行业信息

正直径2 in碳化硅晶片通过鉴定由河北同光晶体有限公司承担的直径2 in高质量碳化硅晶片项目日前在北京通过鉴定。该项技术具有自主知识产权,目前申请专利达到28项,其中8项已获得实用新型专利授权,专家组一致认为该项技术达到国际先进水平。目前碳化硅单晶研究正朝着大尺寸、高质量的方向发展。同光晶体公司具有完整的碳化硅单晶生长、晶体切割、晶片加工产业线。预计项目投产后销     

碳化硅晶片的制备技术

论述了碳化硅晶片作为补强增韧材料的优点，阐述了其制备机理和国内外的各种制备技术以及碳化硅晶片的提纯方法，并对碳化硅晶片的研究重点和发展趋势作了简要的评述。     

国内外碳化硅标准比对分析

为了探明碳化硅国内外标准的情况和差异,本文调研、分析并选择了中国国家标准和行业标准、国际标准及美国、欧洲、日本、俄罗斯、罗马尼亚相关标准,选择碳化硅物理特性、碳化硅磨料化学分析方法、含碳化硅耐火材料化学分析方法、碳化硅晶片产品规格进行标准比对。通过比对,得出结论：（1）国外有关碳化硅标准,都制定了碳化硅产品的理化性能标准,有些指标我国国家标准和部分企业实际质量控制中未列入检测控制指标,如：振实密度、比表面积、清洁度、韧性、电导率;（2）针对碳化硅粒度砂与微粉产品,发达国家根据其用途不同,按照对口专用、精密化、综合利用原则,分成了多种牌号专用产品,专用产品的企业标准指标要求也不同,使生产者和使用者找到了最佳结合点,产品产生了最大效益;（3）从碳化硅磨料的化学分析方法标准比对和含碳化硅耐火材料化学分析方法标准比对结果看,我国国家标准的比对指标相较于美国、欧盟及日本等发达国家及地区而言较为完整;（4）从碳化硅晶片产品相关标准比对结果看,我国国家标准对碳化硅单晶抛光片以及晶片检测方面制定了相关标准,而美国、欧盟、日本等发达国家及地区没有涉及。针对碳化硅外延片表面缺陷的测试环境,我国国家标准相较...     

天富热电碳化硅项目再添盈利点

2007年12月3日，天富热电在新疆的六台碳化硅晶体生长炉已调试完毕，准备投入生产。在碳化硅生产车间可以看到各种数据在炉体外侧的数据台上不停地闪烁。     

IBM公司回收破损晶片用于太阳电池板工业

IBM公司开发出一项工艺,以期重新利用半导体材料废料,将其用于硅太阳电池板工业。据IBM公司估计,每年都有300万报废晶片,因其含有知识产权内容,故均将其填埋。但是,新的回收技术使生产所需能量减少,降低了温室气体排放、为太阳能发电提供了所需原材料。IBM此项计划减少了对晶片监控的花费、提高了IBM的晶片回收效率。IBM此项计划还获得国家防止污染奖。     

日本开发直径100mm的高品质碳化硅单晶片

新日本制铁公司开发出直径为100mm的高品质碳化硅（SIC）单晶片。该晶片将导致器件通电不良的微管缺陷控制在1个／cm^2以下,无微管区域在90％以上。     

聚碳酸酯产业化研发获重大突破

3月11日，从中国科学院长舂应化所获悉，该所和甘肃一家化工企业经过4年攻关，共同开发出具有我国自主知识产权的500t聚碳酸酯产业化新技术，该技术于2月25日通过了甘肃省科技厅组织的专家鉴定。专家认为，该成果打破了国外对中国聚碳酸酯生产技术的垄断，形成了具有我国完全自主知识产权的聚碳酸酯全套生产技术，不仅填补了国内空白，也为今后开发万吨级聚碳酸酯工艺技术，     

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展

碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS）的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立方晶系的同质异形体,可与硅工艺技术相结合制备出适应大规模集成电路需要的硅基器件,因此用硅晶片作为衬底制备碳化硅薄膜的工作受到研究人员的特别重视。本文综述了近年来国内外硅基碳化硅薄膜的研究现状,就其制备方法进行了系统的介绍,主要包括各种化学气相沉积（Chemical vapor deposition,CVD）法和物理气相沉积（Physical vapor deposition,PVD）法,并归纳了对硅基碳化硅薄膜性能的研究,包括杨氏模量、硬度、薄膜反射率、透射率、发光性能、电阻、压阻、电阻率和电导率等,以及其在微机电系统传感器、生物传感器和太阳能电池等领域的应用,最后对硅基碳化硅薄膜未来的发展进行了展望。     

MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.     

日本开发成功高质量p型氧化锌单晶基板

日本九州工业大学的中尾基副教授和日本COLMO公司成功开发出高质量、低成本制备氧化锌晶片的技术。首先利用硅基板上的碳化硅缓冲层制作n型氧化锌单晶薄膜基板，然后用CVD法在基板上沉积p型氧化锌单晶薄膜。这种制备方法在世界尚属首次。基板的电阻率非常低，达到实用化水平。该基板有望替代市场巨大的氮化镓基板，还可应用于各种传感器及光电转换元件等。     

构建以自主知识产权为重心的技术标准法律体系

一、创新知识产权法以加强对自主知识产权的保护自主知识产权,一般是指在一国疆域范围内,由本国的公民、企业法人或非法人机构作为知识产权的权利主体,对其自主研制、开发、生产的“知识产品”所享有的一种专有权利。从其权利特性看,自主知识产权具有以下四大鲜明特点:(l)主体本土化。其权利主体是“国产化”的研发机构、企业法人、新型经济组织联合体(如产学研结合体)或具有本国国籍的自然人及其联合体。(2)权属域内化。即这种权属在宏观上,具有归依国家主权的特点。(3)权利集成化。这种权利往往涵盖专利、商标、技术决窍及著作权等“一揽…     

湖南长沙:160亿建设碳化硅全产业链

正7月20日,总投资达160亿元的湖南三安半导体项目正式开工,未来有望在长沙形成新的半导体材料千亿产业链。长沙市委书记胡衡华参加仪式并宣布项目开工。湖南三安半导体主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链,项目总占地面积达1000亩。项目建成达产后,将形成超百亿元的产业规模,预计将带动上下游配套产业产值逾千亿元。当前,第三代半导体材料及器件已     

新型红外探测器材料Hg1-x-y CdxZnyTe研究

采用移动加热器法(THM)进行了新型红外探测器材料 Hg1-x-yCdxZnyTe(MCZT)的晶体生长,获得的MCZT晶片经汞源退火后进行了光学特性、结构特性、电学性能和组分均匀性的检测与分析,并且初步制作成近室温工作的长波光电导器件,对器件性能进行了测试与分析。结果表明用移动加热器法生长Hg1-x-yCdxZnyTe晶体是成功的,获得晶片的材料特性与器件性能初步达到了应用水平。     

上海宝钢在成都将建西部首条钢制两片式易拉罐

聚羟基脂肪酸脂（PHA），是很多微生物合成的一种细胞内聚酯，是一种天然的高分子生物材料，具有良好的生物相容性能、生物可降解性和塑料的热加工性能，PHA还具有非线性光学性、压电性、气体相隔性、水解稳定性、紫外稳定性等很高附加值性能，使其在包装材料等领域得到应用，是一种性能良好的环保生物塑料，并且PHA的生产是一种低能耗和低二氧化碳配方的生产，对环境是很好有利的。其中第三代PHA是由清华大学及其合作企业实现了首次大规模生产。近几年，我国在这方面研究取得了长足的进展，掌握了一些具有自主知识产权的菌种和后期工艺，为PHA作为我国有自主知识产权的生物材料今后的产业化打下了良好的基础。     

光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用

光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长的新方法，具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点，十分适合于晶体生长研究。介绍了光学浮区法晶体生长炉的构造以及技术原理，并阐述了该生长法在晶体生长领域的应用情况。     

泡沫碳化硅陶瓷的导电性能

采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷，研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响．结果表明：随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高，泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低，这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的；掺杂的钛转变成TiSi2导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能．TiSi2呈现离散和团聚两种形态分布，以不规则的形状位于碳化硅晶界之间，在碳化硅中作为施主杂质．泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少．     

ABS、EDS、TCS、ESP与主动增压液压控制单元

本文首先回顾了实现自主知识产权汽车ABS的历程，介绍了EDS、TCS、ESP的概念、功能及其拥有自主知识产权的前提是要自主设计拥有自主知识产权的主动增压液压控制单元，提出自主设计的主动增压液压控制单元的设计和控制原理，试制的样机经台架试验证实了设计研制的成功。     

氧化物／氧化物共晶复合陶瓷的生长机理与微观结构

本文基于国外定向凝固氧化物j氧化物共晶复合陶瓷的晶体生长动力学行为研究，阐述其动力学机制，分析动力学因素对微观结构形态的影响，探讨晶体生长动力学行为与微观结构形态之间的关系，同时结合以燃烧合成、快速凝固技术所制备的新型高强韧Al2O3／YSZ共晶复合陶瓷，探讨共晶复合陶瓷在快速凝固条件下的晶体生长动力学行为。结合定向凝固与快速凝固两种晶体生长机制，得出过冷度、凝固界面前沿的温度梯度是影响晶体生长方式的重要因素，且受二者决定的凝固速率（即晶体生长速率）决定了材料的最终微观结构与形态。     

碳化硅吸波性能改进的研究

采用三种不同的方法对碳化硅粉在2-18GHz范围的吸波性能进行了改进。化学还原的方法制备出粒度约为0.2μm左右的超细镍粉，与碳化硅混和，在一定的配比下制备成吸波涂层材料大幅度改善了吸波性能。吸波涂层最小反射率能够达到-23.59dB，提出了微观层复合的设想，并利用化学镀的方法对碳化硅粉表面进行了改性处理，使金属镍沉积在碳化硅颗粒的表面，材料在合理配比下的最小反射率为-22.07dB，采用宏观层复合的方法，将超细镍粉涂层与碳化硅涂层复合制备成多层吸波材料，改善了吸收峰值和吸收带宽。     

黄绿荧光碳化硅包覆石墨材料的制备与表征

以膨胀石墨与硅溶胶为原料制备出一种碳化硅包覆石墨材料。利用电子显微镜、X射线衍射技术、热重分析和荧光光谱技术对样品的形貌、结构、组成以及光致发光性能进行表征。结果表明,与碳化硅材料相比,碳化硅包覆石墨材料的发光频带发生红移,即由原来的蓝光红移至黄绿光,拓展了碳化硅的光致发光光谱。其原因是由于位于材料内部的石墨与外部的碳化硅之间形成的内电场阻碍了电子回归基态,从而使得光电子恢复到基态所释放的能量低于纯碳化硅释放的能量。