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相似文献
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1.
CCD与CMOS图像传感器特点比较   总被引:17,自引:0,他引:17  
熊平 《半导体光电》2004,25(1):1-4,42
简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局.  相似文献   

2.
比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点,分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展,CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器,并对其发展趋势作了预见。  相似文献   

3.
CCD,CMOS图像传感器的特点和比较   总被引:3,自引:0,他引:3  
Smal.  CH 《电子产品世界》1998,(8):68-69
1.概述CCD(电容耦合器件)和CMOS传感器技术现在已经广泛应用于商用和安全保卫系统中的数字照相机、机器人视觉系统、视频游戏机、条形码扫描仪、传真机、照相机和摄像机的成像装置上及作为天文学、光谱学和结晶学研究中胶片照相的替代方法。而且还不断在交通辨...  相似文献   

4.
CMOS图像传感器奋力冲击CCD市场   总被引:1,自引:0,他引:1  
目前,各种成像系统一般采用的是CCD图像传感器技术,然而,CCD图像传感器有如下缺点:(1)驱动电路和信号处理电路难与CCD成像阵列单片集成,图像系统为多芯片系统;(2)为了获得信号的完整性,在像元问信号需要进行完美的转移,随着阵列尺寸的增加,电荷转移要求更加严格准确;(3)时钟脉冲复杂,需要相对高的工作电压,不能  相似文献   

5.
图像传感器:CCD与CMOS的对比   总被引:2,自引:0,他引:2  
从成本,灵敏度,分辨率,噪声,功耗和响应速度方面比较了CCD和CMOS,并对CCD和CMOS的现状和发展趋势进行了分析。  相似文献   

6.
从成本、灵敏度、分辨率、噪声、功耗和响应速度方面比较了CCD和CMOS,并对CCD和CMOS的现状和发展趋势进行了分析。  相似文献   

7.
CMOS图像传感器   总被引:3,自引:0,他引:3  
<正> 图像传感器是传感技术中最主要的一个分支,是PC机多媒体大世界今后不可缺少的外设,也是保安监控产业中最核心的器件。在知识经济和信息社会已经到来的今天,它在我们的社会生活和个人生活中会有数不胜数的应用。 CMOS图像传感器和CCD摄像器件在20年前几乎是同时起步的。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大、信噪比小、分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但是随着大规模集成电路技术的不断发展,过去CMOS图像传感器制造工艺中不易解决的技术难关现已都能找到相应解决的途径,从而大大改善了CMOS图像传感器的图像质量。目前CMOS单元面积的像素数已可与CCD单元面积的像素数相  相似文献   

8.
CMOS图像传感器将全面取代CCD   总被引:1,自引:0,他引:1  
索尼的新款摄像机采用了3个CMOS摄像元件,其图像的像素间距和像素数都优于行间写入传输方式(Interline Transform IT)的CCD型。在此之前,索尼的摄像机一直部采用IT方式的CCD型摄像元件。现在,该公司准备用CMOS型元件全面替换愿有的CCD型元件。  相似文献   

9.
本文简要介绍日本东芝公司的数码照相机所采用的CMOS图像传感器并将之与CCD图像传感器作了对比。  相似文献   

10.
李晓延 《今日电子》2006,(11):61-61,63
数码相机和可拍照式便携设备的兴起,使得CMOS图像传感器这个名词进入大众的视野,而这种产品也成为了半导体产品中增长最快的一种。其实,在几年前,CMOS传感器还没有今天这样耀眼的地位,那时的它还只能仰望强大的对手CCD传感器。但是,仅仅是几年的功夫,它就可以同CCD分庭抗礼了。  相似文献   

11.
CMOS图像传感器研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。  相似文献   

12.
CMOS与CCD性能及高清应用比较   总被引:2,自引:0,他引:2  
石东新  傅新宇  张远 《通信技术》2010,43(12):174-176,179
互补金属氧化物半导体(CMOS)与电荷耦合器件(CCD)是目前主流的图像传感器件。CMOS与CCD图像传感器的研究几乎同时起步,但是CMOS的应用有相当一段时期落后于CCD。近些年,各个级别质量的图像采集领域,都有COMS图像传感器的应用。从CMOS和CCD图像传感器采用的技术手段和性能表现两大方面做了较为全面的比较和分析,给出了较为详细的对比参数表,并介绍了CMOS和CCD传感器在高清摄像方面的高端应用。  相似文献   

13.
CMOS图像传感器的三种新技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了CMOS传感器的发展现状及应用新技术,阐述了C3D技术、Aramis技术和超小型CMOS传感器技术对CMOS传感器性能的改善,并预示了CMOS传感器的未来发展趋势。  相似文献   

14.
CMOS图像传感器优势和最新产品   总被引:1,自引:0,他引:1  
柳笛  黎福海  荣宏  韩兵兵  王鑫 《电视技术》2007,31(11):29-30,37
概述了CMOS图像传感器的优势,介绍了现阶段市场最新产品的情况.结合实际应用中CMOS图像传感器的弱点,提出了相关的改进措施和新技术.  相似文献   

15.
CMOS图像传感器在数码相机中的应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
对CMOS与CCD图像传感器的特点及其在数码相机中的应用进行了讨论,着重研究了CMOS图像传感器芯片的应用及其发展前景,针对CMOS图像传感器的特点设计了一个完整的数码相机,并利用PC机中的图像处理软件处理和显示所拍摄的图片。  相似文献   

16.
CMOS image sensors (or APS: Active pixel sensors) are now the technology of choice for most imaging applications, such as digital video cameras. Whereas their sensitivity doesn't reach the one of the best actual CCD's (whose fill factor is about 100%), they are now commonly used because of their multiple functionalities (windowing, on-chip signal processing) and their easy serial fabrication. In this paper, we present a study of different pixel photodiodes and architectures, in order to increase their sensitivity and reduce their spatial and temporal noise. These chips will be used in satellite star trackers, and should be hardened to radiation.Two different architectures are investigated. The first one uses the photodiode capacitance for signal integration, as it is usually done in literature [1–3]. This capacitance should be as lower as possible, to increase conversion factor (the gain of the pixel) and reduce reset noise, and that's why different standard CMOS photodiodes have been studied and quantified.The second architecture uses a low-value poly1/poly2 capacitor inside each pixel for signal integration, thus resulting in increasing the gain but degrading the fill factor.  相似文献   

17.
CMOS图像传感器的研究新进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势.简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点.重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化产品状况,同时给出了一些产品的性能参数,最后展望了CMOS图像传感器的未来发展趋势.  相似文献   

18.
设计了一种基于电容反馈跨阻放大器(CTIA)的长线列CMOS图像传感器。为减小器件功耗和面积,采用基于单端四管共源共栅运算放大器。为提高信号读出速率,采用没有体效应的PMOS源跟随器,同时减小PMOS管的宽长比,有效减小了输出总线寄生电容的影响。在版图设计上,采用顶层金属走线,降低寄生电阻和电容,提高了长线列CMOS图像传感器的读出速率和输出线性范围。采用0.35μm 3.3V标准CMOS工艺对传感器进行流片,得到器件像元阵列为5×1 030,像元尺寸为20μm×20μm。测试结果表明:该传感器在积分时间为1ms、读出速率为4MHz的情况下工作稳定,其线性度达到98%,线性动态范围为76dB。  相似文献   

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