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本文讨论了GaAs电路和SiECL电路的输入输出接口问题,对GaAs电路中BFL、DCFL、SDFL等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究,用电路模拟程序计算并给出了BFL输入输出接口电路的转移特性曲线。 相似文献
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探讨了对可编程器件FPGA、CPLD编程时的编程优化问题。主要阐述了VHDL语言描述硬件逻辑时,不同描述方法对 ASIC逻辑综合结果的不同影响;同时针对 CPLD和 FPGA二者在结构上的差别,给出可编程ASIC实现时的约束项的优化。 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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介绍了自主开发的多个完整实用的GaAs IC CAD软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波IC CAD、光电集成电路CAD、GaAs VHSIC CAD、微波高速MCM CAD等,并简要介绍了针对GaAs工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。 相似文献
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介绍了GaAsMESFET应用在商业软件中的四种非线性CAD模型、PSPICE程序中的STATZ模型、EEsof微波电路模拟程序中的Curtice对称和不对称模型以及QUASI程序中改进的STATZ模型。在给出多种模型DC方程和源漏电容公式的同时,对三种电路模拟程序的应用范围进行了分析。 相似文献
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给出了对DCFL电路单元的研究,包括电路设计和用先进的P埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模GaAsDCFL电路的设计和制造。 相似文献
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INFORMATION FOR AUTHORS 总被引:1,自引:0,他引:1
《半导体光子学与技术》1996,(1)
INFORMATIONFORAUTHORS¥//SEMICONDUCTORPHOTONICSANDTECHNOLOGY(SPAT)ispublishedquarterlywiththepurposeofprovidingthepublicationo... 相似文献
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GaInNAs是一种直接带隙半导体材料,在长彼长(1.30和 1.55μm)光通信系统 中具有广阔的应用前景.通过调节 In和 N的组分,既可获得应变 GaInNAs外延材料,也可制 备GaInNAs与GaAs匹配的异质结构,其波长覆盖范围为0.9-N2.0μm.GaInNAs/GaAs 量子阱激光器的特征温度为 200 K,远大于现行 GaInNAsP/InP激光器的特征温度(T0=50 K). GaInNAs光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义.由于GaInNAs和具有高反射率(高达99%)AI(Ga)As/GaAs的分布布拉格 反射镜(DBR)可生长在同-GaAs衬底上,因此它是长波长(1.30和 1.55 μm)垂直腔面 发射激光器(VCSEL)的理想材料.垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件. GaAs基的超高速集成电路(IC)已有相当成熟的工艺.如果 GaInNAs-VCSEL 与 GaAs-IC相结合,将使光电集成电路(OEIC)开拓出崭新的局面.本文还报道我们课题 组研制高质量 GaNAs/GaAs超晶格和大应变 InGaAs/GaAs量子阱结构取 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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用PECVD氮化硅薄膜对GaAs MESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAs MESFET的非线性CAD模型对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献