的设计

本文给出了横向晶体管设计模型,讨论了集电极断节效应和基区表面场效应,实验表明,设计薄的基区宽度,选用长方形或圆形发射极,配合相应的断节集电极结构是多集电极横向晶体管的优化设计方案,采用场效应板同时覆盖本征基区表面和断节集电极的基区表面,是提高多集电极横向晶体管电流增益的重要有效途径.     

具有非饱和三极管特性的新型场效应晶体管

目前,显示出电压增加而电流不饱和的真空三极管全新特性的场效应晶体管,由于其特性新颖和优越,不仅适用于高频领域,而且开始向功率机器和高频机器等领域发展。其特点大致归纳如下: (1)没有显示出以前的场效应晶体管那样的所谓饱和的五极管特性,而给出了非饱和的特性或三极管特性。因此,以前的场效应晶体管为恒流型器件,而这种新的场效应晶体管为恒压型器件。     

肖特基势垒场效应晶体管的噪声问题

本文对肖特基势垒场效应晶体管的噪声问题作一综述,并推导其噪声系数公式,同时给出几个计算例子。一、肖特基势垒场效应晶体管的噪声等效电路图1和图2示出一般的肖特基势垒场效应晶体管结构图。     

肖特基势垒场效应晶体管的动态特性

一、引言本文的理论是寻求一个最快捷最简单的方法为目的的探索结果,它牺牲数值的精确度,而考虑物理参数对场效应晶体管的动态特性和动态参量有多大的影响,以及介绍一些具有良好的高频性能的场效应晶体管,其材料或结构的恰当选取。     

肖特基势垒场效应晶体管的微波特性

研究了栅长为1微米的硅肖特基势垒场效应晶体管的微波特性。对管子从0.1千兆赫到12千兆赫的散射参数进行了测量。从测量出的数据确定了包括本征晶体管和外部元件的等效电路。本征晶体管的某些参数,尤其是跨导,受饱和漂移速度的强烈影响。采用高掺杂和窄沟道时,本征晶体管的性能最好。所测的功率增益与等效电路的理论值极为接近。最好器件的最高振荡频率f_max为12千兆赫。从研究中看出,尤其是栅金属化电阻和栅电极接触柄寄生等外部元件,使功率增益显著降低。不然,最高振荡频率f_max可望达到20千兆赫。     

fmax大于100GHz的AlGaN背势垒结构InAlN-GaN HEMT研究

We report the DC and RF performance of InAlN/GaN high-electron mobility transistors with AlGaN back barrier grown on SiC substrates.These presented results confirm the high performance that is reachable by InAlN-based technology.The InAlN/GaN HEMT sample showed a high 2DEG mobility of 1550 cm²/（V·s） at a 2DEG density of 1.7×10¹³ cm^-2.DC and RF measurements were performed on the unpassivated device with 0.2μm "T" gate.The maximum drain current density at V_GS = 2 V is close to 1.05 A/mm in a reproducible way. The reduction in gate leakage current helps to increase the frequency performance of AIGaN back barrier devices. The power gain cut-off frequency of a transistor with an AIGaN back barrier is 105 GHz,which is much higher than that of the device without an AIGaN back barrier at the same gate length.These results indicate InAlN/GaN HEMT is a promising candidate for millimeter-wave application.     

170GHz的体通导晶体管

日本电信电话公司研制成世界最高速的晶体管,其工作频率为170GHz,比该公司三年前创记录的同类型晶体管快1.7倍。新研制的晶体管是体通道晶体管(BCT)的一种,     

一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.