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相似文献
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1.
本文叙述了多芯片组件和多层布线集成组装技术的研究和进展,介绍了硅基多层布线集成组装技术的特点和设计考虑,扼要地叙述了硅基多层布线的制造工艺,并讨论了工艺中所出现的问题。  相似文献   

2.
微电子组装技术是从电路集成到系统集成的关键技术,它的支柱是高性能、高集成度集成电路和微细高密度多层互连基板。而后者又可分为优质薄膜多层布线板和优质厚膜多层布线板,其中又包括若干支撑技术和基础技术。 本文介绍了微电子组装技术的各个方面和几个发展阶段;建议充分发挥本所在高性能、高集成度集成电路及其技术方面,特别是LSL、VHSIC、ASIC等十大系列产品的优势和LSI的工艺优势,加速开发优质薄膜多层布线技术;重视开发优质厚膜多层布线技术和相关的系统集成封装技术及计算机辅助设计技术。在开发系统集成技术方面应根据我国和我所的实际情况,狠抓二次集成技术。这应是我所微电子组装技术的发展方向。  相似文献   

3.
厚膜多层布线工艺,又称为二次集成技术.其特点是在氧化铝陶瓷基片上装配厚膜多层电路装置.其方法是将电路的导体图形和绝缘玻璃层连续通过丝网漏印、烧结在基片上.二层或更多层导线通过玻璃绝缘层,一层层地进行隔离.同时,在绝缘介质层中的窗口和通道上把TTL、ECL、MOS等硅集成半导体电路,采用键压工艺,组装在厚膜多层布线的窗口中以实现二次集成完成电路的整个功能.  相似文献   

4.
三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。  相似文献   

5.
本文介绍了一种厚膜浊合集成正交信号比较器的工作原理及电路设计,并详细叙述了在厚膜多层布线基板上组装高功耗ECL器件的结构设计方法,以避免形成局部电路热积累。  相似文献   

6.
LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C/D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。  相似文献   

7.
本文研究了在多层陶瓷基板上利用硅作为衬底的硅-硅包装技术。这种硅-硅和多层陶瓷基板的微组装技术,可以消除IC芯片与衬底之间的热失配。同时可充分利用硅IC技术进一步细线化。随着ASIC、BiCMOS、VLSIC的迅速发展,将使今后的封装及微组装向多腿及小问距方向发展。  相似文献   

8.
以布线材料,布线工艺,布线平坦化技术以及影响布线质量的因素等几个方面详细讨论了多层布线技术,并讨论了当前多层布线技术面临的问题。  相似文献   

9.
介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.  相似文献   

10.
目前,随着电子装备的小型化、轻量化、高速率、多功能、高可靠的要求,HIC在技术工艺水平方面发展到了一个更高集成的阶段.即多芯片组装技术(MCM).这是第四代电子组装技术SMT的发展和延伸.是多层布线基板技术、多层布线互联技术、表面安装技术、微型元器件封装技术及相关裸芯片制造技术的综合和发展。MCM技术与VLSI芯片制造技术的有机结合,成为未来微电子技术的主流。带动了整个电子组装技术、印刷电路板技术和电子器件封装技术的发展。  相似文献   

11.
We discuss the improvement on a three-dimensional analysis of multilayer wiring process failure. We have applied this technique to Al-plug multilayer wiring and have successfully confirmed the precise failure point three-dimensionally without causing any physical or electrical damage to the wiring. We used four-layered wiring sample but it is applicable to thicker samples. This technique also enables a multi-dimensional evaluation of the cover margin and void condition of the via-holes. This technique also make it possible to evaluate a lot of via-holes simultaneously. This technique therefore makes failure analysis and evaluation easier and provides quick feedback concerning the multi-layered process development.  相似文献   

12.
埋入电阻是实现高频电路的重要方法之一。现已开发出在内层要求精确电镀上电阻元件的工艺,这意味着PCB制造厂可采用各种类型层压板材料,根据不同电镀时间得到从25 Ω到100 Ω范围内的方块电阻值(电阻率),而不是采用各种不同电阻值金属箔的基材来制备不同阻值的埋入电阻。采用常规PWB的活化和化学镀等制造步骤便可制作这种电阻,这种埋入电阻工艺是易于激光检修并层压到多层板内部是很稳定的。这种埋入电阻经过多层层压,温度变化或者显露于潮湿环境下表明电阻值是很小改变的,经过模拟电路运作具有好的稳定性。  相似文献   

13.
介绍了液晶聚合物(LCP)多层基板的工艺实现方法,在LCP多层基板上制作了阻抗变换器、谐振器等微波无源器件,针对频率较高时传统威尔金森功分器遇到的布线困难和隔离电阻难以实现的2个问题,提出了2种改进的功分器结构并用LCP多层基板实现,测试结果说明了设计思路的正确性和LCP多层基板的可用性。  相似文献   

14.
空间产品表面处理工艺研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
在对空间产品结构特点进行分析的基础上,对传统的多层分步电镀工艺进行了初步研究,介绍了电镀工艺的工作原理和技术特点.对关键技术-热处理进行了阐述和分析,提出了一种综合多层镀和热处理的该类零件的生产工艺.事实证明了该实用工艺的可行性.  相似文献   

15.
本文通过积层多层板在各个电子产品领域、品种中应用的体系图,介绍、分析了当前积层多层板的应用市场现状。  相似文献   

16.
多层印制板内埋无源元件,可以节省有源元件安装面积,减小印制板尺寸,提高设备功能、提升安全性,并降低制造成本。由于制作完成后内埋式无源元件不可替换,元件是否拥有长期稳定性和可靠性是制造商最关心的方面。文章给出了内埋NiP薄膜电阻和聚合厚膜电阻持续作业的可靠性测试结果,讨论了无铅焊接模拟和温度循环测试(一40℃~+85℃)的温度对阻值的影响。  相似文献   

17.
The wiring ability of multilayer interconnects is examined. It is shown why the principal force driving interconnection technology has been the computer. Measuring the flexibility of a given technology by the number of ways it allows a designer to interconnect devices to realize a particular logical function is discussed. It is shown that the ability to construct very large systems with high-density wiring stems directly from digital representation and the preservation of a given digital representation through long series of operations. The future of interconnection technology is explored  相似文献   

18.
以CSP为代表的先进封装技术和可以实现高密度封装的确积层多层板的开发已经取得了很大的进步。移动电话、薄型笔记本个人电脑(PC),数字视频摄像(DVC)以及从移动电话到信息终端的升级正在实现小型轻量化和多功能化。HDI材料技术、细间距电路形成和微导通孔形成的加工技术支持了积层多层板的开发。全球性的环境意识正在加强,PWB业领域引入环境技术已成当务之急,现已开发了环境友好性的无卤/无SbHDI材料。  相似文献   

19.
文中首次将Clos网络结构应用于4×4全交换开关矩阵中,采用多芯片模组技术将低温共烧陶瓷(LTCC)和双刀双掷芯片进行集成化设计。新设计克服了传统单刀四掷方案接口数量多、布线复杂的缺点,以更为简捷的拓扑形式实现了全交换功能。该设计结合LTCC多层堆叠工艺和具体芯片接口,给出了切实可行的叠层结构和互连方案,并以此研制出一款驻波优良、通道一致性好、隔离度高的C频段4×4开关矩阵。文中设计实现方法简单、可靠,适用于其他形式或更高频率的开关矩阵设计。  相似文献   

20.
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。  相似文献   

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