乙硅烷的制造方法

本方法的特点是在溶剂中还原乙硅烷衍生物得到乙硅烷，在常压或加压下进行反应，而且在加温至10～80℃的反应液中吹入惰性气体，从溶剂中可分离出乙硅烷。     

乙硅烷的制备

概述了乙硅烷的制备方法并对各种方法进行了评价。     

高纯硅烷的制取

一、前言 硅烷是发展电子工业所必需的特种气体之一，它广泛应用于集成电路和半导体器件中的掩膜工艺(沉积二氧化硅薄膜，氮化硅薄膜、磷硅玻璃等)、钝化工艺(淀积氮化硅薄膜)和介质隔离工艺(生长多晶硅栅等)。在微波器件中，进一步结合外延技术，用硅烷热分解制得同质外延片和异质外延片，为微波器件提供了新型的基片。最近又发展了把硅烷作为砷化镓微波器件的离子注入源和激光器的介质，以及光纤通讯纤维的原料。     

氯气提纯方法

本文概要地综述了氯气提纯方法及其工艺过程。     

连续自动提供超纯氢的金属氢化物终端纯化装置

介绍的新型氢气终端纯化装置采用金属氢化物纯化原理与技术,配合脱氧干燥预处理,可利用99％工业普氢制备6N级超纯氢气。叙述了氢化物纯化器结构、吸氢材料与纯化工艺,以及装置的流程与操作。整叽通过电脑程序控制,实现自动连续操作,特别适用于高新技术产业需要。     

用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi／Si合金

采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，即保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ ｅｆｆｅｃｔ），又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的Ｘ射线双晶衍射，透射电子显微镜及光荧光测量表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界     

三氯化硼的提纯方法

二氯化硼除作为阳离子聚合催化剂和硼化合物的原料外,还用作半导体的掺杂剂或蚀刻剂,但要求纯度特别高。三氯化硼一般的合成方法有:(1)在高温下,将碳和氧化硼与氯进行氯化反应;(2)在高温下,金属硼与氯进行氯化反应,     

甲硅烷的纯化方法

本发明是有关甲硅烷的纯化，可用于制取高纯度的硅，尤其适用于制取半导体器件，如各种晶体管、光电管的电路及其它电磁与光控系统。     

六氯二硅烷的制备方法

本发明是关于用硅或硅合金进行氯化制备Si2Cl6的方法。在得到的生成物中含有Si3Cl8以上的高沸点组分。通过两段低级化处理，即(1)初始的副产高沸点组分，通过加热进行低级化反应处理，(2)残存的Si3Cl8以上的高沸点组分，通氯气进行低级化处理，从而获得收率较高的Si3Cl8制备方法。     

富勒烯制备与提纯方法研究进展

富勒烯是由碳五元环和六元环相互排列组成的封闭中空分子的统称,是继石墨和金刚石之后人们发现的第三种碳的同素异形体.富勒烯具备独特的笼型结构以及特殊的物理化学性质,有着很高的应用研究价值,因此受到人们越来越多的关注,而其制备与分离技术是研究和应用的基础,本文综述了富勒烯的制备与提取分离方法,分析了影响富勒烯制备产率和效率的因素,比较了各种方法的优缺点,最后对富勒烯制备提纯技术提出了展望.     

甲氧基聚氧化乙烯丙基三甲氧基硅烷改性硅片表面的蛋白质吸附行为

以甲氧基聚氧化乙烯丙基三甲氧基硅烷对硅片表面进行改性,使其表面具有良好的亲水性能.用考马斯亮蓝法考察了硅片在不同浸泡时间和不同蛋白质初始溶液浓度下,牛血清白蛋白(BSA)在硅片表面的吸附行为.研究发现,蛋白质吸附是一个动态过程,符合Langmuir理论吸附模型,浸泡120min后,吸附和解吸附达到动态平衡.当蛋白质初始...     

气体氢化物的纯化方法

介绍了将粗氢化物气体与由氧化锌，氧化铝及碱性化合物膜混合成的成形体接触，除去该粗制氢化气体中含有的水分的纯化方法。     

连续生产硅烷化合物的方法

连续生产硅烷化合物的方法,是将原料氯硅烷供给具有蒸馏机能的反应塔,塔内装有歧化反应触媒脂肪烃基叔氨及其盐酸盐。由反应塔上部取得比原料氯硅烷的氢原子多的硅烷化合物。另外,从反应塔底部,将含氯原子多的副产硅烷化合物和触媒的混合液排入分离槽。在该分离槽内,将上述混合液中的硅烷化合物与触媒分离开。被分离的触媒重新循环到反应塔。反应塔底部和分离槽系统的材质采用高镍基合金或搪瓷制品,并     

金属铯真空蒸馏提纯装置的研制

为了保证金属铯能够达到铯束管的要求,根据金属铯中的杂质在同一温度下的饱和蒸气压比金属铯低的特性,采用真空多级蒸馏的提纯方法,研制了一套多级真空蒸馏装置。该装置具有结构简单,蒸馏过程直观,对真空泵组污染小等特点。     

对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法

对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法ＰａｔｒｉｃｋＡＴａｙｌｏｒ半导体制造商已经长期用硅烷制成硅的薄膜或者硅化合物。将来更高集成度的和更复杂的集成电路，以及如光生伏打电池等新器件，都要求硅烷有非常高的纯度，其规定杂质为１０－１２（ｐｐ...     

铟电解精炼提纯方法的研究

研究了铟电解精炼提纯的方法及工艺。为了提高铟电解提纯的效果,建议使用电解液循环通过高纯铟柱的总体电解工艺流程。通过研究电解液组成及酸度、电流密度等关键参数对电解提纯的影响,得出铟电解精炼提纯的关键参数为:硫酸体系电解液,成分为100g/L硫酸铟+70～100g/L氯化钠+0.5g/L明胶;电解液的酸度控制在pH=2～2.5;设计电解槽的同极距为40～50mm;阴极板用钛板;控制电解过程中的电流密度在35～65A/m2之间;电解过程中,电解液循环通过高纯铟柱,达到电解过程中净化铟电解液的效果,显著提高铟电解精炼提纯的效果。     

硅烷系废气的高效处理方法

将从半导体制造设备排出的台有硅烷系气体的废气通过以固体金属氧化物为主要成分的填料层，高效率地除去该硅烷系气体，至少使浓度降低到0．5ppm以下。     

氢化物气体的纯化方法

将粗制氢化物气体与镍硫化物接触 ,脱除粗制氢化物气体中含有的氧。