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介绍的新型氢气终端纯化装置采用金属氢化物纯化原理与技术,配合脱氧干燥预处理,可利用99%工业普氢制备6N级超纯氢气。叙述了氢化物纯化器结构、吸氢材料与纯化工艺,以及装置的流程与操作。整叽通过电脑程序控制,实现自动连续操作,特别适用于高新技术产业需要。 相似文献
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用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金 总被引:2,自引:0,他引:2
采用气态源分子束外延(GSMBE)法成功地生长出应变GexSi1-x/Si异质结合金,所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷,即保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用(surfactant effect),又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的X射线双晶衍射,透射电子显微镜及光荧光测量表明GexSi1-x合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界 相似文献
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介绍了将粗氢化物气体与由氧化锌,氧化铝及碱性化合物膜混合成的成形体接触,除去该粗制氢化气体中含有的水分的纯化方法。 相似文献
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连续生产硅烷化合物的方法,是将原料氯硅烷供给具有蒸馏机能的反应塔,塔内装有歧化反应触媒脂肪烃基叔氨及其盐酸盐。由反应塔上部取得比原料氯硅烷的氢原子多的硅烷化合物。另外,从反应塔底部,将含氯原子多的副产硅烷化合物和触媒的混合液排入分离槽。在该分离槽内,将上述混合液中的硅烷化合物与触媒分离开。被分离的触媒重新循环到反应塔。反应塔底部和分离槽系统的材质采用高镍基合金或搪瓷制品,并 相似文献
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对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法PatrickATaylor半导体制造商已经长期用硅烷制成硅的薄膜或者硅化合物。将来更高集成度的和更复杂的集成电路,以及如光生伏打电池等新器件,都要求硅烷有非常高的纯度,其规定杂质为10-12(pp... 相似文献
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研究了铟电解精炼提纯的方法及工艺。为了提高铟电解提纯的效果,建议使用电解液循环通过高纯铟柱的总体电解工艺流程。通过研究电解液组成及酸度、电流密度等关键参数对电解提纯的影响,得出铟电解精炼提纯的关键参数为:硫酸体系电解液,成分为100g/L硫酸铟+70~100g/L氯化钠+0.5g/L明胶;电解液的酸度控制在pH=2~2.5;设计电解槽的同极距为40~50mm;阴极板用钛板;控制电解过程中的电流密度在35~65A/m2之间;电解过程中,电解液循环通过高纯铟柱,达到电解过程中净化铟电解液的效果,显著提高铟电解精炼提纯的效果。 相似文献
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